公开(公告)号：CN102263092B

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201110022812.2

申请日：2011-01-20

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 羽鸟宪司 ,  长谷川滋

IPC: H01L25/07 ,  H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  H01L21/98

CPC classification number: H01L23/3735 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/3511 ,  H05K3/0061 ,  H01L2924/014

Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够抑制焊料空隙的产生并且维持良好的组装性的半导体模块及其制造方法。本发明的半导体模块具有：绝缘衬底（4）；多个半导体芯片（1），在绝缘衬底（4）表面彼此隔离配置；焊料层（9），在绝缘衬底（4）背面侧，仅形成在与配置有各半导体芯片（1）的位置对应的位置；底板（6），隔着焊料层（9）与绝缘衬底（4）连接。

公开(公告)号：CN102263092A

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：CN201110022812.2

申请日：2011-01-20

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 羽鸟宪司 ,  长谷川滋

IPC: H01L25/07 ,  H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  H01L21/98

CPC classification number: H01L23/3735 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/3511 ,  H05K3/0061 ,  H01L2924/014

Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够抑制焊料空隙的产生并且维持良好的组装性的半导体模块及其制造方法。本发明的半导体模块具有：绝缘衬底（4）；多个半导体芯片（1），在绝缘衬底（4）表面彼此隔离配置；焊料层（9），在绝缘衬底（4）背面侧，仅形成在与配置有各半导体芯片（1）的位置对应的位置；底板（6），隔着焊料层（9）与绝缘衬底（4）连接。

公开(公告)号：CN101388406A

公开(公告)日：2009-03-18

申请号：CN200810090705.1

申请日：2008-03-31

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 羽鸟宪司 ,  楢崎敦司

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7816

Abstract: 提供可维持较低的导通电压并谋求高速化的半导体装置。半导体装置(10a)具有：具有主表面(12)的半导体衬底(11)；半导体元件，具有形成在所述半导体衬底(11)上的绝缘栅型场效应部。半导体元件包括n－区域(101)、n型源极区域(103)、p型基极区域(105)、n+区域(107)以及栅电极(113)。n－区域(101)以及n型源极区域(103)形成在主表面(12)上。p型基极区域(105)以与n型源极区域(103)邻接的方式形成在主表面(12)上。n+区域(107)以与p型基极区域(105)邻接、且夹持p型基极区域(105)而与n型源极区域(103)面对的方式形成在主表面(12)上，并且，具有比n－区域(101)高的杂质浓度。n－区域在主表面(12)上以与p型基极区域(105)以及n+区域(107)邻接的方式形成。

公开(公告)号：CN116230703A

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN202211530909.9

申请日：2022-12-01

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 酒井纯也 ,  羽鸟宪司

IPC: H01L25/18 ,  H01L29/78 ,  H03K17/14 ,  H03K17/56

Abstract: 目的在于提供能够对振荡现象进行抑制的技术。半导体装置具有导体部、彼此分离的多个半导体芯片。多个半导体芯片各自包含多个半导体开关元件。导体部将多个半导体芯片并联连接。多个半导体芯片各自所包含的多个半导体开关元件的材料包含宽带隙半导体。多个半导体开关元件中的至少任意1者的沟道长度小于或等于1.5μm。

公开(公告)号：CN104160502A

公开(公告)日：2014-11-19

申请号：CN201280071262.6

申请日：2012-03-09

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 羽鸟宪司

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/36 ,  H01L25/18 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L23/3672 ,  H01L23/13 ,  H01L23/36 ,  H01L23/373 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/49833 ,  H01L24/73 ,  H01L25/07 ,  H01L25/072 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15159 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 功率半导体芯片(10a、20b)、以及消耗电力比功率半导体芯片(10a)低的低电力部(90c)，设置于具有导电性的散热器(60)的规定面(61)侧。第1板状绝缘部件(30ab)在功率半导体芯片(10a、20b)和散热器(60)之间延伸。第2板状绝缘部件(30c)在低电力部(90c)和散热器(60)之间延伸。第2板状绝缘部件(30c)中的面向低电力部(90c)的部分(33c)，比第1板状绝缘部件(30ab)中的面向功率半导体芯片(10a、20b)的部分(33ab)厚。

公开(公告)号：CN102299172A

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：CN201110110576.X

申请日：2011-04-29

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 羽鸟宪司

IPC: H01L29/36 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7395 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/36 ,  H01L29/7397

Abstract: 本发明提供一种能够抑制衬底中央部的温度上升的功率用半导体装置。功率用半导体装置（10A）具有半导体衬底（100A），在半导体衬底（100A）的厚度方向（103）流过电流。半导体衬底（100A）包括以如下方式构成的电阻控制结构：针对上述电流的电阻在半导体衬底（100A）的中央部比半导体衬底（100A）的外周部高。

公开(公告)号：CN101388406B

公开(公告)日：2011-07-06

申请号：CN200810090705.1

申请日：2008-03-31

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 羽鸟宪司 ,  楢崎敦司

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7816

Abstract: 提供可维持较低的导通电压并谋求高速化的半导体装置。半导体装置(10a)具有：具有主表面(12)的半导体衬底(11)；半导体元件，具有形成在所述半导体衬底(11)上的绝缘栅型场效应部。半导体元件包括n-区域(101)、n型源极区域(103)、p型基极区域(105)、n+区域(107)以及栅电极(113)。n-区域(101)以及n型源极区域(103)形成在主表面(12)上。p型基极区域(105)以与n型源极区域(103)邻接的方式形成在主表面(12)上。n+区域(107)以与p型基极区域(105)邻接、且夹持p型基极区域(105)而与n型源极区域(103)面对的方式形成在主表面(12)上，并且，具有比n-区域(101)高的杂质浓度。n-区域在主表面(12)上以与p型基极区域(105)以及n+区域(107)邻接的方式形成。

公开(公告)号：CN119563386A

公开(公告)日：2025-03-04

申请号：CN202280098133.X

申请日：2022-08-03

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 广中阳一 ,  菅原胜俊 ,  羽鸟宪司 ,  日野史郎

IPC: H10D30/65 ,  H10D62/80 ,  H10D30/01 ,  H10D8/60 ,  H10D8/01

Abstract: 本发明的目的在于提供一种在内置有SBD的碳化硅半导体装置中能提高浪涌耐量的技术。碳化硅半导体装置包括第1导电型的半导体层，该第1导电型的半导体层设有包含单位单元区域和浪涌通电区域的活性区域，所述单位单元区域包含肖特基势垒二极管区域和MOSFET区域。浪涌通电区域包含将肖特基势垒二极管区域的第1导电型替换为第2导电型的肖特基势垒二极管替换区域。肖特基势垒二极管替换区域占活性区域的面积比率为0.01％以上，并且小于未替换为肖特基势垒二极管替换区域时的肖特基势垒二极管区域占活性区域的面积比率。

公开(公告)号：CN106663675B

公开(公告)日：2019-10-25

申请号：CN201480080396.3

申请日：2014-07-04

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 羽鸟宪司 ,  北村周一 ,  本宫哲男

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/48 ,  H01L25/18

Abstract: 目的在于提供一种能够对栅极信号的波形的振动进行抑制的技术。电力用半导体装置具有：功率半导体芯片(2g)；多个集电极主端子(4)及多个发射极主端子(5)，它们与功率半导体芯片(2g)电连接；以及信号线(8)。多个集电极主端子(4)及多个发射极主端子(5)具有从功率半导体芯片(2g)的配置面凸出的凸出部分，针对这些凸出部分，信号线(8)包围全部凸出部分的整周，且在俯视观察时与这些凸出部分分离。

公开(公告)号：CN106663675A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201480080396.3

申请日：2014-07-04

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 羽鸟宪司 ,  北村周一 ,  本宫哲男

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/48 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L29/7393 ,  H01L23/3736 ,  H01L23/48 ,  H01L25/072 ,  H01L25/18 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10254 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099

Abstract: 目的在于提供一种能够对栅极信号的波形的振动进行抑制的技术。电力用半导体装置具有：功率半导体芯片(2g)；多个集电极主端子(4)及多个发射极主端子(5)，它们与功率半导体芯片(2g)电连接；以及信号线(8)。多个集电极主端子(4)及多个发射极主端子(5)具有从功率半导体芯片(2g)的配置面凸出的凸出部分，针对这些凸出部分，信号线(8)包围全部凸出部分的整周，且在俯视观察时与这些凸出部分分离。