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公开(公告)号：CN104425620B
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN201410443424.5
申请日：2014-09-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开涉及一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括处于第Ⅲ‑Ⅵ主族化合物半导体层与电介质层之间的氧吸附层。所述半导体器件可包括化合物半导体层、布置在化合物半导体层上的电介质层以及插入在化合物半导体层与电介质层之间的氧吸附层。氧吸附层包含与化合物半导体的材料相比对氧有更高亲和性的材料。
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公开(公告)号：CN107768499B
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201710716307.5
申请日：2017-08-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及一种制造LED模块的方法和一种用于印刷焊料的金属掩模。所述方法包括：制备电路板，以使得电路板包括芯片安装区周围的反射性层合体和芯片安装区中的电极焊盘；制备掩模，以使得掩模包括具有排放孔的突出部分，并且突出部分插入由反射性层合体包围的空间中；利用掩模将焊膏分配至电极焊盘上；以及利用焊膏将LED芯片的电极接合至电路板的电极焊盘。
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公开(公告)号：CN109935585A
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201810833546.3
申请日：2018-07-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/78 , H01L29/786
Abstract: 提供了一种具有多阈值电压的半导体器件，所述半导体器件包括位于半导体基底上的有源区、位于单独的对应的有源区上的栅极结构以及在半导体基底中位于单独的对应的栅极结构的相对侧上的源极/漏极区。每个单独的栅极结构包括顺序堆叠的高介电层、第一逸出功金属层、具有比第一逸出功金属层低的逸出功的第二逸出功金属层和栅极金属层。栅极结构的第一逸出功金属层具有不同的厚度，从而栅极结构包括最大栅极结构，其中最大栅极结构的第一逸出功金属层具有第一逸出功金属层中的最大厚度。最大栅极结构包括位于最大栅极结构的高介电层上的覆盖层，其中，覆盖层包括一种或更多种杂质元素。
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公开(公告)号：CN103295623B
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201310061459.8
申请日：2013-02-27
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李东洙
IPC: G11C11/413
CPC classification number: G11C11/4076 , G05F1/56 , G11C5/145 , G11C5/147 , G11C11/4074 , G11C11/4099 , G11C2207/2272 , H02M3/07
Abstract: 电压生成器可以对于低外部供电电压生成高目标电压的电平。参考电压生成器包括钳位调节器和电平放大器，该钳位调节器由从外部源提供的第一供电电压驱动并且接收第一电压以便生成钳位电压，该电平放大器由比第一供电电压高的第二供电电压驱动并且接收钳位电压以便生成参考电压。钳位电压可以被设置为具有导致对于动态随机访问存储器（DRAM）中的存储器单元阵列的成功的恢复操作的电压电平。
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公开(公告)号：CN102157540B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201010589232.7
申请日：2010-12-10
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C13/003 , G11C2013/0073 , G11C2213/31 , G11C2213/32 , G11C2213/72 , G11C2213/73 , G11C2213/74 , G11C2213/76 , H01L27/2409 , H01L27/2481 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/147
Abstract: 本发明公开了一种存储装置、一种存储卡和一种电子装置。存储装置包括存储单元。存储单元包括双极存储元件和双向开关元件。双向开关元件连接到双极存储元件的端部，并具有双向开关特性。双向开关元件包括第一开关元件和第二开关元件。第一开关元件连接到双极存储元件的第一端部，并具有第一开关方向。第二开关元件连接到双极存储元件的第二端部，并具有第二开关方向。第二开关方向与第一开关方向相反。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102956263A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201210298165.2
申请日：2012-08-21
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C11/5685 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C13/0097 , G11C2013/0073 , G11C2013/0076
Abstract: 根据示例实施例，一种操作具有可变电阻器件的半导体器件的方法包括：向可变电阻器件施加第一电压以将该可变电阻器件的电阻值从第一电阻值改变为与第一电阻值不同的第二电阻值；感测流过被施加第一电压的可变电阻器件的第一电流；基于感测的第一电流的偏移确定用于将该可变电阻器件的电阻值从第二电阻值改变为第一电阻值的第二电压；以及向可变电阻器件施加确定的第二电压。
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公开(公告)号：CN1247980C
公开(公告)日：2006-03-29
申请号：CN98107085.X
申请日：1998-02-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G01N1/2202 , G01N1/24 , G01N2001/2223 , G01N2001/2282 , G01N2001/4066
Abstract: 本发明提供了在半导体洁净室中可溶于水的污染物的分析方法和所用的仪器。可溶于水的污染物的分析方法包括以下步骤：a)冷凝要被分析的参比空气并液化在该参比空气中所含的水；b)将压力施加到被液化的水滴上并将水滴输送到分析器；以及c)利用该分析器进行定性和定量分析。该仪器包括用于吸取参比空气的空气入口；用于控制该参比空气的流量控制阀；用于冷凝在该参比空气中的水的冷凝器；用于将压力施加到通过冷凝被液化的水滴上使水滴被输送到分析器的压力泵；以及用于排放过量水滴的排放泵。
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公开(公告)号：CN109473473B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN201811041770.5
申请日：2018-09-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/423
Abstract: 本公开提供了半导体器件。一种半导体器件包括：多个第一半导体图案，垂直堆叠在衬底上并彼此垂直间隔开；以及第一栅电极，围绕所述多个第一半导体图案。第一栅电极包括：第一功函数金属图案，在所述多个第一半导体图案中的各个第一半导体图案的顶表面、底表面和侧壁上；阻挡图案，在第一功函数金属图案上；以及第一电极图案，在阻挡图案上。第一栅电极具有在所述多个第一半导体图案中的相邻的第一半导体图案之间以及在所述多个第一半导体图案中的最下面的第一半导体图案与所述衬底之间的第一部分。阻挡图案包括包含硅的金属氮化物层。阻挡图案和第一电极图案与第一部分间隔开。
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公开(公告)号：CN109545846B
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN201811100712.5
申请日：2018-09-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/417 , H01L29/78
Abstract: 一种半导体器件，其包括：衬底；在衬底上的第一有源区和第二有源区；与第一有源区交叉的第一凹陷；与第二有源区交叉的第二凹陷；沿着第一凹陷和第二凹陷的侧壁延伸的栅极间隔物；第一下高k电介质膜，其在第一凹陷中并包括第一浓度的第一高k电介质材料、以及第二高k电介质材料；第二下高k电介质膜，其在第二凹陷中并包括大于第一浓度的第二浓度的第一高k电介质材料、以及第二高k电介质材料；第一含金属膜，其在第一下高k电介质膜上并包括第三浓度的硅；以及第二含金属膜，其在第二下高k电介质膜上并包括小于第三浓度的第四浓度的硅。
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公开(公告)号：CN114078844A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202110953205.1
申请日：2021-08-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088
Abstract: 一种半导体器件包括：第一有源图案和第二有源图案，设置在衬底上；场绝缘膜，设置在第一有源图案和第二有源图案之间；与第一有源图案交叉的第一栅极结构；以及与第二有源图案交叉的第二栅极结构，其中第一栅极结构包括在第一有源图案上的第一栅极绝缘膜、在第一栅极绝缘膜上的第一上插入膜以及在第一上插入膜上的第一上导电膜，第二栅极结构包括在第二有源图案上的第二栅极绝缘膜、在第二栅极绝缘膜上的第二上插入膜以及在第二上插入膜上的第二上导电膜。第一上插入膜和第二上插入膜中的每个可以包括铝氮化物膜。第一上导电膜和第二上导电膜中的每个可以包括铝。
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