公开(公告)号：CN105247675B

公开(公告)日：2019-11-15

申请号：CN201380077017.0

申请日：2013-05-29

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 长谷川滋 ,  森下和博 ,  津田亮 ,  林田幸昌 ,  安富伍郎 ,  伊达龙太郎

IPC: H01L25/07 ,  H01L25/18

Abstract: 具备基底板和形成在该基底板之上的多个单位构造。特征在于，所有的该单位构造具备：绝缘基板，其固定于该基底板；金属图案，其形成在该绝缘基板之上；半导体元件，其与该金属图案电连接；以及主电极，其上端部向外部露出，下端部连接于该金属图案中的与该基底板的外缘最接近的部分即外周部。

公开(公告)号：CN102687270A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201180005358.8

申请日：2011-01-12

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 中山靖 ,  三木隆义 ,  大井健史 ,  多田和弘 ,  井高志织 ,  长谷川滋 ,  田中毅

IPC: H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L25/18 ,  H01L23/24 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/3735 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L25/072 ,  H01L29/1608 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10254 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/12031 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 为了得到将由Si半导体制作的开关元件的温度上升抑制为较低且能够提高模块的冷却效率的电力用半导体模块，具备由Si半导体制作的开关元件(4)和由宽禁带半导体制作的二极管(5)，二极管(5)配置在电力用半导体模块(100)的中央区域，开关元件(4)配置在电力用半导体模块(100)的中央区域的两侧或周边。

公开(公告)号：CN109166833B

公开(公告)日：2022-04-08

申请号：CN201810998767.6

申请日：2011-01-12

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 中山靖 ,  三木隆义 ,  大井健史 ,  多田和弘 ,  井高志织 ,  长谷川滋 ,  田中毅

IPC: H01L23/373 ,  H01L23/31 ,  H01L23/24 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L29/16 ,  H01L23/49

Abstract: 本发明涉及一种电力用半导体模块。为了得到将由Si半导体制作的开关元件的温度上升抑制为较低且能够提高模块的冷却效率的电力用半导体模块，具备由Si半导体制作的开关元件(4)和由宽禁带半导体制作的二极管(5)，二极管(5)配置在电力用半导体模块(100)的中央区域，开关元件(4)配置在电力用半导体模块(100)的中央区域的两侧或周边。

公开(公告)号：CN108140640A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201580083502.8

申请日：2015-09-29

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 长谷川滋 ,  梅嵜勋 ,  津田亮 ,  林田幸昌 ,  伊达龙太郎

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/13 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L23/13 ,  H01L23/3735 ,  H01L24/49 ,  H01L25/07 ,  H01L25/072 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/4917 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/13055

Abstract: 本发明的目的在于，提供使并联地搭载的半导体元件的个数增加，且抑制了搭载半导体元件的绝缘基板的形状横向变长的半导体装置及具备该半导体装置的半导体模块。本发明涉及的半导体装置(100)具备：绝缘基板(1)；连续的金属图案(2)，其与绝缘基板(1)的一个主面接合；以及多个开关元件(31、32、33、41、42、43)，它们接合于金属图案(2)上的与绝缘基板(1)相反侧的面，多个开关元件在金属图案(2)上配置为行的数量以及列的数量分别大于或等于2的矩阵状。

公开(公告)号：CN102263092B

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201110022812.2

申请日：2011-01-20

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 羽鸟宪司 ,  长谷川滋

IPC: H01L25/07 ,  H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  H01L21/98

CPC classification number: H01L23/3735 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/3511 ,  H05K3/0061 ,  H01L2924/014

Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够抑制焊料空隙的产生并且维持良好的组装性的半导体模块及其制造方法。本发明的半导体模块具有：绝缘衬底（4）；多个半导体芯片（1），在绝缘衬底（4）表面彼此隔离配置；焊料层（9），在绝缘衬底（4）背面侧，仅形成在与配置有各半导体芯片（1）的位置对应的位置；底板（6），隔着焊料层（9）与绝缘衬底（4）连接。

公开(公告)号：CN105247675A

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201380077017.0

申请日：2013-05-29

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 长谷川滋 ,  森下和博 ,  津田亮 ,  林田幸昌 ,  安富伍郎 ,  伊达龙太郎

IPC: H01L25/07 ,  H01L25/18

Abstract: 具备基底板和形成在该基底板之上的多个单位构造。特征在于，所有的该单位构造具备：绝缘基板，其固定于该基底板；金属图案，其形成在该绝缘基板之上；半导体元件，其与该金属图案电连接；以及主电极，其上端部向外部露出，下端部连接于该金属图案中的与该基底板的外缘最接近的部分即外周部。

公开(公告)号：CN102263092A

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：CN201110022812.2

申请日：2011-01-20

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 羽鸟宪司 ,  长谷川滋

IPC: H01L25/07 ,  H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  H01L21/98

CPC classification number: H01L23/3735 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/3511 ,  H05K3/0061 ,  H01L2924/014

Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够抑制焊料空隙的产生并且维持良好的组装性的半导体模块及其制造方法。本发明的半导体模块具有：绝缘衬底（4）；多个半导体芯片（1），在绝缘衬底（4）表面彼此隔离配置；焊料层（9），在绝缘衬底（4）背面侧，仅形成在与配置有各半导体芯片（1）的位置对应的位置；底板（6），隔着焊料层（9）与绝缘衬底（4）连接。