高RRR值高纯铌材的加工方法及射频超导腔用铌材

    公开(公告)号:CN111515618A

    公开(公告)日:2020-08-11

    申请号:CN202010224935.3

    申请日:2020-03-26

    Abstract: 一种高RRR值高纯铌材的加工方法及射频超导腔用铌材,包括锭材锻造,坯料锯切,坯料表面机加工,坯料酸洗,坯料热处理,坯料开坯,板坯修料、酸洗,板坯成轧,成品下料、抛磨、酸洗,成品热处理,成品剪切及一次精抛,成品酸洗步骤,通过本发明的加工方法,使成品板材晶粒尺寸保持在4.5~5.5级之间,均匀性良好;机械性能均满足要求,横纵向差异控制在15%以内,其中抗拉、屈服控制在10%以内,延伸率控制在10%以内;RRR值控制在300以上;气体元素含量均能满足要求;而且提高了产品直收率,能够大幅度降低制造商的制造成本,可以大批量生产。

    一种靶材的制备方法
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN106756832B

    公开(公告)日:2019-03-12

    申请号:CN201611229097.9

    申请日:2016-12-27

    Abstract: 本发明提供了一种靶材的制备方法,包括以下步骤:A)将锻造后的坯料酸洗后热处理,所述热处理的升温速率为10~50℃/min;B)将热处理后的坯料放置于轧机的工装上进行轧制;C)将轧制后的坯料进行酸洗,再进行热处理,得到靶材;所述热处理的升温速率为10~50℃/min。本发明通过采用特殊的轧制工装和快速升温热处理工艺,可制备直径在400~1000mm,厚度在6~30mm的大规格靶材,且使该种靶材获得的{111}、{100}织构组分比例控制在20~40%,织构组分分布波动控制在10%以内,能满足28nm及以下制程的半导体应用。

    一种钽靶材的锻造方法
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104532196B

    公开(公告)日:2018-04-03

    申请号:CN201410754282.4

    申请日:2014-12-10

    Abstract: 本发明涉及一种钽靶材的锻造方法。其特点是,包括如下步骤:首先取钽锭进行一次锻造,然后经过酸洗、热处理后再进行二次锻造,最后再次经过酸洗和热处理即可。本发明通过三向镦粗拔长锻造方法,采用合理的锻造道次压下量和后期热处理工艺,彻底破碎铸晶,解决常规锻造方法中钽靶材晶粒尺寸不均、铸晶残留、以及晶粒尺寸不够小的问题,得到细小均匀的微观组织。主要特点:第一,采用本发明的锻造方法,结合后期的热处理工艺,可以得到细小均匀的微观组织;第二,简化锻造流程,实现了大的锻造加工率,可彻底破碎铸晶,同时减少了锻造缺陷,提高了材料利用率。通过本发明的锻造方法,可以有效保证钽靶材在锻造结束后,获得细小、均匀的微观组织。

    一种靶材的制备方法
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106756832A

    公开(公告)日:2017-05-31

    申请号:CN201611229097.9

    申请日:2016-12-27

    CPC classification number: C23C14/3414 C22F1/18

    Abstract: 本发明提供了一种靶材的制备方法,包括以下步骤:A)将锻造后的坯料酸洗后热处理,所述热处理的升温速率为10~50℃/min;B)将热处理后的坯料放置于轧机的工装上进行轧制;C)将轧制后的坯料进行酸洗,再进行热处理,得到靶材;所述热处理的升温速率为10~50℃/min。本发明通过采用特殊的轧制工装和快速升温热处理工艺,可制备直径在400~1000mm,厚度在6~30mm的大规格靶材,且使该种靶材获得的{111}、{100}织构组分比例控制在20~40%,织构组分分布波动控制在10%以内,能满足28nm及以下制程的半导体应用。

    一种钽靶材及其制备方法

    公开(公告)号:CN104451567A

    公开(公告)日:2015-03-25

    申请号:CN201410833093.6

    申请日:2014-12-29

    CPC classification number: C23C14/3407 C22F1/18

    Abstract: 本发明提供了一种钽靶材及其制备方法,包括以下步骤,首先将钽锭经过第一次锻造后,得到一次锻造坯料;然后将上述步骤得到的一次锻造坯料经过第二次锻造和第一次热处理后,得到二次锻造坯料;再将上述步骤得到的二次锻造坯料经过第三次锻造和第二次热处理后,得到三次锻造坯料;再将上述步骤得到的三次锻造坯料经过第四次锻造和第三次热处理后,得到四次锻造坯料;最后将上述步骤得到的四次锻造坯料经过轧制和第四次热处理后,得到钽靶材;所述第一次锻造为旋转锻造;所述第一次锻造的温度为800~1400℃。本发明制备的钽靶材织构分布均匀、晶粒尺寸小,能够符合高端半导体镀膜行业的使用要求。

    坩埚冲压模具
    8.
    发明公开
    坩埚冲压模具 审中-实审

    公开(公告)号:CN117920867A

    公开(公告)日:2024-04-26

    申请号:CN202410130360.7

    申请日:2024-01-30

    Abstract: 本公开提供一种坩埚冲压模具,包括:第一模座;第二模座,与第一模座沿预设方向可动地相对设置;拉深凸模;拉深凹模,被配置为随第二模座沿预设方向相对于拉深凸模在第一位置和第二位置之间运动,且相对于拉深凸模在第三位置与第二位置之间与拉深凸模配合;和压筋模体,相对于第二模座沿预设方向可动地设置且与拉深凸模相对,被配置为:在拉深凹模相对于拉深凸模在第一位置和第三位置之间运动时,压筋模体随第二模座沿预设方向运动,在拉深凹模相对于拉深凸模在第三位置与第二位置之间运动时,压筋模体相对于拉深凸模保持静止且形成容纳坯料的中部的第一间隔。本公开的坩埚冲压模具可提升生产效率、降低生产成本、提升产品精度。

    机夹刀片和车刀
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117840469A

    公开(公告)日:2024-04-09

    申请号:CN202410199426.8

    申请日:2024-02-22

    Abstract: 本公开提供了一种机夹刀片和车刀。机夹刀片呈多面体,机夹刀片具有第一端面、第二端面和多个侧面,多个侧面位于相对设置的第一端面和第二端面之间;第一端面开设有沿自身边缘设置的凹槽,凹槽具有第一槽面,沿第一端面的边缘,第一槽面从多面体的角部逐渐靠近第二端面,第一槽面与两个侧面邻接且与两个侧面分别形成第一交线和第二交线;机夹刀片的前刀面位于第一槽面上,机夹刀片的主切削刃位于第一交线上,机夹刀片的副切削刃位于第二交线上。车刀包括刀柄;和机夹刀片,安装于刀柄的一端。本公开提供的机夹刀片和车刀能够改善钽铌材料工件的加工质量。

    平面铌靶材的制备方法
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109706427A

    公开(公告)日:2019-05-03

    申请号:CN201811618660.0

    申请日:2018-12-28

    Abstract: 本发明涉及一种平面铌靶材的制备方法。其特点是,包括如下步骤:(1)取铌锭进行锻造,锻造的具体方式为径向型砧打圆轴向拔长,将锻造后的铌锭进行酸洗,将酸洗后的铌锭进行热处理;(2)将步骤(1)得到的铌锭进行再次锻造,锻造的具体方式为90度换向压扁锻造,将锻造后的铌锭进行酸洗,将酸洗后的铌锭进行热处理;(3)将步骤(2)得到的铌锭进行轧制得到铌板,对铌板进行热处理,得到平面铌靶材。本发明在轧制阶段使铌锭变形更均匀,并且在加工后配合中间的热处理工艺,使铌靶材的组织越来越均匀化,细化,最终得到组织均匀、晶粒度小于50μm的等轴晶组织平面铌靶材。

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