公开(公告)号：CN112447501A

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：CN202010868498.9

申请日：2020-08-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 何俊智 ,  张庆裕 ,  林进祥

IPC: H01L21/027

Abstract: 一种形成图案化光阻层的方法，包括以下步骤：在基板上形成图案化光阻层；形成覆盖图案化光阻层的成型层；在成型层中回流图案化光阻层；以及从回流的图案化光阻层移除成型层。在一些实施例中，成型层具有玻璃转化温度高于或等于图案化光阻层的玻璃转化温度。在又一些实施例中，成型层具有玻璃转化温度比图案化光阻层的玻璃转化温度低3℃至30℃。

公开(公告)号：CN111208716A

公开(公告)日：2020-05-29

申请号：CN201910462253.3

申请日：2019-05-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 翁明晖 ,  刘朕與 ,  吴承翰 ,  张庆裕 ,  林进祥

IPC: G03F7/32 ,  G03F7/40

Abstract: 本揭露是关于一种微影方法，其包括在基板上方形成抗蚀剂层。抗蚀剂层曝露于辐射。使用移除所曝露的抗蚀剂层的曝露部分的显影剂显影所曝露的抗蚀剂层，进而形成图案化的抗蚀剂层。使用碱性水冲洗溶液冲洗图案化的抗蚀剂层。

公开(公告)号：CN110941148A

公开(公告)日：2020-03-31

申请号：CN201910864390.X

申请日：2019-09-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘朕与 ,  林子扬 ,  张雅晴 ,  张庆裕 ,  林进祥

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置的制造方法。本公开的一些实施例提供一种方法，包括：形成第一层于基板之上并形成黏着层于所述第一层之上，其中所述黏着层具有包括环氧基团的组合物。形成光刻胶层，所述光刻胶层直接位于黏着层上。将所述光刻胶层的一部分曝光于辐射源下。利用环氧基团使所述黏着层的组合物与所述光刻胶层的曝光部分交联。通过像是负型显影剂来显影所述光刻胶层以形成光刻胶图案部件，所述光刻胶图案部件可覆盖所形成的交联区域。

公开(公告)号：CN110780545A

公开(公告)日：2020-02-11

申请号：CN201910702769.0

申请日：2019-07-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 游信胜 ,  刘如淦 ,  黄旭霆 ,  山添贤治 ,  陈铭锋 ,  周硕彦 ,  林进祥

IPC: G03F7/22 ,  G03F7/20

Abstract: 一种制造半导体元件的方法包括在半导体基板上描绘的曝光场矩阵中的每个曝光场中沿晶粒矩阵中的X轴划分多个晶粒，其中X轴平行于包围曝光场矩阵的最小矩形的边缘。在晶粒矩阵中沿Y轴划分多个晶粒，其中Y轴垂直于X轴。形成序列SNx0、SNx1、SNx、SNxr、SNy0、SNy1、SNy与SNyr。p*(Nbx+1)-2个步进操作在第三方向上执行，并且交替执行第一序列曝光/步进/曝光操作与第二序列曝光/步进/曝光操作于任何两个相邻的步进操作之间、第一步进操作之前与最后步进操作之后。每个步进操作的距离按次序遵循序列SNx。

公开(公告)号：CN110716394A

公开(公告)日：2020-01-21

申请号：CN201910272919.9

申请日：2019-04-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 翁明晖 ,  吴承翰 ,  张庆裕 ,  林进祥

IPC: G03F7/20

Abstract: 本公开提供多种半导体系统、设备及方法。在一实施例中，极紫外光光刻系统包括：基板台，配置以将基板固定在第一垂直高度，其中基板上沉积有光刻胶层；至少一电极，位于第一垂直高度上方的第二垂直高度；以及电源，配置以在前述至少一电极与基板台上施加电场，包括当基板固定在基板台上时电场跨越光刻胶层的厚度。

公开(公告)号：CN110609443A

公开(公告)日：2019-12-24

申请号：CN201910120215.X

申请日：2019-02-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 訾安仁 ,  林进祥 ,  张庆裕

IPC: G03F7/004

Abstract: 光阻化合物包含光阻材料，光阻材料包含多个金属氧化纳米颗粒与配位基，以及一种酸，这种酸的酸度系数pKa介于-15到4之间，或是一种碱，这种碱的pKa介于9到40。

公开(公告)号：CN109960104A

公开(公告)日：2019-07-02

申请号：CN201810457279.4

申请日：2018-05-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林进祥 ,  陈建诚 ,  李信昌 ,  陈嘉仁 ,  许倍诚 ,  苏益辰 ,  李环陵 ,  沈仓辉

IPC: G03F1/22 ,  G03F1/24

Abstract: 光刻掩模包括衬底、设置在衬底的第一侧上方的反射结构和设置在反射结构上方的图案化的吸收层。光刻掩模包括第一区域和在俯视图中围绕第一区域的第二区域。图案化的吸收层位于第一区域中。基本非反射材料位于第二区域中。通过以下方法形成光刻掩模：在衬底上方形成反射结构，在反射结构上方形成吸收层，限定光刻掩模的第一区域，以及限定光刻掩模的第二区域。第一区域的限定包括图案化吸收层。第二区域限定为在俯视图中围绕第一区域。第二区域的限定包括在第二区域中形成基本非反射材料。本发明的实施例还涉及具有黑色边界区域的光刻掩模及其制造方法。

公开(公告)号：CN109801839A

公开(公告)日：2019-05-24

申请号：CN201811268522.4

申请日：2018-10-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 訾安仁 ,  张庆裕 ,  林进祥

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/336

Abstract: 提供一种半导体结构的形成方法。此方法包括：形成材料层于基底上方，以及形成辅助层于材料层上方。此辅助层包含：聚合物主链(backbone)、与聚合物主链键合的酸不稳定基团(acid labile group，ALG)、以及与聚合物主链键合的浮动基团(floating group)。此浮动基团包含氟化碳(CxFy)。此方法也包括形成阻抗层于辅助层上方，以及图案化阻抗层。

公开(公告)号：CN109427557A

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201810621209.8

申请日：2018-06-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 翁明晖 ,  张庆裕 ,  林进祥

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/40 ,  G03F7/20 ,  G03F7/30 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0274

Abstract: 提供进行光刻制程的方法，进行光刻制程的方法包含在基底上方形成光刻胶层，并将光刻胶层的一部分曝光，以在未曝光部分之间形成曝光部分。进行光刻制程的方法还包含将光刻胶层显影以移除光刻胶层的曝光部分，使得开口形成于未曝光部分之间，并在开口中和光刻胶层的未曝光部分上方形成后处理涂布材料。进行光刻制程的方法还包含通过进行后处理制程，光刻胶层的未曝光部分的一部分与后处理涂布材料反应，以及移除后处理涂布材料。

公开(公告)号：CN108962721A

公开(公告)日：2018-12-07

申请号：CN201710617605.9

申请日：2017-07-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赖韦翰 ,  张庆裕 ,  林进祥

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/3081 ,  B05D3/06 ,  B05D3/108 ,  C08L33/10 ,  C08L33/12 ,  C09D4/00 ,  C09D133/08 ,  C09D133/10 ,  C09D133/12 ,  C09D135/02 ,  G03F7/11 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/02345 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/02664

Abstract: 本发明实施例提供材料组分与其应用方法，包括提供底漆材料，其包括：表面作用力增进组分以及可交联组分。在底漆材料上进行交联处理。可交联组分自我交联以形成交联的底漆材料。在交联的底漆材料上进行至少一处理工艺时，交联的底漆材料可保护下方层。