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公开(公告)号：CN100426140C
公开(公告)日：2008-10-15
申请号：CN200410080378.3
申请日：2004-09-29
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: G03F7/0754 , G03F7/0045 , G03F7/091 , Y10S430/106 , Y10S430/115
Abstract: 特征在于存在带有悬吊生色团的含Si聚合物的抗反射组合物是光刻技术方法中可用的抗反射涂层/硬掩膜组合物。在使用旋涂应用技术加以运用时，这些组合物提供了优异的光学、机械和蚀刻选择性能。在用于设计基片支撑材料层(尤其是金属或半导体层)的光刻技术方法中，此组合物是特别适用的。
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公开(公告)号：CN116250042A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202180059343.3
申请日：2021-07-19
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: G11C13/00
Abstract: 通过在集成电路上面部分的金属布线层之间放置固态存储器阵列来形成防篡改存储器(后端生产线)。金属层形成围绕存储器阵列的网格，以保护其免受皮秒成像电路分析、旁道攻击和电测量的去层级化。存储器单元及其测量电路之间的互连被设计成保护下方的每一层，即特定金属层中的互连金属部分不小于下一个下面层中的互连金属部分。测量电路被金属网覆盖。衬底、金属层和存储器阵列是单个单片结构一部分。适用于芯片标识协议的存储器阵列包含唯一标识防篡改集成电路的物理不可克隆功能标识符、对称加密密钥和释放密钥。
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公开(公告)号：CN104541369B
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201380042332.X
申请日：2013-08-08
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: H01L23/57 , G06F7/588 , G06F21/73 , G09C1/00 , H01L22/34 , H01L2924/0002 , H04L9/0866 , H01L2924/00
Abstract: 本公开公开了具有物理不可克隆功能的安全器件以及制造所述安全器件的方法。器件包括衬底以及在所述衬底上形成的至少一个高k/金属栅器件，所述至少一个高k/金属栅器件代表所述物理不可克隆功能。在一些实施例中，所述至少一个高k/金属栅器件可以经过可变性增强。在一些实施例中，所述安全器件可以包括用于测量所述至少一个高k/金属栅器件的至少一个属性的测量电路。
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公开(公告)号：CN104103567B
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201410122665.X
申请日：2014-03-28
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/683
CPC classification number: C01B31/0446 , C01B32/184 , H01L21/02378 , H01L21/02527 , H01L21/0272 , H01L21/2007 , H01L21/6835 , H01L29/1606 , H01L2221/68345 , H01L2221/68368 , H01L2221/68381 , Y10T156/11 , Y10T156/1153
Abstract: 本发明涉及晶片尺度外延石墨烯转移。一种用于二维材料的转移的方法包括：在衬底上形成二维材料的扩展层，扩展层具有单层。在扩展层上形成应力源层，以及应力源层被配置为向扩展层的最近单层施加应力。通过机械分裂扩展层剥落最近单层，其中最近单层保留在应力源层上。
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公开(公告)号：CN103779376B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201310484752.5
申请日：2013-10-16
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: H01L27/2472 , H01L23/576 , H01L27/24 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/142 , H01L45/144 , H01L2924/0002 , Y10T29/49155 , H01L2924/00
Abstract: 本公开涉及具有篡改检测和响应装置的集成电路以及用于制造这种集成电路的方法。一种具有篡改检测和响应装置的集成电路包括至少一种反应材料和耦合到所述至少一种反应材料的至少一个存储单元。所述至少一种反应材料中的放热反应引起所述至少一个存储单元的存储状态的改变。另一种具有篡改检测和响应装置的集成电路包括衬底、所述衬底上的至少一个门以及位于所述至少一个门的第一阱和第二阱之间的反应材料。所述反应材料中的反应引起所述门中的短路。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102770807B
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201080064595.7
申请日：2010-10-22
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: G03F7/00
CPC classification number: H01L21/0276 , G03F7/0752 , G03F7/091 , G03F7/094
Abstract: 该抗反射硬掩模组合物层包含聚合物，该聚合物在主链之中具有Si-O以及非硅无机组成部分。该聚合物包含至少发色团组成部分和透明组成部分以及交联组分。抗反射硬掩模组合物层用于在衬底之上形成图案化材料的方法。
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公开(公告)号：CN1975583B
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200610171821.7
申请日：2006-11-02
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: G03F7/20 , G03F7/00 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70216
Abstract: 一种在使用高数值孔径成像工具的光刻工艺中将具有感光区域的抗蚀剂层曝光到图像的方法和系统。其中利用了基板，其具有反射成像工具的射线的层，以及在反射层上具有感光区域的抗蚀剂层，其具有厚度。成像工具适于将包含虚像的射线投射到抗蚀剂层上，包含虚像的射线的一部分穿过抗蚀剂层，并反射回抗蚀剂层。反射的射线穿过抗蚀剂层的厚度在抗蚀剂层中形成投射的虚像的干涉图案。选择抗蚀剂层的感光区域相对于反射层的厚度和位置，以在干涉图案中在抗蚀剂厚度方向上包括干涉图案的较高对比度部分，并从抗蚀剂层的感光区域中在抗蚀剂厚度方向上排除干涉图案的较低对比度部分，以提高抗蚀剂层的感光区域中虚像的对比度。
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公开(公告)号：CN102770807A
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN201080064595.7
申请日：2010-10-22
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: G03F7/00
CPC classification number: H01L21/0276 , G03F7/0752 , G03F7/091 , G03F7/094
Abstract: 该抗反射硬掩模组合物层包含聚合物，该聚合物在主链之中具有Si-O以及非硅无机组成部分。该聚合物包含至少发色团组成部分和透明组成部分以及交联组分。抗反射硬掩模组合物层用于在衬底之上形成图案化材料的方法。
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公开(公告)号：CN1783453A
公开(公告)日：2006-06-07
申请号：CN200510116935.7
申请日：2005-10-25
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/762 , H01L21/3105
CPC classification number: H01L21/76808 , C09K13/08 , H01L21/31144
Abstract: 在利用低k层间介质的集成电路的后段，用包括环状烯烃聚合物的平坦化材料和溶剂填充蚀刻的结构；在所述平坦化层上的光敏层中限定将要蚀刻的下一个图形；在所述介质中蚀刻所述图形，并且在不损伤所述层间介质的湿法工艺中剥离所述平坦化材料。
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