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公开(公告)号：CN114068730B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202111386295.7
申请日：2021-11-22
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0687 , H01L31/18 , C23C14/08 , C23C14/06 , C23C14/58 , C23C14/32
Abstract: 本发明提供了一种太阳能电池及其制作方法，通过将减反射复合层层叠于所述顶电池的裸露区域，可提高多结太阳能电池在各波段的反射效果。进一步地，所述多结太阳能电池为三结太阳能电池，所述三结太阳能电池包括：沿生长方向依次设置的Ge底电池、InGaAs中电池和顶电池，所述顶电池为GaInP顶电池或AlGaInP顶电池；所述减反射复合层包括沿生长方向依次设置且折射率逐渐减小的第一反射膜、第二反射膜和第三反射膜，且所述第一反射膜的折射率为2.2‑2.4，所述第二反射膜的折射率为1.6‑1.7，所述第三反射膜的折射率为1.3‑1.5；从而可实现350～2000nm波段的减反射效果。
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公开(公告)号：CN115663012A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211429202.9
申请日：2022-11-15
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种低热阻LED芯片及其制备方法、分离方法，提供了一复合衬底，所述复合衬底包括沿第一方向依次堆叠的第一衬底、第一键合层以及第二衬底；从而使外延叠层通过第二键合层键合形成于所述第二衬底背离所述第一键合层的一侧表面，进一步地，所述第二键合层和所述第二衬底具有导电性。从而，通过第二衬底的高热导率解决了LED芯片的热阻；同时，通过复合衬底的临时支撑增强了LED晶片的强度，避免了制备过程中的翘曲和破片问题；同时，通过复合衬底的临时支撑可以免除研磨工艺，保证了LED芯片厚度的一致性，并节约了成本。尤其适用于大电流密度的LED芯片。
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公开(公告)号：CN115440861A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202211159679.X
申请日：2022-09-22
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种垂直结构LED芯片及其制作方法，实现了将电流扩展层与PAD金属层集成到一起的制作方式，即形成集成金属层，用集成金属层取代电流扩展层，在制作集成金属层的过程中采用含Au金属材料，由于Au金属材料的电阻率较低，可以实现较好的电流扩展能力；另外，在PAD制作时，通过刻蚀部分所述外延叠层至绝缘层的方式，裸露出集成金属层中的部分表面，并保留边缘的外延叠层以形成独立的保护墙，该裸露部分承担PAD功能以实现与外部的电连接。通过该方式，节省了单独制作PAD金属层的工序，并同步形成了保护墙，节约了成本。同时，所形成的保护墙弥补了外延叠层刻蚀时在边角所形成的高度差，从而减少了崩边崩角的风险。
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公开(公告)号：CN114944444A
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202210499134.7
申请日：2022-05-09
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了基于锡合金电极应用的微发光器件及其制备方法，通过在外延叠层表面设置DBR结构层，其包括沿所述外延叠层的表面依次层叠的DBR反射层和应力缓冲层，且所述DBR结构层具有第一通孔和第二通孔；第一电极，其沉积于所述第一通孔与所述第一型半导体层电连接，并向上延伸至所述DBR结构层的表面；且所述第一电极包括锡合金电极；第二电极，其沉积于所述第二通孔与所述第二型半导体层电连接，并向上延伸至所述DBR结构层的表面，且所述第二电极包括锡合金电极。使LED芯片表面采用锡合金电极结构，实现了免锡膏封装方式，避免锡膏钢网印刷精度不高导致的连锡等异常问题；同时，避免了锡膏印刷情况下钢网精准控制等问题。
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公开(公告)号：CN114242866A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111505447.0
申请日：2021-12-10
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种垂直结构LED芯片及其制作方法，本发明提供的垂直结构LED芯片，通过在基板表面依次设置键合层、防扩散层、金属反射镜以及外延叠层；其中，所述防扩散层用于防止所述键合层的金属扩散，从而提高产品的可靠性以及外量子效率，此外，所述防扩散层层叠于所述金属反射镜的表面，亦可同步实现金属反射镜中的金属迁移；进一步地，将所述键合层设置为包括含有Sn合金的键合层，将低成本金属Sn代替贵金属Au，可明显降低LED芯片的制造成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113871517A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202111101525.0
申请日：2021-09-18
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种多波长LED芯片及其制作方法，其中多波长LED芯片包括：依次堆叠在所述基板表面的键合层、金属反射镜、堆叠结构；所述堆叠包括发光结构和覆盖层，若干个所述发光结构沿所述第一方向依次堆叠且呈台阶状分布，各所述发光结构包括沿所述第一方向依次层叠的P型半导体层、有源层和N型半导体层；相邻两个发光结构通过覆盖层相互绝缘；金属连接层，其层叠于相邻两个发光结构所形成的台阶表面，用于串联对应的相邻两个发光结构，可优化晶体质量，提高多波长LED芯片发光效率。
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公开(公告)号：CN114242866B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202111505447.0
申请日：2021-12-10
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种垂直结构LED芯片及其制作方法，本发明提供的垂直结构LED芯片，通过在基板表面依次设置键合层、防扩散层、金属反射镜以及外延叠层；其中，所述防扩散层用于防止所述键合层的金属扩散，从而提高产品的可靠性以及外量子效率，此外，所述防扩散层层叠于所述金属反射镜的表面，亦可同步实现金属反射镜中的金属迁移；进一步地，将所述键合层设置为包括含有Sn合金的键合层，将低成本金属Sn代替贵金属Au，可明显降低LED芯片的制造成本。
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公开(公告)号：CN114744086A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202111679335.7
申请日：2021-12-31
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种发光外延结构及发光二极管芯片，其中发光二极管芯片包括有通过隧穿结过渡的第一有源层和第二有源层；或者，发光二极管芯片包括有通过绝缘层相叠加的第一有源层和第二有源层，使得发光二极管芯片包括有更多的发光区域，能够有效提高发光二极管芯片的出光亮度。同时，通过设计包括更多发光区域的发光二极管芯片，能够使得发光二极管芯片具有混色调光的性能，扩大发光二极管芯片的适用范围。
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公开(公告)号：CN114334756A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202210057723.X
申请日：2022-01-19
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L21/673 , H01L21/687 , H01L33/00 , C23C14/02 , C23C14/06 , C23C14/24 , C23C14/50
Abstract: 本发明提供了一种用于LED晶圆制程的装置，包括载盘和压环，载盘侧面为倾斜面，载盘侧面与晶圆放置面形成载盘倾斜角，压环用于固定载盘，压环定位角用于定位载盘倾斜角，压片部用于压住载盘边缘。本发明设置压环定位角与载盘倾斜角的形状、角度相匹配，在适当增大载盘尺寸的同时，既避免载盘过大导致压环无法压住载盘的问题，使机台能正常工作，又能避免制程时传入到腔室内，载盘与压环产生摩擦过程中，载盘易偏离压环的固定，可有效保证载盘的寿命和晶圆加工良率，实现稳定规模化量产。
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公开(公告)号：CN107681026B
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201710874072.2
申请日：2017-09-25
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种发光二极管及其制备方法，其中，所述发光二极管在外延结构表面通过设置重掺杂第二型电流扩展层、多个电流阻挡层和透明导电层的方式，在透明导电层中形成多个电阻大小相当的电流路径，从而实现了发光二极管的立体电流扩展的目的，提升了发光二极管的电流扩展效果；并且由于所述重掺杂第二型电流扩展层和多个电流阻挡层协助所述透明导电层构成了多个电阻大小相当的电流路径，使得所述透明导电层的厚度无需设置较厚也可以实现较好的电流扩展效果，从而实现了在不吸收过多发光二极管的出射光线的前提下，为发光二极管提供良好的电流扩展效果的目的，进而达到提升发光二极管的量子效率，最终提高发光二极管的出光效率的目的。
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