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公开(公告)号：CN113138195A
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN202110412646.0
申请日：2021-04-16
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种晶体缺陷的监控方法及晶棒生长方法，包括：在晶棒上按照预设的硅片抽样频率进行硅片抽样；对所述硅片进行晶体缺陷显现处理，以显示出所述硅片的晶体缺陷；对所述硅片的晶体缺陷进行晶体缺陷观察表征，并提取出表征晶体缺陷的数值；通过表征结果得到所述硅片的密度径向分布并区分晶体缺陷类型；根据所述表征晶体缺陷的数值和晶体缺陷类型得到所述晶棒的晶体缺陷密度的等值线图，以显示完整的所述晶棒的晶体缺陷分布。本发明无需纵切破坏晶棒就可以获得完整的晶棒的晶体缺陷分布，根据所述晶棒的晶体缺陷分布，可调整晶棒生长的工艺，以获得指定缺陷特性的晶棒。
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