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公开(公告)号：CN1838389A
公开(公告)日：2006-09-27
申请号：CN200610058104.3
申请日：2006-03-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/6656 , H01L29/665 , H01L29/6653 , H01L29/7833
Abstract: 本发明是关于一种半导体装置与形成栅极间隔物的方法。该方法包括下列步骤：形成一栅极结构，该栅极结构覆盖于一半导体基底的一栅绝缘层上；形成一衬层于该半导体基底、该栅绝缘层与该栅极结构的露出部上；形成一栅极间隔物材料层于该衬层上；定义该栅极间隔物材料层，以形成该些间隔物；形成一保护层于部分的该衬层、该栅极结构以及该栅极间隔物上；部分移除该保护层，露出该衬层、该栅极结构与该些栅极间隔物的一顶部；施行一第一湿蚀刻制程，大体移除该衬层的露出部；移除该保护层；以及施行一第二湿蚀刻制程，大体移除该衬层的一底部与一顶部。本发明采用保护层保护衬层免于受到湿蚀刻制程的蚀刻。
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公开(公告)号：CN117766385A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311495048.X
申请日：2023-11-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/3065 , H01L21/308 , H01L21/311 , H01L21/3213 , H01L21/033
Abstract: 本公开提供一种半导体装置的制造方法，该方法包含在基板上的下层目标层之上形成图案化硬遮罩；以及在等离子体蚀刻室中使用等离子体蚀刻气体及选择性来源气体在图案化的硬遮罩及下层目标层上并行地进行等离子体制造操作。等离子体制造操作包含在图案化的硬遮罩上形成保护盖；以及移除未被图案化硬遮罩覆盖的下层目标层的部分。在各种实施例中，选择性来源气体包含化合物，化合物包含可解离成金属及卤素的卤素气体，且等离子体制造操作包含解离选择性来源气体中的金属及卤素并且使用经解离的金属在图案化硬遮罩上形成保护盖。
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公开(公告)号：CN109427552B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN201711131821.9
申请日：2017-11-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/027 , H01L21/033
Abstract: 本公开一些实施例提供半导体装置的形成方法，包括提供基板以及基板上的图案化层，其中基板包含多个结构以接受处理工艺；形成至少一开口于图案化层中，其中结构部分地露出于至少一开口中；进行方向性蚀刻，使至少一开口于第一方向中的尺寸扩大，以形成至少一扩大的开口；以及经由至少一扩大的开口对结构进行处理工艺。
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公开(公告)号：CN109860113B
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN201810509610.2
申请日：2018-05-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 本发明实施例提供了诸如鳍式场效应晶体管的半导体器件及其制造方法。在一些实施例中，在半导体鳍上方形成栅极间隔件并且在鳍上方形成栅极堆叠件。在栅极堆叠件上方形成对栅极间隔件具有较大的选择性的第一牺牲材料，以及在源极/漏极接触件上方形成具有较大选择性的第二牺牲材料。利用蚀刻工艺形成穿过第一牺牲材料和第二牺牲材料的开口，并且用导电材料填充开口。
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公开(公告)号：CN112018036A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202010406637.6
申请日：2020-05-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L21/8238 , H01L27/088 , H01L27/092
Abstract: 提供半导体装置的结构及半导体装置结构的制造方法。前述方法包括在半导体基底上方形成虚设栅极堆叠，以及在前述虚设栅极堆叠的侧壁上方形成多个间隔元件。前述方法亦包括移除前述虚设栅极堆叠以在前述间隔元件之间形成凹槽，以及在前述凹槽中形成金属栅极堆叠。前述方法还包括在前述金属栅极堆叠保持在温度介于约20℃至约55℃的范围内时，回蚀刻前述金属栅极堆叠。此外，前述方法包括在回蚀刻前述金属栅极堆叠之后，在前述金属栅极堆叠上方形成保护元件。
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公开(公告)号：CN110957260A
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201910894324.7
申请日：2019-09-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/762 , H01L21/764 , H01L21/336 , H01L29/10
Abstract: 鳍状场效晶体管的制作方法包括：形成至少三个半导体鳍状物于基板上，其中半导体鳍状物的第一半导体鳍状物、第二半导体鳍状物、与第三半导体鳍状物的长度方向实质上彼此平行，且第一半导体鳍状物与第二半导体鳍状物之间的空间小于第二半导体鳍状物与第三半导体鳍状物之间的空间；沉积第一介电层于半导体鳍状物的顶部与侧壁上，以形成沟槽于第二半导体鳍状物与第三半导体鳍状物之间，且沟槽的底部与两侧侧壁为第一介电层；以第一斜向离子布植工艺布植离子至沟槽的两侧侧壁的一者；以第二斜向离子布植工艺布植离子至沟槽的两侧侧壁的另一者；沉积第二介电层至沟槽中，且第一介电层与第二介电层的材料不同；以及蚀刻第一介电层。
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公开(公告)号：CN110931359A
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201910892072.4
申请日：2019-09-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336
Abstract: 一种半导体元件的制造方法包括在基板上方形成虚设栅极。一对栅极间隔件在虚设栅极的相对侧壁上形成。移除虚设栅极以在栅极间隔件之间形成沟槽。将第一离子束导引至沟槽的上部，而使沟槽的下部实质上无第一离子束入射。在将第一离子束导引至沟槽期间，基板相对于第一离子束移动。栅极结构在沟槽中形成。
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公开(公告)号：CN110729191A
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201811396062.3
申请日：2018-11-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/28 , H01L27/088
Abstract: 一种方法包括去除伪栅极以在栅极间隔件之间留下沟槽，形成延伸到沟槽中的栅极电介质，在栅极电介质上方沉积金属层，其中，金属层包括延伸到沟槽中的部分，将填充区沉积到沟槽中，其中，金属层具有位于填充区的相对侧上的第一垂直部分和第二垂直部分，回蚀刻金属层，其中，填充区至少比金属层凹进得更少，以及金属层的部分的剩余部分形成栅电极，将介电材料沉积到沟槽中，并且实施平坦化以去除介电材料的多余部分。介电材料的位于沟槽中的部分在栅电极上方形成介电硬掩模的至少部分。本发明的实施例涉及减少金属栅极的回蚀刻中的图案负载。
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公开(公告)号：CN110648969A
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201910327232.0
申请日：2019-04-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234
Abstract: 本发明实施例涉及制作集成电路结构的方法。方法包括形成栅极间隔物于半导体基板上的虚置栅极结构的多个侧壁上；对栅极间隔物进行第一布植工艺，其中第一布植工艺包括以硅原子轰击栅极间隔物的上侧部分；在进行第一布植工艺之后，对栅极间隔物的上侧部分进行第二布植工艺，其中第二布植工艺包括以碳原子轰击栅极间隔物的上侧部分；以及在进行第二布植工艺之后，将虚置栅极结构取代为高介电常数的栅极介电层与金属栅极结构，其中将虚置栅极结构取代为高介电常数的栅极介电层与金属栅极结构的步骤包括形成层间介电层。
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公开(公告)号：CN109860113A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201810509610.2
申请日：2018-05-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 本发明实施例提供了诸如鳍式场效应晶体管的半导体器件及其制造方法。在一些实施例中，在半导体鳍上方形成栅极间隔件并且在鳍上方形成栅极堆叠件。在栅极堆叠件上方形成对栅极间隔件具有较大的选择性的第一牺牲材料，以及在源极/漏极接触件上方形成具有较大选择性的第二牺牲材料。利用蚀刻工艺形成穿过第一牺牲材料和第二牺牲材料的开口，并且用导电材料填充开口。
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