公开(公告)号：CN116479517A

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN202310436939.1

申请日：2023-04-21

Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司 ,  北方民族大学

Inventor： 伊冉 ,  王黎光 ,  芮阳 ,  杨少林 ,  徐慶晧 ,  曹启刚 ,  张昆 ,  熊欢 ,  王忠保

IPC: C30B15/02 ,  C30B15/20 ,  C30B29/06

Abstract: 本发明提供用于IGBT的低氧单晶硅的制备方法，涉及单晶硅制备方法的技术领域，当拉制200mm以上直径的晶棒时，在化料步骤中，加热器的发热区的底部与硅溶液的液面位于同一水平线，进行多次加料，当化料结束后，在整个拉晶阶段，调节加热器上升第一预定距离，使得加热器的发热区位于所述硅溶液的液面上方，使得拉晶前期氧含量降低；在加热器上升的过程中，施加水平磁场，并调节水平磁场下降至第二预定距离，使磁场中心位于液面下方，以抑制坩埚底部对流，降低石英坩埚溶解时间，进一步降低氧含量；在等径步骤中，根据石英坩埚的上升速度降低水平磁场的强度，进行拉晶，得到晶棒氧含量小于5ppma，以得到能够用于IGBT所需的硅片。

公开(公告)号：CN115896927A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202211665741.2

申请日：2022-12-23

Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司

Inventor： 马吟霜 ,  芮阳 ,  马成 ,  黄柳青 ,  杨少林 ,  徐慶晧 ,  王忠保 ,  盛之林 ,  罗学涛 ,  盛旺 ,  李岩 ,  邹啟鹏 ,  陈炜南

IPC: C30B15/00 ,  C30B29/06 ,  C30B15/04

Abstract: 一种调整冷却工艺降低掺硼单晶硅BMD的方法，采用提升晶棒拉速，按照预定的冷却工艺拉速将晶棒提升至炉筒内；提升氩气流量，按照预定的冷却工艺流量将氩气通入到炉筒内；缩短冷却时间，按照预定的冷却时间在炉筒内对晶棒进行冷却的方式，通过改善冷却工艺拉速、通入到炉筒内的氩气流量、以及冷却时间，使BMD降低至规格线要求，保证了晶棒较高的合格率。

公开(公告)号：CN119663421A

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN202411835394.2

申请日：2024-12-13

Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司

Inventor： 张兴茂 ,  芮阳 ,  王黎光 ,  马成 ,  王忠保 ,  马英剑 ,  商润龙 ,  杨少林

IPC: C30B15/14 ,  C30B29/06

Abstract: 本发明提供一种改善单晶硅片气孔的方法及中部加热器，属于单晶硅生产技术领域。包括以下步骤：S1、在单晶炉上依次安装底部加热器、中部加热器及上部加热器，所述中部加热器包括加热器主体及连接支脚，所述加热器主体包括竖直部及倾斜部，所述竖直部及所述倾斜部的位置与坩埚的R部及底部相对应，以通过竖直部及倾斜部对坩埚R部及底部进行加热；S2、在化料过程中，开启上部加热器、中部加热器以及底部加热器，对坩埚内的多晶硅料进行熔化；S3、化料结束后，关闭中部加热器及底部加热器，并继续后续的拉晶工序。本发明通过中部加热器及底部加热器的综合作用，使坩埚底部温度高于坩埚上部温度，坩埚底部熔硅中的气泡能够有效溢出，从而有效改善单晶硅片的气孔。

公开(公告)号：CN118639329A

公开(公告)日：2024-09-13

申请号：CN202410677274.8

申请日：2024-05-29

Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司

Inventor： 刘洁 ,  王黎光 ,  芮阳 ,  伊冉 ,  刘彦鹏 ,  王忠保 ,  赵娜 ,  杨少林

IPC: C30B29/06 ,  C30B15/04

Abstract: 本发明提供一种消除重掺硼缺陷的方法，属于重掺硼硅单晶加工技术领域，包括以下步骤：S1、将硅料与纯硼放入石英坩埚中进行化料；S2、化料结束后，将温度降至掺杂温度，向石英坩埚中掺杂锗，其中，纯硼与锗的比例为3:1。本发明通过在重掺硼硅单晶中掺杂锗，由于锗的原子半径大于基体硅原子，硼和锗的共掺杂能相互补偿晶格应变，更好的抑制位错的产生，消除重掺硼容易产生的原生缺陷。并且锗和硅都是4族元素，将锗掺入硅中，不会影响重掺硼硅单晶的电学性能。

公开(公告)号：CN118461131A

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202410498681.2

申请日：2024-04-24

Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司

Inventor： 伊冉 ,  芮阳 ,  王黎光 ,  曹启刚 ,  杨少林 ,  蔡瑞 ,  白园 ,  李俊丽

IPC: C30B29/06 ,  C30B15/20 ,  C30B15/10

Abstract: 本发明提供用于拉制氧含量面内分布均匀的单晶衬底硅片的方法，涉及单晶硅制备方法的技术领域，在直拉单晶的过程中，在石英坩埚两侧施加CUSP磁场，在预定磁场强度下，CUSP磁场与石英坩埚同步上升，能够更有效地抑制熔汤的对流，增大边界扩散层厚度，在CUSP磁场的作用下，氧的轴向分布均匀性和径向分匀匀性得到改善，杂质的径向分均匀性也变好，使得拉制的晶棒的氧含量面内分布均匀。

公开(公告)号：CN116555895A

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202310590748.0

申请日：2023-05-24

Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司 ,  北方民族大学

Inventor： 魏兴彤 ,  芮阳 ,  杨少林 ,  徐慶晧 ,  曹启刚 ,  王黎光 ,  张昆 ,  王忠保 ,  陈亚 ,  赵泽慧

IPC: C30B15/20 ,  C30B15/04 ,  C30B29/06 ,  G06F17/15

Abstract: 本发明提供了一种用于轻掺磷多根拉制单晶硅棒掺杂量的计算方法，属于直拉单晶硅生产技术领域，该方法考虑到多根拉制时磷母合金与需求阻值的硅熔体中的杂质含量并不对等，需求阻值的硅熔体中的杂质含量偏大的实际情况，提出了新的计算公式，在计算单根之后拉制的硅棒的掺杂量时，以向坩埚内补加的硅料量及补加后的硅熔体中杂质浓度为主进行掺杂量的计算，得到的掺杂量准确性较高，提高了的掺杂量的计算准确性，进而提高了硅棒头部电阻率的打靶准确性。