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公开(公告)号：CN115326222A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202211005536.3
申请日：2022-08-22
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及半导体制造技术领域，具体公开了一种反应腔内外延片测温方法、装置、电子设备及存储介质；该方法包括：将热电偶温度计充当外延片放置于反应腔内的衬底托盘上，也将钨铼热电偶放在反应腔内，在预设的第一加热温度范围内获取钨铼热电偶与热电偶温度计之间的温度变换关系，即是获得钨铼热电偶与外延片实际温度之间的变换关系；在外延反应过程中，根据钨铼热电偶和测温探头测取的温度、以及钨铼热电偶与热电偶温度计之间的温度变换关系，换算得到关于外延片实际温度与测温设备所测取的温度之间的变换关系；在实际反应中，只需根据测温探头测得的温度，即可获得外延片的实际温度；该方法简单，实用，可直接获取到外延片的实际温度。
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公开(公告)号：CN114068308B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202210047359.9
申请日：2022-01-17
Applicant: 季华实验室
IPC: H01L21/02 , H01L29/165
Abstract: 本申请涉及半导体器件领域，公开了一种用于硅基MOSFET器件的衬底及其制备方法，制备方法包括以下步骤：对Si衬底进行刻蚀；生长多晶3C‑SiC缓冲层；生长单晶3C‑SiC外延层；生长SiNx绝缘层，其中，x＞1；对Si衬底进行退火处理。本申请通过优化工艺及外延层组合，解决了Si/SiO2衬底耐受电压低的问题，提升了Si基MOSFET器件的性能及稳定性。
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公开(公告)号：CN116876080A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202310932768.1
申请日：2023-07-27
Applicant: 季华实验室
IPC: C30B25/14 , C30B25/08 , C30B29/36 , C30B25/16 , C23C16/455
Abstract: 本申请涉及外延生长技术领域，具体而言，涉及一种外延反应室的导流装置及外延设备，其中外延反应室的导流装置包括导流组件；导流组件设置在外延反应室内部，位于衬底托盘正上方且与供气口连接；导流组件包括与供气口连接且朝向衬底托盘设置的导流管和位于导流管中部的导流件；导流件包括低于导流管末端的扩散板。本申请的外延反应室的导流装置能解决在衬底上进行外延生长时竖直方向通气产生的气体逆向流动情况导致的外延生长不均匀的问题，达到在各个衬底上进行均匀生长的效果。
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公开(公告)号：CN116539230A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310635028.1
申请日：2023-05-31
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种传片漏气检测装置及方法、传片装置及方法，其中传片漏气检测装置，应用在外延设备中，外延设备包括传送腔和反应腔，传片漏气检测装置包括过渡腔和用于向过渡腔和传送腔充入惰性气体的充气装置，传送腔通过过渡腔与反应腔连通，传送腔与过渡腔之间设置有第一插板阀，过渡腔和反应腔之间设置有第二插板阀，传送腔内有第一真空计，过渡腔内有氧气传感器和第二真空计，通过该方式可实时检测传送腔内是否存在漏气点，从而防止空气进入反应腔中与反应腔中的氢气结合产生爆炸。
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公开(公告)号：CN115627531A
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN202211399678.2
申请日：2022-11-09
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明涉及外延生长技术领域，具体公开了一种外延设备的气浮传输系统、方法及外延设备，其中，系统包括：传输底座，具有朝上设置的气浮通道，气浮通道具有阵列设置多个气浮管组；托盘，用于承托衬底，放置在传输底座上；传输底座包括固定在外延设备的反应腔中的第一气浮底座及固定在反应腔外的第二气浮底座；位置检测组件，用于获取托盘的位置信息；多个进出气组件，分别与每个气浮管组连接，用于朝向气浮管组送气或吸气；控制器，与位置检测组件及进出气组件电性连接；控制器用于根据位置信息控制不同进出气组件进气或吸气以驱动托盘在气浮通道上位移；该系统解决了反应腔高温环境影响传输机械臂及其上夹具的使用寿命的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115012031A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210686166.8
申请日：2022-06-16
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明涉及半导体生产技术领域，具体公开了一种外延设备镀膜厚度监控方法、装置、电子设备及存储介质，其中，方法包括以下步骤：获取反应腔输出尾气中的至少一种主反应气体和/或至少一种生成气体的输出浓度信息；根据所述输出浓度信息及至少一种所述主反应气体的输入浓度信息计算所述外延薄膜的沉积厚度信息；该方法基于输出浓度信息计算外延薄膜的沉积厚度信息，其中输出浓度信息能直接反映出不可视的反应腔中的薄膜沉积的反应速率，从而实现了沉积厚度信息的实时计算，便于用户控制反应生成预期厚度的外延片，以提高外延片的生产精度。
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公开(公告)号：CN114959889A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210748988.4
申请日：2022-06-29
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及外延设备技术领域，具体提供了一种反应腔的温度补偿装置、系统及方法，所述外延设备包括所述反应腔和感应线圈，所述感应线圈螺旋设置在所述反应腔外，所述反应腔的外形为圆柱形，所述反应腔的温度补偿装置包括：温度补偿线圈，设置在所述反应腔外；水平驱动组件，与所述温度补偿线圈连接，用于驱动所述温度补偿线圈沿平行于所述反应腔的轴心线的方向位移；旋转组件，与所述水平驱动组件连接，用于驱动所述水平驱动组件旋转；该装置能够对温场分布不均匀对应的局部位置进行补偿加热，以使反应腔内的温场分布均匀。
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公开(公告)号：CN114068308A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202210047359.9
申请日：2022-01-17
Applicant: 季华实验室
IPC: H01L21/02 , H01L29/165
Abstract: 本申请涉及半导体器件领域，公开了一种用于硅基MOSFET器件的衬底及其制备方法，制备方法包括以下步骤：对Si衬底进行刻蚀；生长多晶3C‑SiC缓冲层；生长单晶3C‑SiC外延层；生长SiNx绝缘层，其中，x＞1；对Si衬底进行退火处理。本申请通过优化工艺及外延层组合，解决了Si/SiO2衬底耐受电压低的问题，提升了Si基MOSFET器件的性能及稳定性。
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公开(公告)号：CN114032612A
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202111348403.1
申请日：2021-11-15
Applicant: 季华实验室
IPC: C30B25/16
Abstract: 本发明涉及权限控制技术领域，具体公开了一种外延设备的系统权限控制方法、装置、设备及存储介质，其中，方法包括以下步骤：在外延设备执行上料操作前，获取许可证的剩余可用时间；在剩余可用时间不足一个生长周期时，禁用上料操作的启动权限，生成续期提醒信息，并在加热组件及供气组件处于运行状态时，保持加热组件及供气组件正常运行；该方法在获知许可证的剩余可用时间不足一个生长周期时，发出续期提醒信息，避免用户未能及时续期而导致外延设备停机，同时禁用上料操作的启动权限，使得外延设备在该情况下不能继续进行上料，避免新的衬底置入反应腔内且用户未能及时进行许可证续期而导致该新的衬底生长失败的情况发生。
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公开(公告)号：CN119265699B
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202411789664.0
申请日：2024-12-06
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及外延设备技术领域，具体提供了一种用于外延设备的温度补偿系统及方法，该系统包括：第一温度采集组件；第二温度采集组件；压力采集组件；流量采集组件；控制器，用于根据组分气体类型信息和预设转换关系获取各条进气通道的组分气体的自由系数信息，还用于根据进气压力信息、进气流量信息和进气温度信息获取各条进气通道的组分气体的单位时间气体摩尔数信息，还用于根据反应室温度信息、进气温度信息、所有自由系数信息和所有单位时间气体摩尔数信息计算热量总缺口，然后基于热量总缺口调节加热组件的功率；该系统能够有效地避免出现由于通入反应室的工艺气体会带走外延片的热量而导致外延片的温度发生波动或难以达到目标温度的情况。
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