公开(公告)号：CN112242467A

公开(公告)日：2021-01-19

申请号：CN202011125565.4

申请日：2020-10-20

Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司

Inventor： 刘伟 ,  刘英策 ,  邬新根 ,  许艺军

IPC: H01L33/38 ,  H01L33/40 ,  H01L33/46 ,  H01L33/00

Abstract: 本申请实施例提供了一种LED芯片的制作方法，该方法包括：在衬底表面形成外延结构；在外延结构背离衬底一侧形成光刻胶掩膜层，光刻胶掩膜层具有至少一个通孔，通孔在衬底上的投影面积沿第一方向逐渐减小；以光刻胶掩膜层为掩膜，依次在通孔内形成金属反射层、覆盖金属反射层的金属阻挡层以及覆盖述金属阻挡层的金属导电层，以形成所述LED芯片的电极结构；其中，所述第一方向由所述衬底指向所述外延结构；所述金属阻挡层形成时的工艺温度大于所述金属反射层形成时的工艺温度，从而在提高LED芯片的发光效率，降低LED芯片的电极结构电阻率的基础上，提高金属阻挡层对金属反射层的披覆性。

公开(公告)号：CN114944444A

公开(公告)日：2022-08-26

申请号：CN202210499134.7

申请日：2022-05-09

Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司

Inventor： 刘伟 ,  林锋杰 ,  许艺军 ,  邬新根 ,  刘英策 ,  崔恒平 ,  蔡海防

IPC: H01L33/40 ,  H01L33/12 ,  H01L33/10 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明提供了基于锡合金电极应用的微发光器件及其制备方法，通过在外延叠层表面设置DBR结构层，其包括沿所述外延叠层的表面依次层叠的DBR反射层和应力缓冲层，且所述DBR结构层具有第一通孔和第二通孔；第一电极，其沉积于所述第一通孔与所述第一型半导体层电连接，并向上延伸至所述DBR结构层的表面；且所述第一电极包括锡合金电极；第二电极，其沉积于所述第二通孔与所述第二型半导体层电连接，并向上延伸至所述DBR结构层的表面，且所述第二电极包括锡合金电极。使LED芯片表面采用锡合金电极结构，实现了免锡膏封装方式，避免锡膏钢网印刷精度不高导致的连锡等异常问题；同时，避免了锡膏印刷情况下钢网精准控制等问题。