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公开(公告)号：CN103594542B
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201310356176.6
申请日：2013-08-15
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： K·E·福格尔 , B·赫克玛特绍塔巴里 , D·K·萨丹那 , G·G·沙希迪 , D·沙赫莉亚迪
IPC: H01L31/0745 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/078 , H01L31/035227 , H01L31/035281 , H01L31/0725 , H01L31/0745 , H01L31/076 , H01L31/1824 , H01L31/1884 , H01L31/20 , Y02E10/548
Abstract: 本发明涉及光伏器件和形成光伏器件的方法。一种光伏器件，其包括吸收第一波长范围光的上部电池和吸收第二波长范围的光的底部电池。所述底部电池包括包含晶体含锗（Ge）层的异质结。所述晶体含锗（Ge）层的至少一个表面与含硅（Si）层接触，请求所述含Si层具有大于所述晶体含锗（Ge）层的带隙。
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公开(公告)号：CN103915347A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201410007081.8
申请日：2014-01-07
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： B·赫克玛特绍塔巴里 , 李宁 , D·K·萨达那 , D·沙赫莉亚迪
IPC: H01L21/336 , H01L29/786 , H01L29/10
CPC classification number: H01L29/66742 , H01L29/66772 , H01L29/786 , H01L29/78654 , H01L29/78675 , H01L33/0041
Abstract: 本发明涉及薄膜晶体管及其形成方法。一种形成薄膜晶体管的方法包括将晶体衬底接合到绝缘衬底。在所述晶体衬底上沉积掺杂层，并且对所述掺杂层进行构图以形成源区和漏区。对所述晶体衬底进行构图以形成有源区域，使得在所述源区和所述漏区之间的所述晶体衬底中形成导电沟道。在所述源区和所述漏区之间形成栅极叠层，并且穿过钝化层将接触形成到所述源区、所述漏区和所述栅极叠层。
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公开(公告)号：CN103594542A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201310356176.6
申请日：2013-08-15
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： K·E·福格尔 , B·赫克玛特绍塔巴里 , D·K·萨丹那 , G·G·沙希迪 , D·沙赫莉亚迪
IPC: H01L31/0745 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/078 , H01L31/035227 , H01L31/035281 , H01L31/0725 , H01L31/0745 , H01L31/076 , H01L31/1824 , H01L31/1884 , H01L31/20 , Y02E10/548 , H01L31/0288 , H01L31/202
Abstract: 本发明涉及光伏器件和形成光伏器件的方法。一种光伏器件，其包括吸收第一波长范围光的上部电池和吸收第二波长范围的光的底部电池。所述底部电池包括包含晶体含锗（Ge）层的异质结。所述晶体含锗（Ge）层的至少一个表面与含硅（Si）层接触，请求所述含Si层具有大于所述晶体含锗（Ge）层的带隙。
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公开(公告)号：CN103426827A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201310179088.3
申请日：2013-05-15
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： S·W·比德尔 , B·赫克玛特绍塔巴里 , D·K·萨达那 , G·G·沙希迪 , D·沙赫莉亚迪
CPC classification number: H01L27/1218 , H01L21/304 , H01L21/6835 , H01L21/84 , H01L27/1203 , H01L27/1266 , H01L2221/68368
Abstract: 本发明涉及半导体有源矩阵结构及其制造方法。使用可用于挠性基板的技术来制造高分辨率有源矩阵背板。在绝缘体上半导体基板上形成包括有源半导体器件的背板层。从基板剥脱该背板层。在背板层之上形成包括诸如LCD、OLED的无源器件、光敏材料或压电材料的前板层，以形成有源矩阵结构。有源矩阵结构可被制造，以允许底部发射并提供机械挠性。
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公开(公告)号：CN115917752A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202180039416.2
申请日：2021-06-02
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： A·雷茨尼采克 , B·赫克玛特绍塔巴里 , K·巴拉克里希南
IPC: H01L29/06 , H01L21/331 , H01L29/739
Abstract: 一个或多个选通纳米片二极管设置在衬底上并且由纳米片结构制成。第一(第二)源极/漏极(S/D)布置在衬底上。第一(第二)S/D具有第一(第二)S/D掺杂类型的第一(第二)S/D掺杂浓度。一个或多个p‑n结形成一个或多个相应的二极管。p‑n结中的每个具有第一侧和第二侧。p‑n结的第一(第二)侧电和物理地连接至第一(第二)S/D并且分别具有相同类型的掺杂。由栅极电介质层和栅极金属制成的栅极堆叠体接界并围绕p‑n结中的每个。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103872176B
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：CN201310625437.X
申请日：2013-11-28
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： S·W·比德尔 , B·赫克玛特绍塔巴里 , D·K·萨达那 , G·G·沙希迪 , D·沙赫莉亚迪
IPC: H01L31/18 , H01L31/05 , H01L27/142
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及具有集成光伏电池的器件及其制造方法。一种用于制造具有集成光伏电池的器件的方法，包括：在第一处理衬底上支撑半导体衬底；以及对所述半导体衬底进行掺杂以形成具有相反导电性的交替区域。在所述半导体衬底的第一侧上形成掺杂层。在所述掺杂层上对导电材料进行构图以形成导电岛，使得所述导电岛与所述交替区域对准，从而在单片结构上界定串联连接的多个光伏电池。
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公开(公告)号：CN104218126B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201410231720.9
申请日：2014-05-28
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 陈自强 , B·赫克玛特绍塔巴里 , D·K·萨达那 , G·G·沙希迪 , D·沙赫莉亚迪
Abstract: 本发明涉及异质结发光二极管。一种用于形成发光器件的方法包括在单晶衬底上形成Ⅲ-Ⅴ单晶发射层以及在所述发射层上形成第一掺杂层。在所述第一掺杂层上沉积第一接触。通过机械方法从所述发射层去除所述单晶衬底。在所述发射层的去除所述衬底的一侧上形成第二掺杂层。所述第二掺杂层具有与所述第一掺杂层相反的掺杂剂导电性。在所述第二掺杂层上沉积第二接触。
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公开(公告)号：CN104123909B
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201410162681.1
申请日：2014-04-22
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： B·赫克玛特绍塔巴里 , D·沙赫莉亚迪
IPC: G09G3/3258
CPC classification number: G09G3/3258 , G09G2300/0842 , G09G2300/088
Abstract: 本发明涉及一种像素电路、显示系统以及用于操作像素电路的方法。一种用于有源矩阵有机发光二极管显示系统的像素电路包括第一输入节点、第二输入节点、第一电源节点、第二电源节点、三极管开关电路、存储电容器、有机发光二极管以及阻性元件。所述三极管开关电路连接到所述第一和第二输入节点。所述存储电容器连接在所述三极管开关电路的输出端和所述第二电源节点之间。所述有机发光二极管连接在所述三极管开关电路的所述输出端和所述第二电源节点之间。所述第一阻性元件连接在所述三极管开关电路的所述输出端和所述第一电源节点之间。
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公开(公告)号：CN104123909A
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201410162681.1
申请日：2014-04-22
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： B·赫克玛特绍塔巴里 , D·沙赫莉亚迪
IPC: G09G3/32
CPC classification number: G09G3/3258 , G09G2300/0842 , G09G2300/088
Abstract: 本发明涉及一种像素电路、显示系统以及用于操作像素电路的方法。一种用于有源矩阵有机发光二极管显示系统的像素电路包括第一输入节点、第二输入节点、第一电源节点、第二电源节点、三极管开关电路、存储电容器、有机发光二极管以及阻性元件。所述三极管开关电路连接到所述第一和第二输入节点。所述存储电容器连接在所述三极管开关电路的输出端和所述第二电源节点之间。所述有机发光二极管连接在所述三极管开关电路的所述输出端和所述第二电源节点之间。所述第一阻性元件连接在所述三极管开关电路的所述输出端和所述第一电源节点之间。
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公开(公告)号：CN104008963B
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201410054708.5
申请日：2014-02-18
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/302 , H01L21/02
CPC classification number: H01L21/02318 , H01L21/02002 , H01L31/1896 , Y02E10/50
Abstract: 本发明涉及一种在受控衬底剥脱期间促进开裂萌生的方法。提供了一种方法，其中，能够以受控方式剥脱包括不同的断裂韧度（KIc）的各种材料的衬底。特别地，在应力源层形成之前，在衬底的表面部分内形成表面台阶区域。在衬底的表面部分内的表面台阶区域的存在，能够控制在所述衬底内出现开裂萌生的深度和容易性。
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