-
公开(公告)号：CN116206979A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310253646.X
申请日：2016-08-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/08 , H01L29/417 , H01L29/423
Abstract: 鳍式场效应晶体管(FinFET)包括半导体衬底、多个绝缘体、栅极堆叠件和应变材料。半导体衬底包括位于半导体衬底上的至少一个半导体鳍。半导体鳍包括源极/漏极区和沟道区，并且源极/漏极区的宽度大于沟道区的宽度。绝缘体设置在半导体衬底上并且绝缘体将半导体鳍夹在绝缘体中间。栅极堆叠件位于半导体鳍的沟道区上方和部分绝缘体上方。应变材料覆盖半导体鳍的源极/漏极区。此外，提供了用于制造FinFET的方法。
-
公开(公告)号：CN114823747A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202110412889.4
申请日：2021-04-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开的各种实施例针对一种FinFETMOS电容器。在一些实施例中，FinFETMOS电容器包括衬底和从衬底的上表面向上延伸的电容器鳍结构。电容器鳍结构包括通过伪沟道区域分开的成对的伪源极/漏极区域和跨在电容器鳍结构上的电容器栅极结构。电容器栅极结构通过电容器栅极电介质与电容器鳍结构分开。本申请的实施例提供了集成电路(IC)、FinFETMOS电容器及其形成方法。
-
公开(公告)号：CN114823534A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210060282.9
申请日：2022-01-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 在实施例中，半导体器件包括：衬底上的隔离区域；从隔离区域的相邻部分之间突出的鳍结构，鳍结构包括多个鳍和台面，鳍结构的沟道区域具有位于鳍中的第一部分以及位于台面中的第二部分，鳍以及台面是连续半导体材料，台面具有比鳍更大的宽度；以及鳍结构上的第一栅极结构，第一栅极结构沿着鳍中的沟道区域的第一部分延伸并沿着台面中的沟道区域的第二部分延伸。本申请的实施例还涉及形成半导体器件的方法。
-
公开(公告)号：CN113451212A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110177363.2
申请日：2021-02-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 提供了一种半导体器件及其形成方法。方法包括形成从衬底延伸的鳍。沿着该鳍的侧壁和顶面形成牺牲栅极电极层。在该牺牲栅极电极层上执行图案化工艺以形成牺牲栅极电极。在该牺牲栅极电极上执行再成型工艺以形成再成型的牺牲栅极电极。该再成型的牺牲栅极电极包括沿着鳍的顶面的第一部分和沿着鳍的侧壁的第二部分。该第一部分的宽度随着第一部分从第一部分的顶面朝向鳍的顶面延伸而减小。该第二部分的宽度随着第二部分从鳍的顶面朝向衬底延伸而减小。
-
公开(公告)号：CN113178448A
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN202110336169.4
申请日：2021-03-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L27/11 , H01L29/423
Abstract: 本发明提供根据一些实施例的半导体结构。该半导体结构包括：半导体衬底，具有第一电路区域和第二电路区域；有源区域，从半导体衬底延伸并且由隔离部件围绕；第一晶体管，包括形成在有源区域上并且设置在第一电路区域中的第一栅极堆叠件，第一栅极堆叠件具有小于参考节距的第一栅极节距；以及第二晶体管，包括形成在有源区域上并且设置在第二电路区域中的第二栅极堆叠件，第二栅极堆叠件具有大于参考节距的第二节距。第二晶体管是高频晶体管，并且第一晶体管是逻辑晶体管。本发明的实施例还涉及半导体电路结构。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112951767A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202011351772.1
申请日：2020-11-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 一种形成半导体器件的方法包括：形成位于半导体区上方的伪栅极堆叠件；去除伪栅极堆叠件，以在栅极间隔件之间形成沟槽；形成延伸至沟槽中的替换栅极电介质；形成位于替换栅极电介质上的替换栅极电极。形成替换栅极电极包括沉积含金属层。沉积含金属层包括沉积具有第一平均粒度的下层；沉积位于下层上方的上层。下层和上层通过相同材料形成，并且上层具有大于第一平均粒度的第二平均粒径粒度。形成位于替换栅极电极的相对侧上的源极和漏极区。本发明的实施例还提供了一种半导体器件。
-
公开(公告)号：CN107437564A
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201710145590.0
申请日：2017-03-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L29/785 , H01L21/26506 , H01L21/30604 , H01L21/845 , H01L27/1211 , H01L29/0673 , H01L29/16 , H01L29/36 , H01L29/41791 , H01L29/42356 , H01L29/66439 , H01L29/66795 , H01L29/775 , H01L2029/7857 , H01L29/0684
Abstract: 一种半导体装置，包含突出于半导体基板的半导体鳍片。半导体鳍片包含在半导体基板上的多对半导体层。每一对半导体层包含第一导电型的第一半导体层与第二导电型的第二半导体层。第二半导体层堆叠于第一半导体层上且接触第一半导体层。
-
公开(公告)号：CN102214664B
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201010254695.8
申请日：2010-08-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1464 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/1463 , H01L27/14689
Abstract: 本发明提供一种背照式传感器的隔绝感测元件及其制造方法。在一实施例中，上述半导体装置的制造方法包括提供一感测层，其具有一前表面和一后表面，且于上述感测层的上述前表面中形成多个前侧沟槽。上述方法可还包括将氧注入上述感测层中穿过上述前侧沟槽，且将注入的氧退火，以于上述感测层中形成多个第一氧化硅块状物，其中每一个上述第一氧化硅块状物设置大体上相邻于一各别的上述前侧沟槽，以形成一隔绝物。本发明可抑制光电子漏至相邻像素，且因而降低或大体上消除感测元件之间的电串音。
-
公开(公告)号：CN102237382A
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN201010529469.6
申请日：2010-10-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H04N5/374
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L21/324 , H01L21/823878 , H01L22/34 , H01L27/14689 , H01L29/7842
Abstract: 本发明提供了有源像素单元结构及其制造方法，以利于降低有源像素单元内的暗态漏电流与白单元数量。在形成有源像素单元结构的工艺中基板上产生了应力，而此应力导致了有源像素单元内的暗态漏电流与白单元数量的增加。通过沉积具有反抵于上述产生的应力的一应力层以作为前金属介面层的一部分，可降低了上述的暗态漏电流与白单元数量。当有源像素单元内的晶体管为N型金属氧化物半导体晶体管时，可通过一拉伸应力层而增加了其载流子迁移率。在沉积上述应力层之前，可使用拉曼光谱以测量施加于基板上的应力。本发明可降低有源像素单元的暗态漏电流与白单元数量。
-
公开(公告)号：CN112310199B
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202010546169.2
申请日：2020-06-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 半导体器件包括晶体管的沟道组件和设置在沟道组件上方的栅极组件。栅极组件包括：介电层、设置在介电层上方的第一功函金属层、设置在第一功函金属层上方的填充金属层和设置在填充金属层上方的第二功函金属层。本发明的实施例还涉及晶体管的栅极结构和形成半导体器件的方法。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
61
records
(took 0.037 seconds)
