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公开(公告)号：CN111007078B
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN201911091011.4
申请日：2019-11-09
Applicant: 上海精密计量测试研究所
Abstract: 本发明涉及片式钽电容器及其阴极二氧化锰层质量控制方法，包括对样品进行剖面制样，再对制样剖面镜检；剖面镜检中对阴极二氧化锰层质量进行检查，检查是否满足如下要求：阴极二氧化锰层内无尺寸大于钽芯短边1/4的局部分层或空洞；对于A壳或B壳尺寸产品，阴极二氧化锰层内尺寸小于钽芯短边1/4、大于钽芯短边1/6的局部分层或空洞的数量＜4，且不集中在一边；对于C壳及以上尺寸产品，阴极二氧化锰层内尺寸小于钽芯短边1/4、大于钽芯短边1/8的局部分层或空洞的数量＜4，且不集中在一边。本发明增加阴极二氧化锰层质量控制要求，避免存在类似“固有局部电应力集中”的片式钽电容器用于产品，保证产品装机后的可靠性。
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公开(公告)号：CN111337810A
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN202010207223.0
申请日：2020-03-23
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明的SMD-3封装功率器件热阻测试装置包括散热基板、环氧框架和电极引出组件；所述环氧框架安装在所述散热基板上；待测SMD-3封装功率器件置于所述环氧框架内，待测SMD-3封装功率器件的第二引出端电极与所述散热基板接触，该第二引出端电极两侧的第一引出端电极和第三引出端电极通过所述电极引出组件与所述热阻测试仪连接；第一引出端电极和第三引出端电极与所述散热基板隔开。本发明的SMD-3封装功率器件热阻测试装置解决了SMD-3封装功率半导体器件热阻测试的问题。
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公开(公告)号：CN111337809A
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN202010207220.7
申请日：2020-03-23
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明的TO-254/257封装功率器件热阻测试装置包括散热基板、环氧固定底座、第一金属模块、第二金属模块、第三金属模块和环氧固定压块；环氧固定底座安装在散热基板上；第一金属模块和第三金属模块安装在环氧固定底座；第二金属模块设置在环氧固定底座与所述散热基板之间；待测TO-254/257封装功率器件置于散热基板上，待测器件的第一管脚和第三管脚分别与第一金属模块和第三金属模块连接，待测器件的第二管脚与第二金属模块连接；环氧固定压块与环氧固定底座连接，使待测器件的三个管脚与对应的金属模块压紧；第一金属模块、第二金属模块和第三金属模块均与热阻测试仪连接。
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公开(公告)号：CN114894838B
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202210477014.7
申请日：2022-05-02
Applicant: 上海精密计量测试研究所
Abstract: 本发明的定量评估NMOS晶体管焊料层孔隙安全分布区域的方法包括：制备一系列焊料层孔隙率相同、孔隙分布位置不同的标定样品；通过超声波扫描显微镜验证各标定样品焊料层孔隙分布情况；采用瞬态热阻法获得孔隙位置与热阻参数的关系；根据孔隙位置与热阻参数的关系，确定焊料层孔隙的安全分布范围。本发明根据焊料孔隙‑芯片焊盘中心点间距，定量确定焊料层孔隙的安全分布区域，剔除含有显著影响散热性能孔隙的器件，保留含有不显著影响散热性能孔隙的器件，减少NMOS晶体管不必要的批退、返厂和报废，提升NMOS晶体管的利用率，解决了传统方法无法定量评估焊料孔隙位置对NMOS晶体管散热性能影响程度的不足。
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公开(公告)号：CN114976810A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210047734.X
申请日：2022-01-17
Applicant: 上海精密计量测试研究所
Abstract: 本发明提供了一种超微矩形电连接器0.28mm弹性绞线插针的加工工艺方法，其特征在于，包括下述步骤：步骤一、进行铜丝清洗除油、铜丝预镀、绞线、校直工序；步骤二、进行激光切割、激光焊接工序；步骤三、进行鼓腰、整形、挑选、清洗除油、时效工序；步骤四、进行镀金及镀后检查工序；步骤五、进行检查外观工序；步骤六、进行插拔试力、挑选和检验入库工序。本发明可适用于0.635mm接点间距超微矩形电连接器0.28mm弹性绞线插针的加工，解决了针头熔焊点塌陷、褶皱、变形的问题，显著提升了针头表面镀层质量，采用本发明工艺方法加工的针头熔焊点饱满、圆润光滑，镀层连续致密且光亮，且耐硝酸腐蚀能力从原状态5min提升到17min，能满足宇航使用含氟导线等耐环境要求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111474465B
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202010341888.0
申请日：2020-04-27
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G01R31/311 , G01R1/04
Abstract: 本发明涉及用于EMMI分析的扁平封装半导体器件夹具及分析方法，夹具包括PCB基板、排针、底座、底座插针、簧片阵列、压杆和杆套；底座设置在PCB基板上；底座上设有两列所述簧片阵列；杆套设置在PCB基板上，压杆与杆套连接；待分析扁平封装半导体器件置于底座上，器件两侧的两管脚阵列分别与两列簧片阵列对接，压杆一端部紧压在器件的边框上，使器件管脚阵列与簧片阵列压紧连接；PCB基板上排布有微带引线，簧片阵列通过底座插针与微带引线连接，微带引线与排针连接。本发明的用于EMMI分析的扁平封装半导体器件夹具及分析方法，既能保证扁平封装半导体器件管脚与夹具良好连接，又能使扁平封装半导体器件的芯片充分暴露。
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公开(公告)号：CN111273164B
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202010165155.6
申请日：2020-03-11
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G01R31/311 , G01R31/28
Abstract: 本发明公开了一种电压调整器动态EMMI分析系统及分析方法,包括：EMMI平台、PCB基板、外部电源、信号发生器、V‑I源。PCB基板置于EMMI平台上，PCB基板上通过插针安装有夹具一和夹具二，PCB基板包括信号端、电源端、公共地、负载端4个端口，4个端口分别与信号发生器、外部电源、系统地、V‑I源相连，夹具一和夹具二分别用以安装失效电压调器和正常电压调整器。通过包含外部电源、信号发生器、V‑I源在内的动态EMMI分析系统，能够使电压调整器内部器件进入工作状态，从而有效激发能够被微光显微镜获所取的缺陷。将失效电压调整器和正常电压调整器进行相同方式的加电，并且通过开关进行统一切换，能够快速实现动态EMMI图像的对比。
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公开(公告)号：CN212207568U
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN202020374303.0
申请日：2020-03-23
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本实用新型的SMD‑3封装功率器件热阻测试装置包括散热基板、环氧框架和电极引出组件；所述环氧框架安装在所述散热基板上；待测SMD‑3封装功率器件置于所述环氧框架内，待测SMD‑3封装功率器件的第二引出端电极与所述散热基板接触，满足散热同时形成电连接；该第二引出端电极两侧的第一引出端电极和第三引出端电极通过所述电极引出组件与热阻测试仪连接；第一引出端电极和第三引出端电极与所述散热基板隔开。本实用新型的SMD‑3封装功率器件热阻测试装置解决了SMD‑3封装功率半导体器件热阻测试的问题。
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公开(公告)号：CN213041949U
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202020379893.6
申请日：2020-03-23
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本实用新型提供一种F型封装功率器件的热阻测试装置，其特征在于，由散热基板、固定压块和电极引出组件组成；所述散热基板上设置有与各F型封装功率器件尺寸相匹配的多组测试工位，所述电极引出组件包括电极插座和电极引出端，所述电极插座通过电线与所述电极引出端连接；所述电极插座插入各组测试工位中，所述电极引出端与外置电阻测试仪连接。本实用新型提供的F型封装功率器件的热阻测试装置通过散热基板对被测功率器件散热引出端的压紧接触，满足了热量沿一维方向向下传导的要求，可准确地测试出F型封装功率半导体器件的结壳热阻值，对于优化功率器件封装设计、提高器件的可靠性和使用寿命都具有重大意义。
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公开(公告)号：CN213041948U
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202020379892.1
申请日：2020-03-23
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本实用新型提供一种DIP封装功率器件的热阻测试装置，其特征在于，由散热基板和电极引出组件组成；所述散热基板上设置有与各DIP封装功率器件尺寸相匹配的多个测试工位，所述测试工位侧壁粘贴有绝缘层；所述电极引出组件包括电极插座和电极引出端，所述电极插座通过电线与所述电极引出端连接；所述电极插座插入各组测试工位中，所述电极引出端与外置电阻测试仪连接。本实用新型提供的DIP封装功率器件的热阻测试装置通过散热基板对被测器件散热引出端的压紧接触，满足了热量沿一维方向向下传导的要求，可准确地测试出DIP封装半导体器件的结壳热阻值，对于优化器件封装设计、提高器件的可靠性和使用寿命都具有重大意义。
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