公开(公告)号：CN109119420A

公开(公告)日：2019-01-01

申请号：CN201810654945.3

申请日：2018-06-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东洙 ,  郑元根 ,  罗勋奏 ,  裵洙瀯 ,  宋在烈 ,  李钟汉 ,  丁炯硕 ,  玄尚镇

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 公开了半导体器件及其制造方法。半导体器件包括在基板上的第一晶体管和在基板上的第二晶体管。第一晶体管和第二晶体管的每个包括竖直地堆叠在基板上且彼此竖直地间隔开的多个半导体图案以及填充半导体图案之间和所述基板与所述多个半导体图案中的最下面的半导体图案之间的空间的栅极电介质图案和功函数图案。第一晶体管的功函数图案包括第一功函数金属层，第二晶体管的功函数图案包括第一功函数金属层和第二功函数金属层，第一晶体管和第二晶体管中的每个的第一功函数金属层具有比第二功函数金属层的功函数大的功函数，并且第一晶体管具有比第二晶体管的阈值电压小的阈值电压。

公开(公告)号：CN109545846B

公开(公告)日：2023-10-03

申请号：CN201811100712.5

申请日：2018-09-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋在烈 ,  裵洙瀯 ,  李东洙 ,  丁炯硕 ,  玄尚镇

IPC: H01L29/417 ,  H01L29/78

Abstract: 一种半导体器件，其包括：衬底；在衬底上的第一有源区和第二有源区；与第一有源区交叉的第一凹陷；与第二有源区交叉的第二凹陷；沿着第一凹陷和第二凹陷的侧壁延伸的栅极间隔物；第一下高k电介质膜，其在第一凹陷中并包括第一浓度的第一高k电介质材料、以及第二高k电介质材料；第二下高k电介质膜，其在第二凹陷中并包括大于第一浓度的第二浓度的第一高k电介质材料、以及第二高k电介质材料；第一含金属膜，其在第一下高k电介质膜上并包括第三浓度的硅；以及第二含金属膜，其在第二下高k电介质膜上并包括小于第三浓度的第四浓度的硅。

公开(公告)号：CN114078844A

公开(公告)日：2022-02-22

申请号：CN202110953205.1

申请日：2021-08-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裵洙瀯 ,  朴钟昊 ,  李东洙 ,  金完敦

IPC: H01L27/088

Abstract: 一种半导体器件包括：第一有源图案和第二有源图案，设置在衬底上；场绝缘膜，设置在第一有源图案和第二有源图案之间；与第一有源图案交叉的第一栅极结构；以及与第二有源图案交叉的第二栅极结构，其中第一栅极结构包括在第一有源图案上的第一栅极绝缘膜、在第一栅极绝缘膜上的第一上插入膜以及在第一上插入膜上的第一上导电膜，第二栅极结构包括在第二有源图案上的第二栅极绝缘膜、在第二栅极绝缘膜上的第二上插入膜以及在第二上插入膜上的第二上导电膜。第一上插入膜和第二上插入膜中的每个可以包括铝氮化物膜。第一上导电膜和第二上导电膜中的每个可以包括铝。

公开(公告)号：CN109119420B

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN201810654945.3

申请日：2018-06-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东洙 ,  郑元根 ,  罗勋奏 ,  裵洙瀯 ,  宋在烈 ,  李钟汉 ,  丁炯硕 ,  玄尚镇

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 公开了半导体器件及其制造方法。半导体器件包括在基板上的第一晶体管和在基板上的第二晶体管。第一晶体管和第二晶体管的每个包括竖直地堆叠在基板上且彼此竖直地间隔开的多个半导体图案以及填充半导体图案之间和所述基板与所述多个半导体图案中的最下面的半导体图案之间的空间的栅极电介质图案和功函数图案。第一晶体管的功函数图案包括第一功函数金属层，第二晶体管的功函数图案包括第一功函数金属层和第二功函数金属层，第一晶体管和第二晶体管中的每个的第一功函数金属层具有比第二功函数金属层的功函数大的功函数，并且第一晶体管具有比第二晶体管的阈值电压小的阈值电压。

公开(公告)号：CN109545846A

公开(公告)日：2019-03-29

申请号：CN201811100712.5

申请日：2018-09-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋在烈 ,  裵洙瀯 ,  李东洙 ,  丁炯硕 ,  玄尚镇

IPC: H01L29/417 ,  H01L29/78

Abstract: 一种半导体器件，其包括：衬底；在衬底上的第一有源区和第二有源区；与第一有源区交叉的第一凹陷；与第二有源区交叉的第二凹陷；沿着第一凹陷和第二凹陷的侧壁延伸的栅极间隔物；第一下高k电介质膜，其在第一凹陷中并包括第一浓度的第一高k电介质材料、以及第二高k电介质材料；第二下高k电介质膜，其在第二凹陷中并包括大于第一浓度的第二浓度的第一高k电介质材料、以及第二高k电介质材料；第一含金属膜，其在第一下高k电介质膜上并包括第三浓度的硅；以及第二含金属膜，其在第二下高k电介质膜上并包括小于第三浓度的第四浓度的硅。