公开(公告)号：CN103339733A

公开(公告)日：2013-10-02

申请号：CN201280006501.X

申请日：2012-01-23

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  先进动力设备技术研究协会 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 寺本章伸 ,  神林宏 ,  上田博一 ,  两角友一朗 ,  原田豪繁 ,  长谷部一秀 ,  大见忠弘

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/31 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/786 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L21/02274 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/28264 ,  H01L23/564 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/51 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7787 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的半导体器件的制造方法是具有构成半导体层的GaN（氮化镓）的半导体器件的制造方法，其包括栅极绝缘膜形成工序（F），在具有GaN的氮化物层上，使用微波等离子体，形成由SiO2膜和Al2O3膜构成的组之中的至少一种膜，使所形成的膜成为栅极绝缘膜的至少一部分。

公开(公告)号：CN103262225A

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN201280004168.9

申请日：2012-01-23

Applicant: 先进动力设备技术研究协会 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 神林宏 ,  寺本章伸 ,  大见忠弘

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/28 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/66666 ,  H01L21/30621 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/51 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/7786

Abstract: 提供一种半导体装置的制造方法，其具有：第1牺牲层形成工序，形成与第1半导体层的至少一部分接触、第1半导体层中所包含的杂质的固溶度比第1半导体层高的第1牺牲层；退火工序，对第1牺牲层及第1半导体层进行退火；除去工序，用湿法工艺除去第1牺牲层；形成覆盖第1半导体层的至少一部分的绝缘层的工序，及对第1半导体层的一部分进行蚀刻的工序的至少一个工序；形成与第1半导体层电性地连接的电极层的电极形成工序。

公开(公告)号：CN102792422A

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201180011875.6

申请日：2011-03-02

Applicant: 先进动力设备技术研究协会 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 神林宏 ,  寺本章伸 ,  大见忠弘

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/417 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/28575 ,  H01L21/28264 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/452 ,  H01L29/66522

Abstract: 一种半导体晶体管的制造方法，在由GaN系的半导体构成的活性层上形成欧姆电极，该半导体晶体管的制造方法具备：在活性层(3)上形成由钽氮化物构成的第1层(11)、和层叠于第1层(11)上的由Al构成的第2层(12)的工序；通过以520℃以上、600℃以下的温度来对第1以及第2层(11、12)进行热处理，来形成与活性层(3)取得欧姆接触的欧姆电极(9s、9d)的工序。

公开(公告)号：CN102792449A

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201180011856.3

申请日：2011-03-02

Applicant: 先进动力设备技术研究协会 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 神林宏 ,  上野胜典 ,  野村刚彦 ,  佐藤义浩 ,  寺本章伸 ,  大见忠弘

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/28264 ,  C23C16/403 ,  C23C16/4488 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02277 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明的半导体晶体管具备：由GaN系的半导体构成的活性层、以及形成于活性层上的栅极绝缘膜。栅极绝缘膜具有：形成于活性层上且包含从由Al2O3、HfO2、ZrO2、La2O3、以及Y2O3构成的群中选出的1种以上的化合物在内的第1绝缘膜、以及形成于第1绝缘膜上且由SiO2构成的第2绝缘膜。

公开(公告)号：CN103299405A

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201280004925.2

申请日：2012-01-23

Applicant: 先进动力设备技术研究协会 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 神林宏 ,  寺本章伸 ,  大见忠弘

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/20 ,  H01L21/306 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L21/30604 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/302 ,  H01L21/30621 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/51 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/7827

Abstract: 提供一种用于制造氮化镓系半导体装置的半导体装置的制造方法，所述制造方法包括以下工序：第1半导体层形成工序，形成由氮化镓系半导体形成的第1半导体层；以及凹进部形成工序，使用溴系气体通过微波等离子工艺对第1半导体层的一部分进行干式蚀刻，从而形成凹进部。

公开(公告)号：CN101903562B

公开(公告)日：2013-11-27

申请号：CN200880122240.1

申请日：2008-12-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  后藤哲也 ,  田中宏治

IPC: C23C16/511 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L31/18 ,  C23C16/24 ,  C23C16/511 ,  H01L31/028 ,  H01L31/04 ,  H01L31/0745 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1812 ,  H01L31/1816 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供了一种能够通过微波等离子体进行高效/快速成膜、并且防止氧的混入、且降低缺陷数的光电转换元件制造装置和方法以及光电转换元件，本发明涉及在衬底(W)上通过微波等离子体CVD法来形成半导体的层积膜的光电转换元件制造装置(100)，所述光电转换元件制造装置(100)包括：腔室(10)，所述腔室(10)是密闭空间，并且所述腔室(10)中内置有载放衬底的基座，所述衬底(W)是要形成薄膜的对象；第一气体供应部(40)，其对所述腔室(10)内的等离子体激发区域提供等离子体激发气体；调压部(70)，其调整所述腔室(10)内的压力；第二气体供应部(50)，其对所述腔室(10)内的等离子体扩散区域提供原料气体；微波施加部(20)，其将微波导入到所述腔室(10)内；以及偏置电压施加部(60)，其对所述衬底(W)根据所述气体种类来选择并施加衬底偏置电压。

公开(公告)号：CN101952974A

公开(公告)日：2011-01-19

申请号：CN200980105047.1

申请日：2009-02-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 若山惠英 ,  茂山和基 ,  大见忠弘 ,  寺本章伸

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/048 ,  H01L31/02167 ,  Y02B10/12 ,  Y02E10/50

Abstract: 公开的是一种太阳能电池，其包含一种形成在基材上的太阳能电池半导体薄膜，一种透明导电膜形成在半导体薄膜上，和覆盖了透明导电膜的上表面的含氮水分扩散防止膜。水分扩散防止膜的最好至少由氮化硅膜或碳氮化硅(SiCN)膜组成。

公开(公告)号：CN101425503B

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN200810173026.0

申请日：2008-10-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 根本刚直 ,  寺本章伸 ,  大见忠弘

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L23/53238 ,  C23C14/0641 ,  C23C14/345 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，可以抑制对层间绝缘膜的损伤，且通过溅射形成以钽为主要成分的阻挡膜。该制造方法具备在层间绝缘膜(113)上通过使用氙气的溅射，形成以钽或氮化钽为主要成分的阻挡膜(116)的溅射成膜工序。溅射成膜工序也可以具备：在层间绝缘膜(113)上，通过对基板施加RF偏压而进行的使用氙气的溅射来形成以氮化钽为主要成分的阻挡膜(116A)的工序；通过不施加RF偏压而进行的使用氙气的溅射，在阻挡膜(116A)上形成以钽为主要成分的阻挡膜(116B)的工序。阻挡膜(116)也可以通过使RF偏压连续地变化，在层间绝缘膜(113)一侧施加RF偏压来形成，在布线层(117)一侧不施加RF偏压来形成。

公开(公告)号：CN101194345B

公开(公告)日：2010-05-19

申请号：CN200680020281.0

申请日：2006-06-07

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  本多稔 ,  中西敏雄

IPC: H01L21/318

CPC classification number: H01L21/3185

Abstract: 本发明的等离子体氮化处理方法，由具有多个缝隙的平面天线将微波导入处理容器内，形成含氮气体的微波激发高密度等离子体，在等离子体处理装置的处理容器内，使该高密度等离子体作用于被处理体表面的硅，在500℃以上的处理温度下进行氮化处理。

公开(公告)号：CN109468613A

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201811000943.9

申请日：2018-08-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 清水亮 ,  石井胜利 ,  寺本章伸 ,  诹访智之 ,  志波良信

IPC: C23C16/34 ,  C23C16/48

Abstract: 本发明涉及成膜装置以及成膜方法，提供抑制对晶片的损伤，并以低温形成高品质的氮化硅膜的技术。当对在处理容器(1)内载置的晶片W供给Si2H6气体和NH3气体来形成SiN膜时，针对NH3气体，进行在与Si2H6气体反应前照射紫外线的远程紫外线照射，并供给至处理容器1内。因此，能够利用活化的NH3气体和Si2H6气体在较低的加热温度下在晶片W形成高品质的氮化硅膜。而且，由于设为对向处理容器1内导入前的NH3气体照射紫外线的远程紫外线处理，所以能够不对晶片W照射紫外线并抑制晶片W的损伤。