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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114171484B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202111049192.1
申请日：2021-09-08
Applicant: 千住金属工业株式会社
IPC: H01L23/492 , H01L23/498 , B23K35/24 , H01L23/00
Abstract: 本发明涉及芯材料、电子部件和凸点电极的形成方法。芯材料具有芯；设置在上述芯的外侧的包含Sn和选自Ag、Cu、Sb、Ni、Co、Ge、Ga、Fe、Al、In、Cd、Zn、Pb、Au、P、S、Si、Ti、Mg、Pd和Pt中的至少任一种以上元素的焊料合金的焊料层；和设置在上述焊料层的外侧的Sn层。上述焊料层的厚度为单侧1μm以上。上述Sn层的厚度为单侧0.1以上。上述Sn层的厚度为上述焊料层的厚度的0.215％以上且36％以下的厚度。
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公开(公告)号：CN114171484A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202111049192.1
申请日：2021-09-08
Applicant: 千住金属工业株式会社
IPC: H01L23/492 , H01L23/498 , B23K35/24 , H01L23/00
Abstract: 本发明涉及芯材料、电子部件和凸点电极的形成方法。芯材料具有芯；设置在上述芯的外侧的包含Sn和选自Ag、Cu、Sb、Ni、Co、Ge、Ga、Fe、Al、In、Cd、Zn、Pb、Au、P、S、Si、Ti、Mg、Pd和Pt中的至少任一种以上元素的焊料合金的焊料层；和设置在上述焊料层的外侧的Sn层。上述焊料层的厚度为单侧1μm以上。上述Sn层的厚度为单侧0.1以上。上述Sn层的厚度为上述焊料层的厚度的0.215％以上且36％以下的厚度。
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公开(公告)号：CN106862794B
公开(公告)日：2019-04-23
申请号：CN201610917148.0
申请日：2015-02-04
Applicant: 千住金属工业株式会社
IPC: B23K35/26 , B23K35/30 , C22C9/00 , C22C12/00 , C22C13/00 , C22C13/02 , C22F1/08 , H01B1/02 , H01L23/00
Abstract: 本发明涉及芯球、焊膏、成形焊料、助焊剂涂布芯球以及焊料接头。本发明提供抑制软错误的产生、设为在安装处理中不会成为问题的接合熔融温度的低α射线量的芯球、焊膏、成形焊料、助焊剂涂布芯球以及焊料接头。所述芯球作为核的金属粉为球体，作为金属粉使用Cu球时的纯度为99.9％以上且99.995％以下，Pb或Bi任一者的含量、或者Pb和Bi的总含量为1ppm以上，Cu球的球形度为0.95以上。覆盖于Cu球的焊料镀覆膜为Sn‑Bi系合金。焊料镀覆膜中所含的U为5ppb以下、Th为5ppb以下。芯球的α射线量为0.0200cph/cm2以下。
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公开(公告)号：CN108172523A
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201711286173.4
申请日：2017-12-07
Applicant: 千住金属工业株式会社
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L24/13 , B22F1/0003 , B22F1/025 , B22F2999/00 , B23K1/0016 , B23K35/0227 , B23K35/0244 , B23K35/26 , B23K35/262 , B23K35/264 , B23K2101/40 , C22C5/00 , C22C9/00 , C22C12/00 , C22C13/02 , C25D3/60 , C25D5/10 , C25D5/12 , C25D7/00 , H01L24/11 , H01L2224/11462 , H01L2224/11849 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/13116 , H01L2224/13117 , H01L2224/13118 , H01L2224/1312 , H01L2224/13123 , H01L2224/13124 , H01L2224/13138 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13149 , H01L2224/13155 , H01L2224/13157 , H01L2224/1316 , H01L2224/13166 , H01L2224/13169 , H01L2224/1317 , H01L2224/13171 , H01L2224/13179 , H01L2224/1318 , H01L2224/13561 , H01L2224/13582 , H01L2224/13611 , H01L2224/13613 , H01L2224/13655 , H01L2224/13657 , H01L2924/01014 , H01L2924/01032 , H01L2924/01057 , H01L2924/014 , H01L2924/3841 , H05K3/34 , C22C1/0483 , H01L24/10 , H01L24/12 , H01L24/81 , H01L2224/0401 , H01L2224/05099 , H01L2224/05139 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155
Abstract: 提供芯材料和半导体封装体和凸块电极的形成方法。该芯材料是将包含Sn和Bi的(Sn‑Bi)系软钎料合金在芯(12)的表面形成镀覆膜而得到的芯材料，其是软钎料镀覆层(16)中的Bi以规定范围的浓度比分布在软钎料镀覆层中的芯材料，是以Bi的浓度比在91.7～106.7％的规定范围内分布于软钎料镀覆层中的芯材料。软钎料镀覆层中的Bi是均匀的。因此，不会发生如下的情况：内周侧比外周侧更早发生熔融，在内周侧与外周侧产生体积膨胀差，使芯材料被弹飞。另外，软钎料镀覆层整体大致均匀地熔融，因此不会发生被认为是因熔融时机参差不齐而发生的芯材料的位置偏移，因此不存在伴随位置偏移等的电极间短路等担心。
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公开(公告)号：CN106862794A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201610917148.0
申请日：2015-02-04
Applicant: 千住金属工业株式会社
IPC: B23K35/26 , B23K35/30 , C22C9/00 , C22C12/00 , C22C13/00 , C22C13/02 , C22F1/08 , H01B1/02 , H01L23/00
CPC classification number: B23K35/025 , B23K35/0244 , B23K35/262 , B23K35/302 , C22C9/00 , C22C12/00 , C22C13/00 , C22C13/02 , C22F1/08 , H01B1/02 , H01L24/13 , H01L2224/13014 , H01L2224/13147 , H01L2224/13561 , H01L2224/13611 , H01L2224/13655 , H01L2224/13657 , H01L2924/01015 , H01L2924/01026 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01082 , H01L2924/01083 , H01L2924/0109 , H01L2924/01092 , H01L2924/014 , H01L2924/15311 , H01L2924/15321 , H01L2924/15331 , H01L2924/01028 , H01L2924/00011
Abstract: 本发明涉及芯球、焊膏、成形焊料、助焊剂涂布芯球以及焊料接头。本发明提供抑制软错误的产生、设为在安装处理中不会成为问题的接合熔融温度的低α射线量的芯球、焊膏、成形焊料、助焊剂涂布芯球以及焊料接头。所述芯球作为核的金属粉为球体，作为金属粉使用Cu球时的纯度为99.9％以上且99.995％以下，Pb或Bi任一者的含量、或者Pb和Bi的总含量为1ppm以上，Cu球的球形度为0.95以上。覆盖于Cu球的焊料镀覆膜为Sn‑Bi系合金。焊料镀覆膜中所含的U为5ppb以下、Th为5ppb以下。芯球的α射线量为0.0200cph/cm2以下。
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