Saved successfully
Save failed
Saved Successfully
Save Failed
公开(公告)号：CN110783397A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201910313720.6
申请日：2019-04-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 陈敏璋 , 易圣涵 , 吕承轩
IPC: H01L29/51 , H01L29/78
Abstract: 一种半导体元件，其包括基板、第一含锆氧化物层、第一金属氧化物层及顶电极。第一含锆氧化物层位于基板上方且具有铁电性或反铁电性。第一金属氧化物层与第一含锆氧化物层接触。第一金属氧化物层的厚度小于第一含锆氧化物层的厚度。顶电极位于第一含锆氧化物层上方。
