公开(公告)号：CN108987262A

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201810602823.X

申请日：2018-06-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 渡部佳优 ,  冈正浩 ,  上田博一

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L21/0332 ,  C23C16/28 ,  C23C16/50 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02087 ,  H01L21/02233 ,  H01L21/0335 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/32055

Abstract: 本发明提供能够容易地除去硼膜并且能够局部选择性地除去微小部分的硼膜的除去方法和能够形成硼膜的微小图案的图案形成方法。包括：在氧化气氛下对通过CVD形成于基片上的硼膜整体地或者局部地进行热处理，使经过热处理的部分氧化的步骤；和利用水或者含有电解质离子的水溶液对硼膜的被氧化的部分进行除去的步骤。

公开(公告)号：CN103339733B

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201280006501.X

申请日：2012-01-23

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  东京毅力科创株式会社 ,  富士电机株式会社

Inventor： 寺本章伸 ,  神林宏 ,  上田博一 ,  两角友一朗 ,  原田豪繁 ,  长谷部一秀 ,  大见忠弘

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/31 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/786 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L21/02274 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/28264 ,  H01L23/564 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/51 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7787 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的半导体器件的制造方法是具有构成半导体层的GaN（氮化镓）的半导体器件的制造方法，其包括栅极绝缘膜形成工序（F），在具有GaN的氮化物层上，使用微波等离子体，形成由SiO2膜和Al2O3膜构成的组之中的至少一种膜，使所形成的膜成为栅极绝缘膜的至少一部分。

公开(公告)号：CN101523573B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200780037707.8

申请日：2007-09-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 上田博一 ,  堀込正弘

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/455 ,  C23C16/511

CPC classification number: C23C16/511 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/4558 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32238 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32623 ,  H01L21/31608

Abstract: 本发明提供一种能够维持高成膜速率，并且维持高度的膜厚的面内均匀性的等离子体成膜装置。这样的等离子体成膜装置具有可被抽真空的处理容器(44)、用于载置待处理体(W)的载置台(46)、被安装在顶部的由透过微波的电介体构成的顶板(88)、导入包含成膜用原料气体和辅助气体的处理气体的气体导入单元(54)、和为了导入微波而设在顶板侧的具有平面天线部件的微波导入单元(92)。气体导入单元具有：位于待处理体的中央部上方的原料气体用中央部气体喷射孔(112A)；和在待处理体的周边部上方，沿着待处理体的圆周方向排列的原料气体用的多个周边部气体喷射孔(114A)。在待处理体的上方的中央部气体喷射孔(112A)与周边部气体喷射孔(114A)之间，沿着圆周方向设有用于遮蔽等离子体的等离子体遮蔽部(130)。

公开(公告)号：CN101523573A

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200780037707.8

申请日：2007-09-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 上田博一 ,  堀込正弘

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/455 ,  C23C16/511

CPC classification number: C23C16/511 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/4558 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32238 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32623 ,  H01L21/31608

Abstract: 本发明提供一种能够维持高成膜速率，并且维持高度的膜厚的面内均匀性的等离子体成膜装置。这样的等离子体成膜装置具有可被抽真空的处理容器(44)、用于载置待处理体(W)的载置台(46)、被安装在顶部的由透过微波的电介体构成的顶板(88)、导入包含成膜用原料气体和辅助气体的处理气体的气体导入单元(54)、和为了导入微波而设在顶板侧的具有平面天线部件的微波导入单元(92)。气体导入单元具有：位于待处理体的中央部上方的原料气体用中央部气体喷射孔(112A)；和在待处理体的周边部上方，沿着待处理体的圆周方向排列的原料气体用的多个周边部气体喷射孔(114A)。在待处理体的上方的中央部气体喷射孔(112A)与周边部气体喷射孔(114A)之间，沿着圆周方向设有用于遮蔽等离子体的等离子体遮蔽部(130)。

公开(公告)号：CN101405843A

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200780009667.6

申请日：2007-10-04

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 上田博一 ,  野泽俊久

IPC: H01L21/285 ,  C23C14/34 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/2855 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/24612 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明是一种薄膜形成方法，其特征在于，该方法包括如下工序：在被处理体的表面上通过溅射形成用于防止充电损伤的防充电损伤膜的工序；在形成于被处理体的表面上的防充电损伤膜的表面上通过溅射形成所期望的薄膜的工序。

公开(公告)号：CN112652513B

公开(公告)日：2025-01-10

申请号：CN202011046684.0

申请日：2020-09-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 池田太郎 ,  上田博一 ,  镰田英纪 ,  芦田光利 ,  军司勋男

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明提供处理方法和等离子体处理装置，能够维持等离子体电子密度并且降低等离子体电子温度。在处理基片的处理容器内使用等离子体进行的处理方法，其包括：将气体供给到上述处理容器内的步骤；和对上述处理容器内间歇地供给从多个微波导入组件输出的微波的功率的步骤，上述间歇地供给微波的功率的步骤，周期性地使多个上述微波导入组件的所有微波的功率的供给成为关断给定时间的状态。

公开(公告)号：CN115485866A

公开(公告)日：2022-12-16

申请号：CN202180032593.8

申请日：2021-08-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 秋山浩二 ,  永井洋之 ,  岩下光秋 ,  上田博一

IPC: H01L37/00 ,  F25B21/02

Abstract: 一种热效应元件,具有:容器,其包括第一壁部和与上述第一壁部相对的第二壁部；离子液体,其容纳于上述容器内；第一电极,其设于上述第一壁部的外表面；以及可动电极,其在上述离子液体中以可移动的方式设置。

公开(公告)号：CN108220922A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201711274133.8

申请日：2017-12-06

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 上田博一 ,  冈正浩 ,  石川拓 ,  渡部佳优 ,  米泽周平

IPC: C23C16/517 ,  C23C16/455 ,  C23C16/28

Abstract: 本发明涉及应用于半导体装置的成膜方法、硼膜以及成膜装置。在被调整为处理容器(2)内为0.67Pa～33.3Pa即5mTorr～250mTorr的范围内的压力的处理氛围中供给包含含硼气体的反应气体、例如B2H6气体和He气体，并使反应气体等离子体化。利用该等离子体，在晶圆形成硼膜。通过利用等离子体的能量进行成膜，能够使成膜处理时的温度下降，由此能够抑制热的影响地形成硼膜。硼膜的蚀刻耐性强、具备高的蚀刻选择比，因此作为半导体装置材料是有用的。

公开(公告)号：CN103339733A

公开(公告)日：2013-10-02

申请号：CN201280006501.X

申请日：2012-01-23

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  先进动力设备技术研究协会 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 寺本章伸 ,  神林宏 ,  上田博一 ,  两角友一朗 ,  原田豪繁 ,  长谷部一秀 ,  大见忠弘

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/31 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/786 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L21/02274 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/28264 ,  H01L23/564 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/51 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7787 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的半导体器件的制造方法是具有构成半导体层的GaN（氮化镓）的半导体器件的制造方法，其包括栅极绝缘膜形成工序（F），在具有GaN的氮化物层上，使用微波等离子体，形成由SiO2膜和Al2O3膜构成的组之中的至少一种膜，使所形成的膜成为栅极绝缘膜的至少一部分。

公开(公告)号：CN101861641B

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN200880116223.7

申请日：2008-10-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 上田博一 ,  西塚哲也 ,  野沢俊久 ,  松冈孝明

IPC: H01L21/3065 ,  C23C16/511 ,  H05H1/46

CPC classification number: C23C16/511 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32266 ,  H01J37/32954 ,  H05H1/46

Abstract: 等离子体处理装置11包括：天线部13，其将微波作为等离子体源，并且生成等离子体以在腔室内形成等离子体的电子温度相对高的第一区域25a和等离子体的电子温度比第一区域25a低的第二区域25b；第一配置单元，其使半导体衬底W位于第一区域25a内；第二配置单元，其使半导体衬底W位于第二区域25b内；以及停止等离子体生成单元，其在使半导体衬底W位于第二区域25b的状态下，使得由等离子体生成单元进行的等离子体的生成停止。