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公开(公告)号：CN1619420A
公开(公告)日：2005-05-25
申请号：CN200410090474.6
申请日：2004-11-18
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: G03F7/094 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0757
Abstract: 本发明提供了倍半硅氧烷聚合物，还提供了包含这种倍半硅氧烷聚合物的光刻胶组合物，其中至少部分倍半硅氧烷聚合物包含氟化残基，并且至少部分倍半硅氧烷聚合物包含具有低的酸催化分裂活化能的侧基可溶解性抑制环状缩酮酸不稳定残基。本发明的聚合物还包含促进光刻胶在碱性水溶液中的碱可溶性的侧基极性残基。本发明的聚合物尤其可用于正光刻胶组合物中。本发明包括使用这种光刻胶组合物在基底上形成图案状结构的方法，特别包括多层(例如双层)光刻方法，这些方法能够在例如193nm和157nm的波长生成高分辨率图像。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1914558A
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：CN200480041556.X
申请日：2004-02-11
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: G03F7/0045 , G03F1/78 , G03F7/0392 , G03F7/40 , Y10S430/143
Abstract: 通过使用结合包括室温固体碱和液体低蒸气压碱的碱添加剂，获得即使在困难的基材上也具有良好起脚性能的抗蚀剂组合物。该组合物尤其在金属基材如通常用于掩模制造的含铬层上有用。
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公开(公告)号：CN1619415A
公开(公告)日：2005-05-25
申请号：CN200410080378.3
申请日：2004-09-29
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: G03F7/0754 , G03F7/0045 , G03F7/091 , Y10S430/106 , Y10S430/115
Abstract: 特征在于存在带有悬吊生色团的含Si聚合物的抗反射组合物是光刻技术方法中可用的抗反射涂层/硬掩膜组合物。在使用旋涂应用技术加以运用时，这些组合物提供了优异的光学、机械和蚀刻选择性能。在用于设计基片支撑材料层(尤其是金属或半导体层)的光刻技术方法中，此组合物是特别适用的。
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公开(公告)号：CN100426140C
公开(公告)日：2008-10-15
申请号：CN200410080378.3
申请日：2004-09-29
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: G03F7/0754 , G03F7/0045 , G03F7/091 , Y10S430/106 , Y10S430/115
Abstract: 特征在于存在带有悬吊生色团的含Si聚合物的抗反射组合物是光刻技术方法中可用的抗反射涂层/硬掩膜组合物。在使用旋涂应用技术加以运用时，这些组合物提供了优异的光学、机械和蚀刻选择性能。在用于设计基片支撑材料层(尤其是金属或半导体层)的光刻技术方法中，此组合物是特别适用的。
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公开(公告)号：CN100561337C
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200480031181.9
申请日：2004-10-22
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: G03C1/76
CPC classification number: G03F7/0757 , G03F7/0045 , G03F7/0046
Abstract: 本发明提供了倍半硅氧烷聚合物、含有所述倍半硅氧烷聚合物的抗蚀剂组合物，其中至少部分倍半硅氧烷聚合物含有氟化残基并且至少部分倍半硅氧烷聚合物含有对于酸催化断裂而言具有低活化能的作为侧基的抑制溶解度的酸不稳定残基，并且使高光学密度的存在最小化或得以避免。本发明的聚合物还含有提高抗蚀剂在碱性水溶液中的碱溶解度的作为侧基的极性残基。本发明的聚合物特别可用于正性抗蚀剂组合物。本发明包括将所述抗蚀剂组合物用于在基材上形成图案结构的方法，特别是多层(例如双层)光刻法，所述光刻法能够在波长为例如193nm和157nm下生产高分辨率的图像。
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公开(公告)号：CN1871550A
公开(公告)日：2006-11-29
申请号：CN200480031181.9
申请日：2004-10-22
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: G03C1/76
CPC classification number: G03F7/0757 , G03F7/0045 , G03F7/0046
Abstract: 本发明提供了倍半硅氧烷聚合物、含有所述倍半硅氧烷聚合物的抗蚀剂组合物，其中至少部分倍半硅氧烷聚合物含有氟化残基并且至少部分倍半硅氧烷聚合物含有对于酸催化断裂而言具有低活化能的作为侧基的抑制溶解度的酸不稳定残基，并且使高光学密度的存在最小化或得以避免。本发明的聚合物还含有提高抗蚀剂在碱性水溶液中的碱溶解度的作为侧基的极性残基。本发明的聚合物特别可用于正性抗蚀剂组合物。本发明包括将所述抗蚀剂组合物用于在基材上形成图案结构的方法，特别是多层(例如双层)光刻法，所述光刻法能够在波长为例如193nm和157nm下生产高分辨率的图像。
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