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公开(公告)号：CN105679906A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201610155125.0
申请日：2016-03-18
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/22 , H01L33/0075
Abstract: 一种具有侧壁微结构的氮化镓基发光二极管及其加工工艺，涉及发光二极管的生产制造技术领域。本发明通过在ICP刻蚀后的台阶侧面形成周期性或非周期性的凹凸形表面结构，该侧壁微结构可以通过改变到达侧壁的光子的入射角，使更多的光子能够从芯片内出射，减少发生全反射的光子数，或者从另一方面来说，侧壁微结构可以通过改变微结构处的等效折射率，使微结构等效成一种增透结构，令侧壁的透射率更高，从而提升LED的亮度。
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公开(公告)号：CN107768496B
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201710895982.9
申请日：2017-09-28
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请提供了一种LED倒装芯片、制备方法及LED晶片，其中，该LED倒装芯片包括：衬底，依次形成于所述衬底上的外延结构和反射层，所述外延结构包括依次形成于所述衬底上的N型层、发光层、P型层，所述外延结构包括多个暴露所述N型层的接触孔，所述反射层暴露所述接触孔，所述反射层包括反射电极层；所述接触孔内形成有与所述P型层彼此绝缘的辅助电极，所述辅助电极用于与所述LED倒装芯片的N电极电连接；其中，所述辅助电极包括与所述反射电极层同层形成的第一辅助电极。本申请实施例通过在接触孔上设置辅助电极，该辅助电极包括与反射电极层同层形成的第一辅助电极，能够提高对光的反射。
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公开(公告)号：CN108110099B
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201710213823.6
申请日：2017-04-01
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Inventor： 刘英策 , 宋彬 , 李俊贤 , 吴奇隆 , 汪洋 , 陈凯轩 , 魏振东 , 邬新根 , 周弘毅 , 蔡立鹤 , 黄新茂 , 林志伟 , 李永同 , 吕奇孟 , 蔡和勋 , 李耿成
Abstract: 本发明提供了一种LED芯片及其制作方法，包括：衬底、外延结构、透明导电层、钝化保护层、第一电极和第二电极；透明导电层具有至少一个第一通孔；钝化保护层具有至少一个第二通孔，第二通孔与第一通孔在垂直于衬底的方向上无交叠；第一电极通过贯穿钝化保护层、透明导电层、量子阱发光层和第二半导体层的第三通孔与第一半导体层电连接；第二电极覆盖第一通孔和第二通孔，且第二电极通过第二通孔与透明导电层电连接。在第一通孔对应的区域，第二电极与第二半导体层之间的钝化保护层可以起到电流阻挡的作用，不仅降低了LED芯片的成本，而且提高了LED芯片的发光效率；此外，在第二通孔处可以实现点式发光，进而可以提高LED芯片的亮度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107731973B
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201711038374.2
申请日：2017-10-30
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种LED芯片及制作方法，该制作方法包括：提供一衬底，衬底为双折射衬底，其中，第一方向平行于衬底的晶圆定位边，第二方向垂直于衬底的晶圆定位边，且第一方向的折射率大于第二方向的折射率；在衬底上形成外延层结构；将形成完外延层结构的衬底转移至有机质支撑膜上；采用切割的方式，形成单个LED芯片，且LED芯片的长边平行于第一方向；采用封装碗杯对LED芯片进行封装，且在封装碗杯与LED芯片之间填充环氧树脂，其中，第一方向的折射率大于第二方向的折射率大于环氧树脂的折射率，该LED芯片结构降低了光从芯片出射至外部的全反射，提高了LED芯片的外量子效率，解决了现有技术中存在的问题。
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公开(公告)号：CN108110099A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201710213823.6
申请日：2017-04-01
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Inventor： 刘英策 , 宋彬 , 李俊贤 , 吴奇隆 , 汪洋 , 陈凯轩 , 魏振东 , 邬新根 , 周弘毅 , 蔡立鹤 , 黄新茂 , 林志伟 , 李永同 , 吕奇孟 , 蔡和勋 , 李耿成
CPC classification number: H01L33/005 , H01L33/06 , H01L33/14 , H01L33/36
Abstract: 本发明提供了一种LED芯片及其制作方法，包括：衬底、外延结构、透明导电层、钝化保护层、第一电极和第二电极；透明导电层具有至少一个第一通孔；钝化保护层具有至少一个第二通孔，第二通孔与第一通孔在垂直于衬底的方向上无交叠；第一电极通过贯穿钝化保护层、透明导电层、量子阱发光层和第二半导体层的第三通孔与第一半导体层电连接；第二电极覆盖第一通孔和第二通孔，且第二电极通过第二通孔与透明导电层电连接。在第一通孔对应的区域，第二电极与第二半导体层之间的钝化保护层可以起到电流阻挡的作用，不仅降低了LED芯片的成本，而且提高了LED芯片的发光效率；此外，在第二通孔处可以实现点式发光，进而可以提高LED芯片的亮度。
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公开(公告)号：CN107946427A
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201711158981.2
申请日：2017-11-20
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种具有高反射区和高导电区电极的发光二极管芯片，反射电极层的接触层由第一接触层和覆盖第一接触层的第二接触层组成，第一接触层包括多个实体区和相邻实体区之间的截断区，使得反射电极层对应实体区的区域的导电性高于对应截断区的区域的导电性为高导电区，且反射电极层对应截断区的区域的反射率高于对应实体区的区域的反射率的为高反射区，进而在保证反射电极层兼顾光提取和电流扩散的能力的同时，进一步提高光提取和电流扩散的能力。
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公开(公告)号：CN107680983A
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201711042353.8
申请日：2017-10-30
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L27/15 , H01L21/683
CPC classification number: H01L27/156 , H01L21/6838
Abstract: 本发明公开了一种Micro LED阵列器件、拾取装置及相关制作方法、转运方法，该Micro LED阵列器件的生长衬底远离所述发光二极管结构一侧具有磁性材料层，发光二极管结构上方具有粘结层。该Micro LED阵列器件拾取装置包括承载板及其表面的磁电材料层；与磁电材料层电连接的控制电路，位于所述磁电材料层表面上包括多个绝缘窗口和隔离块的绝缘窗口层。本发明由控制电路对拾取装置上的磁电材料层与在Micro LED阵列器件的磁性材料层之间磁性强弱的控制，从而实现Micro LED阵列器件的转移。
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公开(公告)号：CN205542859U
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201620209079.3
申请日：2016-03-18
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/22
Abstract: 一种具有侧壁微结构的氮化镓基发光二极管，涉及发光二极管的生产制造技术领域。本实用新型通过在ICP刻蚀后的台阶侧面形成周期性或非周期性的凹凸形表面结构，该侧壁微结构可以通过改变到达侧壁的光子的入射角，使更多的光子能够从芯片内出射，减少发生全反射的光子数，或者从另一方面来说，侧壁微结构可以通过改变微结构处的等效折射率，使微结构等效成一种增透结构，令侧壁的透射率更高，从而提升LED的亮度。
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