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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106558483B
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201610329591.6
申请日：2016-05-18
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01L21/283 , H01L21/31 , H01L23/28 , H01L29/51
Abstract: 本发明提供一种制造二氧化硅层的方法、二氧化硅层以及电子装置。制造二氧化硅层的方法包含将包含碳化合物的预润湿液体物质涂布于衬底上、将用于形成二氧化硅层的组合物涂布于涂布有预润湿液体物质的衬底上以及使涂布有用于形成二氧化硅层的组合物的衬底固化。根据本发明的方法，可以使得用于形成二氧化硅层的组合物充分润湿衬底，并且可以有效涂布少量组合物，形成均匀的二氧化硅层。
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公开(公告)号：CN105315679B
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201410779783.8
申请日：2014-12-16
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 本发明提供一种形成二氧化硅基层的组成物及制造二氧化硅基层的方法，所述形成二氧化硅基层的组成物，包含：选自氢化聚硅氮烷、氢化聚环氧硅氮烷或它们的组合的二氧化硅基化合物；以及溶剂，其中，具有0.2μm到1μm粒子直径的粒子的数目少于或等于10/mL。本发明提供的用以形成二氧化硅基层的组成物可以减少粒子的产生，因此能极小化形成的层中的缺陷。
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公开(公告)号：CN105713512B
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201510591897.4
申请日：2015-09-16
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C09D183/16
CPC classification number: C09D183/14 , C08G77/54 , C08G77/62 , C08K5/01 , C09D183/16
Abstract: 本发明提供一种用于形成二氧化硅类层的组成物、用于制造二氧化硅类层的方法以及电子装置。本发明的用于形成二氧化硅类层的组成物包括含硅化合物和一或多种类别的溶剂。所述含硅化合物包括聚硅氮烷、聚硅氧氮烷或其组合。并且，所述组成物具有小于或等于0.13的浊度增加率。本发明可以提供一种具有极好储存稳定性的用于形成二氧化硅类层的组成物。
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公开(公告)号：CN106409652A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610160367.9
申请日：2016-03-21
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: C09D1/00 , C01B33/12 , C09D7/20 , C09D183/08 , C09D183/16 , H01L21/02107 , G02F1/133 , H01L21/02112 , H01L21/02164 , H01L21/02282 , H01L33/44
Abstract: 本发明提供一种用于形成氧化硅层的组合物、制造氧化硅层的方法、氧化硅层及电子装置。用于形成氧化硅层的组合物包含含硅聚合物和包含至少两种溶剂的混合溶剂，其中所述混合溶剂在25℃下的表面张力是5毫牛/米至35毫牛/米。本发明的用于形成氧化硅层的组合物能够提供具有小缺陷和均一厚度的氧化硅层。
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公开(公告)号：CN106189267A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201510282712.1
申请日：2015-05-28
Applicant: 三星SDI株式会社
Inventor： 尹熙灿 , 金佑翰 , 高尚兰 , 郭泽秀 , 金补宣 , 金真敎 , 罗隆熙 , 卢健培 , 朴玺美 , 裵镇希 , 司空峻 , 李殷善 , 任浣熙 , 张俊英 , 郑日 , 黄丙奎
IPC: C08L83/16 , C08L83/14 , C01B33/113
Abstract: 本发明提供一种用于形成二氧化硅层的组成物、二氧化硅层及电子装置。所述用于形成二氧化硅层的组成物包含重量平均分子量为20,000到70,000并且多分散指数为5.0到17.0的含硅聚合物和溶剂。本发明提供的用于形成二氧化硅层的组成物能同时确保间隙填充特征和间隙蚀刻特征。
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