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公开(公告)号：CN107677970A
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201710709718.1
申请日：2017-08-18
Applicant: 上海精密计量测试研究所
CPC classification number: G01R31/40 , G01R19/0092
Abstract: 本发明提供一种基于自动测试设备的DAC动态电源电流的测试系统，包括：DAC；自动测试设备，包括第一电压电流源模块和第二电压电流源模块，在所述DAC的电源管脚和所述第一电压电流源模块之间串联一个电阻，所述第二电压电流源模块设置为高阻模式。还提供一种对应的测试方法。本发明提供的基于自动测试设备的DAC动态电源电流的测试系统巧妙地利用了电阻的作用，将电流测试转化为电压测试，避免了电流测试中由于不同模式下测试量程不同所产生的冲突。其测试方法能够实现高精度、高可靠性、重复性好的量产测试，解决了DAC量产测试时由于动态电流的测试量程冲突引发的设备报警。
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公开(公告)号：CN106847343A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201611122146.9
申请日：2016-12-08
Applicant: 上海精密计量测试研究所 , 上海航天信息研究所
IPC: G11C29/56
CPC classification number: G11C29/56 , G11C2029/5606
Abstract: 本发明提供一种基于自动测试设备的MARM存储器的测试方法，所述测试方法包括：步骤S1，将自动测试设备与MARM 存储器电连接；步骤S2，对MRAM存储器进行全芯片存储单元读写功能验证；步骤S3，根据MARM存储器工作参数设定要求，对MARM存储器进行直流参数验证和交流参数验证。本发明提供的方法利用自动测试设备针对MARM存储器进行测试，能够发现MARM存储器的故障，所述测试方法能够检测MARM存在的各种可能的失效模式，包括：全芯片存储单元读写功能验证；直流参数验证和交流参数验证。
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公开(公告)号：CN106526454A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201611042197.0
申请日：2016-11-24
Applicant: 上海精密计量测试研究所 , 上海航天信息研究所
IPC: G01R31/28
CPC classification number: G01R31/2834 , G01R31/2868
Abstract: 本发明提供一种基于ATE的FPGA配置芯片的测试方法，其特征在于，包括：设定器件工作电源、输入电平、输出电平、参考电平、负载电流的值，设定器件的上电次序，设定器件的地址信号、控制信号和数据信号的数据格式、时序、通道和控制寄存器的分配，分别进行全芯片的擦除与验证、单个扇区的擦除与验证、写状态寄存器验证、读芯片ID验证、全芯片存储单元的读写功能验证、写保护验证、直流参数验证以及交流参数验证。本发明提出的基于ATE的FPGA配置芯片的测试方法，基于T5385ES超大规模集成电路存储器测试系统，针对EPCS16SI8N编写专用的测试图形，完成对EPCS16SI8N的测试，检测其可能存在的失效模式。
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公开(公告)号：CN117890758A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202311757259.6
申请日：2023-12-20
Applicant: 上海精密计量测试研究所
Abstract: 本发明提供一种FPGA芯片高温筛选测试装置，包括工装socket、温控板、接口板和ATE设备；所述工装socket内设置有热敏电阻、大功率加热电阻和风扇；所述接口板上设置有信号接口；所述温控板通过金手指接插件与接口板进行信号交互，温控板通过接口板和ATE设备在硬件上形成通讯链路；通过所述温控板进行FPGA芯片的温度控制，并将温控效果自动反馈给所述ATE设备，当检测到芯片温度达到测试要求时，机台端自动开始测试。本发明提供的FPGA芯片高温筛选测试装置及其测试方法减少了人工操作，简化了测试流程，节省了占地面积。
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公开(公告)号：CN109580305B
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201811509557.2
申请日：2018-12-11
Applicant: 上海精密计量测试研究所 , 上海航天信息研究所
IPC: G01N1/28
Abstract: 一种横向元器件制样研磨的方法，该方法步骤如下：步骤一、根据元器件的高度首先确定样品高度，并在制样前于模具内侧标记第一高度，以及第二高度，确保元器件位于样品高度上的中心；步骤二、按要求配置环氧树脂，并将环氧树脂加至模具内的第一高度处；步骤三、待环氧树脂固化后，将元器件横向置于其表面的正中心处；步骤四、再次将环氧树脂加至第二高度，此时元器件位于样品高度上的中心；步骤五、固化后完成制样，新方法与传统制样方法相比，样品体积会有效减小；步骤六、粗磨；步骤七、精磨：使用细砂纸进行精磨，直至形貌达到最佳观测效果；步骤八、抛光：用抛光液及相匹配的抛光布抛光，直至形貌达到最佳观测效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109032023B
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN201810895725.X
申请日：2018-08-08
Applicant: 上海精密计量测试研究所 , 上海航天信息研究所
IPC: G05B19/042
Abstract: 本发明提供FPGA内部DCM、PLL的内建自测方法，包括：利用DCM或PLL包含多个在相位上为同步的输出时钟信号为前提，分别用第一计数器counter1和第二计数器counter2对第一输出时钟信号CLK_OUT1和第二输出时钟信号CLK_OUT2进行计数；对第一计数器counter1和第二计数器counter2进行比较，在较慢(即频率较低)的输出时钟信号的上升沿，较快计数器的数值为较慢计数器的数值的n倍，n为快时钟与慢时钟的频率之商，若不是，则DCM或PLL功能不正常。本发明实现了FPGA内建自测，且对于可在线改变DCM或PLL输出时钟频率的FPGA，能够在以预设的步进自动对DCM、PLL输出频率的范围进行扫描，仅需一个FPGA配置文件(或烧写文件)即可实现。
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公开(公告)号：CN108267298A
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201711223104.9
申请日：2017-11-29
Applicant: 上海精密计量测试研究所 , 上海航天信息研究所
IPC: G01M11/02
CPC classification number: G01M11/00
Abstract: 本发明提供了一种CMOS图像传感器光谱响应空间辐射损伤的测试设备及其方法：利用溴钨灯等卤素灯光源发出光，经过积分球无数次反射后输出均匀光，均匀光通过滤波轮上不同的滤光片变成不同波长的单色光，调整放置在三维样品调整台上的待测CMOS图像传感器，使不同波长的单色光照射在光敏面上，根据所采集的图像信息得出CMOS图像传感器的光谱响应，再将CMOS图像传感器受高能粒子辐照后，再进行一次测试，得到器件的光谱响应辐射损伤。本发明能够对CMOS图像传感器光谱响应的辐射损伤进行定量的分析评价，为星用CMOS图像传感器的选型、抗辐射加固设计以及器件受辐照后光响应性能退化的机理研究提供检测手段。
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公开(公告)号：CN105471431A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201510906010.6
申请日：2015-12-09
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: H03M1/10
CPC classification number: H03M1/1071
Abstract: 本发明涉及集成电路模数转换器ADC测试方法，在不使用高纯度或高精度的激励信号源的情况下却能精确测试模数转换器ADC差分线性误差DNL积分线性误差INL数学模型及计算方法和性能的测试电路模型。本发明要解决的技术问题是低精度正弦波信号源，其各谐波相位均匀分布，符合实际应用中产生的低精度正弦信号，由于各谐波相位均匀分布，意味被测ADC可以激励信号任意时刻开始，让低精度正弦激励信号通过简单分压电路，利用被测ADC的电平转换，建立分压前后的激励信号之间的联系，从而获得精确估出激励信号源的参数，进一步估出高精度和高精确度的被测ADC特性参数方法。使得使用一般低精度信号去精确测量ADC静态参数成为可能。
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公开(公告)号：CN108258376B
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN201711223117.6
申请日：2017-11-29
Applicant: 上海精密计量测试研究所 , 上海航天信息研究所
Abstract: 本发明提供了一种微波不等分功率分配器的设计方法。当工作频率升高，微带线的物理长度变小，高隔离度不等分功分器利用传统方式难以实现。本发明利用低温共烧陶瓷工艺将微波电路和隔离电阻一次烧成，功分器由T型枝节、隔离电阻、弯折的360°电压传递微带线、阻抗变换微带线和测试端口组成。本发明通过增加电长度为360°传输线解决了功分器和电阻的连接问题和隔离问题，与现有的电长度为270°的微带功分器技术方案相比较，电路尺寸减小且减少了插入损耗；与现有的不附加隔离电阻的技术方案相比较，本发明设计的微波/毫米波不等分功分器提供了较高的隔离度。
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公开(公告)号：CN108258379B
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN201711201252.0
申请日：2017-11-27
Applicant: 上海精密计量测试研究所 , 上海航天信息研究所
Abstract: 本发明提供了一种基于LTCC技术的毫米波3D同轴传输线设计制造方法，LTCC技术是一种多层布线、立体互连技术，可实现100层的陶瓷基片烧结。本发明采用在毫米波频段内低损耗的Ferro A6M陶瓷材料作为基片，在单层基片上利用激光工艺加工准直度和形貌均良好的通孔，利用激光对准技术将多个通孔进行高精度对准，利用圆形保护焊盘将多个填充了金属浆料单层的通孔互连，叠加成所需要的高度的长通孔；利用环形保护焊盘将外围的长通孔互连，两者围绕成网状结构充当外导体，从而构建3D结构的毫米波同轴传输线。仿真结果显示，新型高可靠性同轴传输线可工作至300 GHz。
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