公开(公告)号：CN113053740B

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN202110194410.4

申请日：2021-02-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 周君易 ,  郑柏贤 ,  陈则安 ,  陈敏璋

IPC: H10D64/01 ,  H01L21/768 ,  H01L23/538 ,  H10D84/03 ,  H10D84/83 ,  H10D62/10 ,  H10D64/27

Abstract: 一种制造半导体器件的方法包括在晶圆上方形成伪栅极结构。栅极间隔件形成在伪栅极结构的任意一侧上。去除伪栅极结构以在栅极间隔件之间形成栅极沟槽。栅极介电层形成在栅极沟槽中。在该栅极介电层上方形成栅电极。形成栅极介电层包括向晶圆施加第一偏压。在接通第一偏压的情况下，第一前体被馈送到晶圆。第一偏压关闭。在关闭第一偏压之后，第二前体被馈送到晶圆。根据本申请的其他实施例，还提供了半导体器件。

公开(公告)号：CN113178390B

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202110348508.0

申请日：2021-03-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李东颖 ,  陈则安 ,  王梓仲 ,  陈敏璋 ,  殷瑀彤 ,  杨孟谦

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 一种制造半导体器件的方法包括在衬底上方形成鳍结构，该鳍结构包括交替堆叠的第一半导体层和第二半导体层。在鳍结构上方形成牺牲栅极结构。在牺牲栅极结构的任一侧上形成间隔件。去除牺牲栅极结构以在间隔件之间形成沟槽。从沟槽去除第一半导体层，而留下悬置于沟槽中的第二半导体层。在沟槽中的间隔件的侧壁上形成自组装单层。分别环绕悬置的第二半导体层形成界面层。在界面层上以比在自组装单层上更快的沉积速率沉积高k介电层。在高k介电层上方形成金属栅极结构。本发明的实施例还涉及半导体器件。

公开(公告)号：CN110957353A

公开(公告)日：2020-04-03

申请号：CN201910618466.0

申请日：2019-07-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈敏璋 ,  谢宗霖 ,  林柏廷

IPC: H01L29/20 ,  H01L29/04 ,  H01L29/778 ,  H01L23/64

Abstract: 根据本文描述的实施方式的技术涉及包括氮化铝AlN层或氮化铝镓AlGaN层作为铁电层的半导体装置，以及制造具有铁电性质的AlN/AlGaN的薄膜的方法。在铁电晶体管中，在介于栅极电极和第二半导体层(例如GaN层)之间形成表现铁电性质的AlN/AlGaN的薄膜。

公开(公告)号：CN116153864A

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN202310062131.1

申请日：2023-01-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王俊元 ,  陈敏璋

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 提供了一种半导体装置及其制造方法。用于制造半导体装置的方法包括：在半导体基板上方沉积栅极介电层；通过原子层沉积(ALD)工艺在栅极介电层上方沉积功函数层，其中功函数层包含金属元素及非金属元素，并且ALD工艺包含多个循环。循环的每一者包含：将包含金属元素的前驱物气体引入腔室以在腔室中的半导体基板上形成前驱物表面层；从腔室吹净掉前驱物气体的剩余部分；使用包含非金属元素的反应性气体电浆执行反应性气体电浆处理以将前驱物表面层转化为功函数层的单层；从腔室吹净掉反应性气体电浆的剩余部分，及在腔室中执行惰性气体电浆处理。

公开(公告)号：CN110783397A

公开(公告)日：2020-02-11

申请号：CN201910313720.6

申请日：2019-04-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈敏璋 ,  易圣涵 ,  吕承轩

IPC: H01L29/51 ,  H01L29/78

Abstract: 一种半导体元件，其包括基板、第一含锆氧化物层、第一金属氧化物层及顶电极。第一含锆氧化物层位于基板上方且具有铁电性或反铁电性。第一金属氧化物层与第一含锆氧化物层接触。第一金属氧化物层的厚度小于第一含锆氧化物层的厚度。顶电极位于第一含锆氧化物层上方。

公开(公告)号：CN109509788B

公开(公告)日：2022-03-08

申请号：CN201810920927.5

申请日：2018-08-14

Applicant: 陈敏璋

Inventor： 陈敏璋 ,  锺镇阳

IPC: H01L29/51 ,  H01L21/28 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明揭示一种高介电常数介电层、其制造方法及执行该方法的设备。本发明的高介电常数介电层包含依序形成于半导体元件的材料层上的M层原子层沉积薄膜，其中M是大于1的整数。该材料层可以是半导体材料层、金属层或另一介电层。每一层原子层沉积薄膜是由氧化物且通过原子层沉积制程所形成。M层原子层沉积薄膜中的N层选定的薄膜，于原子层沉积制程期间或之后，经非反应性气体等离子体轰击，其中N是自然数且小于或等于M。

公开(公告)号：CN104658982A

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201410669594.5

申请日：2014-11-21

Applicant: 昆山中辰矽晶有限公司 ,  陈敏璋

Inventor： 陈敏璋 ,  徐文庆

IPC: H01L23/04 ,  H01L21/48

CPC classification number: C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  C23C16/045 ,  C23C16/403 ,  C23C16/45525 ,  C23C18/165 ,  C25D5/10 ,  C25D7/00 ,  G02B1/113 ,  G02B1/115 ,  Y10T428/24364

Abstract: 本发明提供一种光学组件以及其制造方法。本发明的光学组件包含透明的基材、引晶层、多个纳米柱以及保护层。引晶层形成以覆盖透明的基材的入光面与出光面。纳米柱形成在引晶层上。保护层形成以完全覆盖多个纳米柱。

公开(公告)号：CN115011949A

公开(公告)日：2022-09-06

申请号：CN202210218394.2

申请日：2022-03-04

Applicant: 汉民科技股份有限公司 ,  陈敏璋

Inventor： 殷瑀彤 ,  黄继震 ,  陈敏璋

IPC: C23C16/455

Abstract: 本发明是一种前驱物循环式原子层沉积设备与方法。所述原子层沉积设备包含一个或多个内循环机构、一个或多个待镀物、一个或多个进气管线，以及一个或多个气体扰动装置。一个或多个待镀物设置于每个内循环机构内。进气管线在制程循环(cyc l e)的不同时段提供前驱物气体至每个内循环机构内，前驱物气体包含前驱物及至少一个载气。气体扰动装置提供动力使该前驱物气体在该内循环机构内循环流动。

公开(公告)号：CN107039237A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201610893221.5

申请日：2016-10-13

Applicant: 环球晶圆股份有限公司 ,  陈敏璋

Inventor： 陈敏璋 ,  庄咏荃 ,  施奂宇 ,  施英汝 ,  徐文庆

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/263

Abstract: 一种外延用基材的制造方法，包括：于一基板上设置一缓冲层，该缓冲层为使用原子层沉积工艺形成多个层叠的氮化物层所构成。该缓冲层也可由叠置的至少一第一次缓冲层与至少一第二次缓冲层所构成，其中，第一次缓冲层为使用原子层沉积工艺形成多个层叠的第一氮化物层所构成，第二次缓冲层为使用原子层沉积工艺形成多个层叠的第二氮化物层。在制作缓冲层的步骤中，于形成每一层氮化物层、第一氮化物层或第二氮化物层后，后续进行离子轰击。借此，基板及缓冲层形成外延用基材，且有效提升缓冲层的结晶程度。

公开(公告)号：CN101556901A

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200810091151.7

申请日：2008-04-07

Applicant: 陈敏璋

Inventor： 陈敏璋 ,  施颖苍

IPC: H01L21/00 ,  H01L51/00 ,  H01L33/00 ,  H01L31/00 ,  H01L23/00 ,  H01S5/00

Abstract: 本发明公开了一种光电元件及其制造方法。根据本发明的制造方法，首先，制备衬底。接着，于该衬底上形成多层结构。然后，通过原子层沉积工艺及/或等离子体增强原子层沉积工艺(或等离子体辅助原子层沉积工艺)，形成钝化层，该钝化层覆盖该多层结构。本发明可以提供良好的表面钝化效果，进而制造出较佳的光电元件。此外，由于工艺温度低，可以避免破坏光电元件已经制造好的结构，并且可以减少高温造成的设备故障及/或损坏，进而提高工艺可靠度。