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公开(公告)号：CN114976810A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210047734.X
申请日：2022-01-17
Applicant: 上海精密计量测试研究所
Abstract: 本发明提供了一种超微矩形电连接器0.28mm弹性绞线插针的加工工艺方法，其特征在于，包括下述步骤：步骤一、进行铜丝清洗除油、铜丝预镀、绞线、校直工序；步骤二、进行激光切割、激光焊接工序；步骤三、进行鼓腰、整形、挑选、清洗除油、时效工序；步骤四、进行镀金及镀后检查工序；步骤五、进行检查外观工序；步骤六、进行插拔试力、挑选和检验入库工序。本发明可适用于0.635mm接点间距超微矩形电连接器0.28mm弹性绞线插针的加工，解决了针头熔焊点塌陷、褶皱、变形的问题，显著提升了针头表面镀层质量，采用本发明工艺方法加工的针头熔焊点饱满、圆润光滑，镀层连续致密且光亮，且耐硝酸腐蚀能力从原状态5min提升到17min，能满足宇航使用含氟导线等耐环境要求。
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公开(公告)号：CN118131020A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410398464.6
申请日：2024-04-03
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明提供一种预测BGA塑封器件焊球温度循环寿命的方法，包括：选取通过车规级AEC认证的BGA塑封器件，获得温度循环失效器件序数和失效周期；定位BGA焊球失效区域，结合X射线和剖面研磨确定其失效模式；计算特定次数温度循环试验条件下发生失效的器件数量；给出通过车规级AEC认证的BGA塑封器件温度循环本征寿命区间[Bmin，Bmax]；计算通过车规级AEC认证的BGA塑封器件温度循环本征平均寿命区间[Pmin，Pmax]；比较后给出未经AEC认证试验器件是否能满足AEC温度循环试验可靠性的结论。本发明解决了传统方法无法基于有限的实验数据准确预测特定置信度下BGA塑封器件温度循环寿命的问题。
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公开(公告)号：CN117648902A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202311486006.X
申请日：2023-11-09
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G06F30/398 , G16C60/00 , G06F111/08 , G06F111/10 , G06F119/06 , G06F119/08 , G06F119/14
Abstract: 一种基于SiC‑VDMOSFET器件的单粒子烧毁的仿真方法，其步骤：a、获得所针对建模的SiC‑VDMOSFET器件元胞的结构参数及掺杂参数；b、对三维器件模型合理划分网格；c、采用TCAD中SiC材料专用的物理模型对所建立的三维器件模型先进行电参数校准；d、通过SRIM蒙特卡罗计算所仿真的重离子对象在SiC材料中不同透射深度下的LET值；e、建立三维圆柱状单粒子轰击模型解决了在传统二维单粒子仿真中的第三维度相当于二维形状的延展；f、在TCAD仿真中添加通过源漏界面处晶格温度不超过Ni熔点，作为单粒子烧毁的判据之一；g、沿着离子入射轨迹采集其不同时间下沿着入射深度电场强度以及电流密度的分布曲线，并将同一时刻两者相乘来表征在该时刻下不同位置所承受体积功率密度冲击的强度。
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公开(公告)号：CN117113894A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202311049359.3
申请日：2023-08-18
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G06F30/3308 , G06F30/337 , G06F30/398
Abstract: 本发明的一种电路结构的单粒子效应数值仿真方法，能够在不开展地面辐照试验的情况下，通过数值仿真得到电路结构中的单粒子效应响应情况。该方法主要利用计算机辅助仿真工具对电路结构进行结构和物理建模，并辅助以半导体测试方法提取真实电路结构的电学参数信息，完成对实际物理过程的仿真。首先测量集成电阻的物理尺寸，根据实际尺寸对集成电阻进行结构建模；接着为模型添加物理过程，使数值仿真根据物理模型求解；然后测量集成电阻电阻的实际电阻值，根据实际电阻值为建立的模型进行校准。最后优化模型的数值仿真求解过程，提高数值仿真的精度和速度，不需要对电阻器开展价格昂贵的辐照试验，避免了试验过程中的试验误差，成本低、操作简单。
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公开(公告)号：CN114408309B
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202111536195.8
申请日：2021-12-14
Applicant: 上海精密计量测试研究所
Abstract: 本发明提供了一种带交联乙烯‑四氟乙烯导线的组件的防腐蚀包装方法，其特征在于，其包括以下步骤：S1、导线前处理：包括将剪好的导线放入烘箱中进行热处理；S2、导线组件包装：包括将热处理过的导线组装成导线组件后进行单元包装，所述单元包装采用自封袋打孔包装或者真空干燥包装。本发明通过对X‑ETFE导线进行前处理将氟元素提前释放，并通过采用自封袋打孔的包装方法，使得包装内含氟物质通过打孔向外散发，从而降低电连接器金属零件的腐蚀速率；或者采用真空干燥包装方法，除去空气中的水气，以有利于延长贮存时间，有效解决了腐蚀的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114355228A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202111512529.8
申请日：2021-12-11
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G01R31/40
Abstract: 本发明涉及光纤通信模块单粒子效应测试系统和方法，移动靶、重离子枪、FPGA和第二中继器均置于真空辐照室内；被测光纤通信模块安装在移动靶上；SMA接头设置在真空辐照室舱壁上；被测光纤通信模块一路通道连接至SMA接头，再连接至误码仪；被测光纤通信模块其余通道连接FPGA，FPGA通过DB9串口连接至数据采集计算机；电源为被测光纤通信模块和FPGA提供直流稳定电压；主控计算机与电源连接；主控计算机、通讯板、第一中继器依次连接，第一中继器又通过DB9串口第二中继器与被测光纤通信模块内部寄存器连接。本发明涉及光纤通信模块单粒子效应测试系统和方法，能够对光纤通信模块的单粒子效应进行测试。
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公开(公告)号：CN114976810B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202210047734.X
申请日：2022-01-17
Applicant: 上海精密计量测试研究所
Abstract: 本发明提供了一种超微矩形电连接器0.28mm弹性绞线插针的加工工艺方法，其特征在于，包括下述步骤：步骤一、进行铜丝清洗除油、铜丝预镀、绞线、校直工序；步骤二、进行激光切割、激光焊接工序；步骤三、进行鼓腰、整形、挑选、清洗除油、时效工序；步骤四、进行镀金及镀后检查工序；步骤五、进行检查外观工序；步骤六、进行插拔试力、挑选和检验入库工序。本发明可适用于0.635mm接点间距超微矩形电连接器0.28mm弹性绞线插针的加工，解决了针头熔焊点塌陷、褶皱、变形的问题，显著提升了针头表面镀层质量，采用本发明工艺方法加工的针头熔焊点饱满、圆润光滑，镀层连续致密且光亮，且耐硝酸腐蚀能力从原状态5min提升到17min，能满足宇航使用含氟导线等耐环境要求。
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公开(公告)号：CN118209149A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410373385.X
申请日：2024-03-29
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G01D18/00
Abstract: 本发明公开了批量化光电探测器宽温域下参数原位测试装置及试验方法，测试装置包括：光源、拆换法兰盘、滤波轮、隔热玻璃、高低温试验箱、测试板、三维运动模组、Y轴伺服电机、环境控制装置、X轴伺服电机、操作台。三维运动模组安装在高低温试验箱内部底座上，X轴伺服电机和Y轴伺服电机组分别与三维运动模组连接，测试板安装在三维运动模组的平台上。本发明通过创新性试验装置的设计，实现了宽温域试验条件下的原位测试，解决了传统光电探测器在进行宽温域变化的试验项目时，需要在多台设备间转移的问题；同时实现了测试板对待测光电器件一对多的控制，降低了试验成本，并通过试验方法设计，保证了对光电探测器批量化试验中测试条件的一致性。
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公开(公告)号：CN114414971B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202111530294.5
申请日：2021-12-14
Applicant: 上海精密计量测试研究所
Abstract: 本发明提供了一种基于CMOS图像传感器暗电流来定量质子电离损伤的方法，包括第一步，选取2只同晶圆批的CMOS图像传感器，分为A组、B组，第二步，对A组的CMOS图像传感器进行70MeV质子辐照试验；第三步，对A组CMOS图像传感器进行结构分析；第四步，采用粒子输运软件Geant4计算非电离能损，计算出位移损伤剂量；第五步，采用粒子输运软件Geant4计算非电离能损，根据位移损伤剂量计算出对应的中子注量Fni；第六步，对B组的CMOS图像传感器进行反应堆中子辐照试验；第七步，计算空间质子电离损伤△μi，△μi＝μAi‑μBi；第八步，拟合△μi‑Fpi的变化曲线。本发明消除位移损伤的影响、定量评价质子电离损伤，精准预判器件在轨性能退化趋势，提前做好防护措施，对航天器在轨安全运行具有重要意义。
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公开(公告)号：CN117872073A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202311695083.6
申请日：2023-12-11
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G01R31/26 , G01R1/36 , G05B19/042
Abstract: 本发明公开了一种绝缘栅极双极性晶体管环境试验的高压偏置系统，系统采用集成化设计，将开关电路控制模块，开关指令模块和保护电路模块集成于一体。实现在IGBT器件环境可靠性试验过程中对试验系统的保护；实现在线对高压偏置下受试器件的切换功能，避免了因为对受试验器件偏置切换而中环境试验，提高了功率半导体器件环境可靠性试验的效率和安全性。该技术提高了IGBT器件环境可靠性试验的效率，同时保证了IGBT器件在环境可靠性试验中高压偏置下的安全性。本发明的设计方法简单易懂，工程实现容易，对功率半导体器件环境可靠性试验偏置电路的设计具有重要的工程应用价值。
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