-
公开(公告)号：CN111763985A
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN202010621640.X
申请日：2020-07-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于单晶生产炉的热屏结构，所述热屏结构用于设在所述单晶硅生长炉的熔体坩埚上部，所述热屏结构包括外壳和隔热板，所述隔热板设于所述外壳的内部，所述外壳底部外表面用于朝向所述熔体坩埚内部，所述隔热板所在平面与所述外壳底部所在平面形成的夹角为锐角且所述夹角朝向所述单晶硅的外表面。本发明的目的是提供一种用于单晶生产炉的热屏结构及单晶生产炉，结构简单，通过改变热屏设计，增设隔热板将吸热板吸收到的热量传递给单晶硅，在热屏中形成热通道，实现对单晶硅的径向温度梯度进行优化，从而实现拉速的控制，进而提高单晶硅径向的质量均匀性。
-
公开(公告)号：CN113109363B
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202110260251.3
申请日：2021-03-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本申请公开了一种表征硅晶体中缺陷的方法，所述方法包括：对硅晶体的表面进行蚀刻，以去除目标厚度的硅晶体；对蚀刻后的所述硅晶体的水平表面进行光散射扫描，以得到所述水平表面的光散射颗粒扫描图、缺陷的光散射等效尺寸以及缺陷体密度；根据所述水平表面的光散射颗粒扫描图、所述光散射等效尺寸和所述缺陷体密度中的至少一种确定硅晶体中存在的缺陷的类型和/或每种缺陷在水平面上存在的缺陷区间。所述方法可以减少缺陷表征周期、减少表征成本、同时表征多种缺陷(空洞，氧沉淀，位错)，还可以提高表征精度，能够实现缺陷类型与缺陷区间的区分，具有高可靠性，适用所有晶体缺陷类别，操作简便，为一种环境友好型的原生缺陷检测手段。
-
公开(公告)号：CN113257700A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110479251.2
申请日：2021-04-30
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
IPC: H01L21/66 , H01L21/67 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供了一种氯化氢高温蚀刻设备校准方法，属于设备校准领域，具体包括提供第一硅片与第二硅片；将第一硅片放入已校准设备进行氯化氢高温蚀刻，得到第一待测硅片；将第二硅片放入待校准设备进行与第一硅片工艺相同的氯化氢高温蚀刻，得到第二待测硅片；比较第一待测硅片的第一校验参数和第二待测硅片的第二校验参数，判断是否满足预设条件，当判定不满足预设条件，则调校待校准设备，当判定满足预设条件时，判定待校准设备的工艺能力已校准至已校准设备的工艺能力同一水平。通过本申请的处理方案，对生产同批次硅片的设备进行校准，使得生产的硅片缺陷表征准确性和一致性高。
-
公开(公告)号：CN113125854A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110376796.0
申请日：2021-04-07
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种硅片导电类型的判定方法，包括：提供待测硅片，对所述待测硅片进行刻蚀处理；在所述刻蚀处理前后分别对所述待测硅片进行第一次电阻率测试和第二次电阻率测试，得到相应的第一电阻率和第二电阻率，通过对比所述第一电阻率和所述第二电阻率判断所述待测硅片的导电类型；或者，在所述刻蚀处理后测量所述待测硅片中不同深度的电阻率变化情况，根据所述待测硅片中不同深度的电阻率变化情况判断所述待测硅片的导电类型。本发明用于判断具有高电阻率的硅片的导电类型，且测试结果不受硅片的表面电荷的影响，操作简单，对设备的要求低，成本低廉。
-
公开(公告)号：CN114280069B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202111574828.4
申请日：2021-12-21
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N21/892 , C30B29/06 , C30B33/02 , C30B33/12 , C30B15/20
Abstract: 本发明提供一种晶体缺陷的检测方法及晶棒生长方法，所述晶体缺陷的检测方法包括：对一具有晶体缺陷的硅片依次进行热处理和气相刻蚀，以使得所述晶体缺陷显现出来；对所述硅片的表面进行观察，若所述硅片的表面形成有凹坑，则所述硅片中的晶体缺陷为位错环缺陷；若所述硅片的表面形成有凹坑以及位于所述凹坑中的沉淀物，则所述硅片中的晶体缺陷为自间隙原子团聚体缺陷。本发明的技术方案使得能够准确分辨出位错环缺陷带与自间隙原子团聚体缺陷带。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113125854B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202110376796.0
申请日：2021-04-07
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种硅片导电类型的判定方法，包括：提供待测硅片，对所述待测硅片进行刻蚀处理；在所述刻蚀处理前后分别对所述待测硅片进行第一次电阻率测试和第二次电阻率测试，得到相应的第一电阻率和第二电阻率，通过对比所述第一电阻率和所述第二电阻率判断所述待测硅片的导电类型；或者，在所述刻蚀处理后测量所述待测硅片中不同深度的电阻率变化情况，根据所述待测硅片中不同深度的电阻率变化情况判断所述待测硅片的导电类型。本发明用于判断具有高电阻率的硅片的导电类型，且测试结果不受硅片的表面电荷的影响，操作简单，对设备的要求低，成本低廉。
-
公开(公告)号：CN117385474A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311322780.7
申请日：2023-10-12
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供硅晶体、硅晶体缺陷的处理方法及缺陷的表征方法，硅晶体缺陷的处理方法，包括：提供一硅晶体，所述硅晶体内包含自间隙型缺陷；对所述硅晶体执行快速热处理工艺，以至少消除距离所述硅晶体的表面预设距离内的自间隙型缺陷。通过对硅晶体执行快速热处理工艺，能够快速、有效减少乃至完全消除硅晶体中自间隙型缺陷。
-
公开(公告)号：CN117364248A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311322943.1
申请日：2023-10-12
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C30B33/02
Abstract: 本发明提供一种消除硅晶体中自间隙缺陷的方法及自间隙缺陷表征方法，通过长时间退火工艺，有效地减少乃至消除了硅晶体中自间隙缺陷。其中，退火工艺的时间为30min至1200min且退火工艺的温度为1000℃至1250℃。进一步的，由于长时间退火且退火温度较低，因此，所述退火工艺的气氛设置为纯氮气，氮气越多，硅片中注入的空位越多，而空位在高温下可以与自间隙缺陷结合从而消除自间隙型缺陷，因此，采用长时间退火工艺消除硅晶体中自间隙缺陷的方法中，退火工艺的气氛为纯氮气。
-
公开(公告)号：CN114018930A
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202111249604.6
申请日：2021-10-26
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种硅晶体原生缺陷的检测方法，包括：提供硅晶体，所述硅晶体具有原生缺陷；在所述硅晶体上生长外延层，所述外延层包括基于所述原生缺陷形成的外延缺陷；对所述外延层的表面进行光散射扫描，获取窄通道缺陷结果以及宽通道缺陷结果；基于所述窄通道缺陷结果以及宽通道缺陷结果确定外延缺陷类型；基于所述外延缺陷类型确定所述原生缺陷的类型。根据本发明提供的硅晶体原生缺陷的检测方法，利用外延生长将在硅晶体表面无法被探测的原生缺陷延伸至外延层表面，并对外延层的表面进行进行光散射扫描，基于获取的窄通道缺陷结果以及宽通道缺陷结果确定所述外延缺陷的类型，进而确定所述原生缺陷的类型。
-
公开(公告)号：CN113138195A
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN202110412646.0
申请日：2021-04-16
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种晶体缺陷的监控方法及晶棒生长方法，包括：在晶棒上按照预设的硅片抽样频率进行硅片抽样；对所述硅片进行晶体缺陷显现处理，以显示出所述硅片的晶体缺陷；对所述硅片的晶体缺陷进行晶体缺陷观察表征，并提取出表征晶体缺陷的数值；通过表征结果得到所述硅片的密度径向分布并区分晶体缺陷类型；根据所述表征晶体缺陷的数值和晶体缺陷类型得到所述晶棒的晶体缺陷密度的等值线图，以显示完整的所述晶棒的晶体缺陷分布。本发明无需纵切破坏晶棒就可以获得完整的晶棒的晶体缺陷分布，根据所述晶棒的晶体缺陷分布，可调整晶棒生长的工艺，以获得指定缺陷特性的晶棒。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
32
records
(took 0.031 seconds)
