一种靶材的制备方法
    11.
    发明授权

    公开(公告)号:CN106756832B

    公开(公告)日:2019-03-12

    申请号:CN201611229097.9

    申请日:2016-12-27

    Abstract: 本发明提供了一种靶材的制备方法,包括以下步骤:A)将锻造后的坯料酸洗后热处理,所述热处理的升温速率为10~50℃/min;B)将热处理后的坯料放置于轧机的工装上进行轧制;C)将轧制后的坯料进行酸洗,再进行热处理,得到靶材;所述热处理的升温速率为10~50℃/min。本发明通过采用特殊的轧制工装和快速升温热处理工艺,可制备直径在400~1000mm,厚度在6~30mm的大规格靶材,且使该种靶材获得的{111}、{100}织构组分比例控制在20~40%,织构组分分布波动控制在10%以内,能满足28nm及以下制程的半导体应用。

    一种靶材的制备方法
    12.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106756832A

    公开(公告)日:2017-05-31

    申请号:CN201611229097.9

    申请日:2016-12-27

    CPC classification number: C23C14/3414 C22F1/18

    Abstract: 本发明提供了一种靶材的制备方法,包括以下步骤:A)将锻造后的坯料酸洗后热处理,所述热处理的升温速率为10~50℃/min;B)将热处理后的坯料放置于轧机的工装上进行轧制;C)将轧制后的坯料进行酸洗,再进行热处理,得到靶材;所述热处理的升温速率为10~50℃/min。本发明通过采用特殊的轧制工装和快速升温热处理工艺,可制备直径在400~1000mm,厚度在6~30mm的大规格靶材,且使该种靶材获得的{111}、{100}织构组分比例控制在20~40%,织构组分分布波动控制在10%以内,能满足28nm及以下制程的半导体应用。

    大松装冶金级钽粉的制造方法

    公开(公告)号:CN111940745B

    公开(公告)日:2024-01-19

    申请号:CN202010605848.2

    申请日:2020-06-29

    Abstract: 本发明涉及一种大松装冶金级钽粉的制造方法。其特点是,包括如下步骤:(1)取钠还原冶金级钽粉或者电容器用钽粉;(2)将钽粉用等静压成型压制成钽条;(3)对得到的钽条进行破碎过筛,得到松装密度在3.0‑5.0g/cm3之间的钽粉;(4)对得到的钽粉进行降氧;(5)对得到的钽粉进行酸洗除杂、烘干和过筛,得到松装密度在3.5‑5.0g/cm3之间,氧含量小于800ppm,D90<80μm的大松装冶金级钽粉。本发明的优点是:1)降低生产过程中使用氢气的风险。由于避免了氢气的使用,降低了生产过程的风险。

    一种高纯金属镧的制取方法

    公开(公告)号:CN103436718B

    公开(公告)日:2015-06-17

    申请号:CN201310358903.2

    申请日:2013-08-16

    Abstract: 本发明涉及一种高纯金属镧的制取方法。其特征在于,包括如下步骤:取无水氯化镧作为原料1,取氯化钠、氯化钾、氯化镁和氯化钙中的至少一种作为原料2,摩尔比为2-10:10,然后放在坩埚内,再放入金属钠,金属钠的用量占氯化镧摩尔比1-5%,以及占氯化镧摩尔比5-20%的金属锌或金属镁,再抽真空后加热,达到300℃-400℃时充入惰性气体,再升温至600℃-800℃开始还原,保温2h-5h结束后再升至850℃-950℃,然后将还原产物浇铸到铸模中,待冷却后将该金属棒在坩埚中900℃-1000℃精馏5-10小时即得。根据分析数据表明制备的金属镧化学杂质含量低于0.05%,样品的纯度在99.95%以上。

    一种高纯金属镧的制取方法

    公开(公告)号:CN103436718A

    公开(公告)日:2013-12-11

    申请号:CN201310358903.2

    申请日:2013-08-16

    Abstract: 本发明涉及一种高纯金属镧的制取方法。其特征在于,包括如下步骤:取无水氯化镧作为原料1,取氯化钠、氯化钾、氯化镁和氯化钙中的至少一种作为原料2,摩尔比为2-10:10,然后放在坩埚内,再放入金属钠,金属钠的用量占氯化镧摩尔比1-5%,以及占氯化镧摩尔比5-20%的金属锌或金属镁,再抽真空后加热,达到300℃-400℃时充入惰性气体,再升温至600℃-800℃开始还原,保温2h-5h结束后再升至850℃-950℃,然后将还原产物浇铸到铸模中,待冷却后将该金属棒在坩埚中900℃-1000℃精馏5-10小时即得。根据分析数据表明制备的金属镧化学杂质含量低于0.05%,样品的纯度在99.95%以上。

    一种大规格钽靶材的锻造方法

    公开(公告)号:CN102658346A

    公开(公告)日:2012-09-12

    申请号:CN201210098935.9

    申请日:2012-04-06

    Abstract: 一种大规格钽靶材的锻造方法,是采用打方拔长、打圆、镦粗锻造手段、中间配合热处理的方法,实现大规格钽靶材的均质化;具体步骤之一为:第一步,打方拔长;第二步,定尺锯料,根据最终成品的2~2.5倍重量计算,锯料;第三步,酸洗;第四步,热处理,热处理温度为钽材料熔点的25%-50%,保温时间为60~150min;第五步,二次锻造,镦粗,在镦粗时,上下平面涂润滑油;第六步,酸洗,同第三步;第七步,热处理,同第四步,第八步,三次锻造,打圆,用精锻机对坯料进行找圆。

    钽靶材的织构形成方法

    公开(公告)号:CN101704187B

    公开(公告)日:2011-08-17

    申请号:CN200910117586.9

    申请日:2009-11-13

    Abstract: 本发明是一种钽靶材的织构形成方法,以钽锭为原料,其工艺过程依次为:锻造、酸洗、热处理、轧制、二次酸洗、二次热处理、校平、下料、车削。本发明在应用时,在溅射中会使被溅射的晶粒溅射速率趋近相同、溅射原子角度分布轨迹趋近相同,这样就会获得薄膜厚度均匀一致的镀层,同时,钽靶的材料使用率亦得到大幅提高,本发明不仅填补了我国此方面的研究空白,同时也站在了世界上的技术前沿。

    一种低氨气使用量的氧化铌或者氧化钽的制备方法

    公开(公告)号:CN108147459B

    公开(公告)日:2020-09-08

    申请号:CN201711459974.6

    申请日:2017-12-28

    Abstract: 一种低氨气使用量的氧化铌或者氧化钽的制备方法,将氟铌酸或者氟钽酸溶液,调整至HF酸含量为4mol/L以上,有机采用MIBK(甲基异丁基甲酮)或者仲辛醇溶液,在6‑12级的萃取槽中采用逆流萃取的方式,有机相与水相比率为1:3至3:1,将氟钽酸或者氟铌酸萃取至有机溶液中,萃取后的溶液浓度设定在100‑150g/L,蒸馏并回收MIBK或者仲辛醇溶液,剩余白色物质继续加热,并通入水蒸气,加入汽油或者乙醇,将溶液以喷雾的形式进入到燃烧室,控制温度800‑1200℃,得到白色氧化钽或者氧化铌产品,再通过洗涤,低温焙烧,得到了最终产品。采用本发明制备方法,可以减少氨气的使用量,节省成本,有利于环保。

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