公开(公告)号：CN104679586B

公开(公告)日：2020-10-27

申请号：CN201410602301.1

申请日：2014-10-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安敏善 ,  柳基洙 ,  金载春 ,  吴治官 ,  任明均

IPC: G06F9/48 ,  G06F9/50

Abstract: 提供了操作包括异构多核处理器的电子系统的方法。该方法包括测量大(高性能)核的温度和/或工作负载，并且响应于测量的大核的温度和工作负载，将当前核负载从大核切换到小(低性能)核。

公开(公告)号：CN106057747B

公开(公告)日：2020-09-22

申请号：CN201610110151.1

申请日：2016-02-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金载春 ,  黄熙情 ,  张彦铢

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/367 ,  H01L23/42

Abstract: 公开了一种半导体封装件和一种制造该半导体封装件的方法，该半导体封装件包括：半导体芯片，在封装基底上；散热器，在半导体芯片上；模塑层；粘附膜，在半导体芯片和散热器之间；以及通孔，穿过散热器。散热器包括第一表面和第二表面。模塑层覆盖半导体芯片的侧壁和散热器的侧壁，且暴露散热器的第一表面。粘附膜在散热器的第二表面上。

公开(公告)号：CN111092074A

公开(公告)日：2020-05-01

申请号：CN201910873305.6

申请日：2019-09-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金沅槿 ,  吴琼硕 ,  陈华日 ,  金东宽 ,  金永锡 ,  金载春 ,  黄承泰

IPC: H01L25/18 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L21/98

Abstract: 半导体封装包括：封装基板；第一半导体器件，布置在封装基板上；第一半导体器件上的至少一个第二半导体器件，从俯视图看部分地覆盖第一半导体器件；散热绝缘层，涂覆在第一半导体器件和至少一个第二半导体器件上；导电散热结构，布置在第一半导体器件的未被第二半导体器件覆盖的部分上的散热绝缘层上；以及封装基板上的模制层，覆盖第一半导体器件和至少一个第二半导体器件。散热绝缘层由电绝缘且导热材料形成，并且导电散热结构由导电和导热材料形成。

公开(公告)号：CN108074944A

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：CN201711094476.6

申请日：2017-11-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金容勋 ,  金志澈 ,  车承勇 ,  金载春

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14634 ,  H01L21/565 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/345 ,  H01L23/481 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/1469 ,  H01L2224/18 ,  H04N5/378 ,  H01L27/14601

Abstract: 一种图像传感器封装包括在竖直方向上堆叠的图像传感器芯片、逻辑芯片和存储器芯片结构。所述图像传感器芯片包括像素阵列和互连结构，并接收电源电压、地电压或信号。所述逻辑芯片处理来自所述图像传感器芯片的像素信号，并经由所述图像传感器芯片接收电源电压、地电压或信号。所述存储器芯片结构包括存储器芯片、包围存储器芯片的模制部分、以及在竖直方向上穿过模制部分并与逻辑芯片或存储器芯片中的至少一个连接的至少一个模通孔接触件。存储器芯片存储由逻辑芯片处理的像素信号或来自图像传感器芯片的像素信号中的至少一个，并经由图像传感器芯片和逻辑芯片接收电源电压、地电压或信号。

公开(公告)号：CN103137577A

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201210511142.5

申请日：2012-12-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金载春 ,  金志澈 ,  裴镇权 ,  赵殷奭

IPC: H01L23/38

CPC classification number: F25B21/02 ,  F25B2321/0212 ,  F25B2700/2107 ,  H01L35/32 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种热电冷却封装件及其热管理方法。所述方法可以包括：测量具有半导体芯片和热电冷却器的热电冷却封装件的温度；将热电冷却封装件的温度与目标温度进行比较；在热电冷却封装件的温度高于目标温度时对热电冷却器进行操作；以及在热电冷却封装件的温度变得低于目标温度时停止对热电冷却器的操作。

公开(公告)号：CN111092074B

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN201910873305.6

申请日：2019-09-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金沅槿 ,  吴琼硕 ,  陈华日 ,  金东宽 ,  金永锡 ,  金载春 ,  黄承泰

IPC: H10D80/30 ,  H10B80/00 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L21/98

Abstract: 半导体封装包括：封装基板；第一半导体器件，布置在封装基板上；第一半导体器件上的至少一个第二半导体器件，从俯视图看部分地覆盖第一半导体器件；散热绝缘层，涂覆在第一半导体器件和至少一个第二半导体器件上；导电散热结构，布置在第一半导体器件的未被第二半导体器件覆盖的部分上的散热绝缘层上；以及封装基板上的模制层，覆盖第一半导体器件和至少一个第二半导体器件。散热绝缘层由电绝缘且导热材料形成，并且导电散热结构由导电和导热材料形成。

公开(公告)号：CN119495673A

公开(公告)日：2025-02-21

申请号：CN202410278200.7

申请日：2024-03-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜圣求 ,  金载春 ,  文圣昊 ,  朴桓柱

IPC: H01L23/538

Abstract: 公开了一种半导体封装件，其包括：插置件；插置件下方的第一半导体裸晶；以及插置件上方的第一虚设裸晶、第二虚设裸晶和第二半导体裸晶。第一半导体裸晶、第二半导体裸晶、第一虚设裸晶和第二虚设裸晶与插置件重叠。第一半导体裸晶与第二半导体裸晶重叠。第二半导体裸晶在第一虚设裸晶与第二虚设裸晶之间。

公开(公告)号：CN108735770B

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN201810310753.0

申请日：2018-04-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金志澈 ,  赵汊济 ,  韩相旭 ,  赵京淳 ,  金载春 ,  朴佑炫

IPC: H01L27/148 ,  H10B80/00

Abstract: 本发明公开了一种半导体封装件，其包括：衬底上的第一半导体芯片；第二半导体芯片，其位于衬底上并且与第一半导体装置间隔开；模制层，其位于衬底上并且覆盖第一半导体芯片的侧部和第二半导体芯片的侧部；以及图像传感器单元，其位于第一半导体芯片、第二半导体芯片和模制层上。图像传感器单元电连接至第一半导体芯片。

公开(公告)号：CN115881692A

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202211140509.7

申请日：2022-09-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金泰焕 ,  金荣得 ,  金载春 ,  吴琼硕 ,  李应彰

IPC: H01L23/538 ,  H01L23/528 ,  H01L25/065

Abstract: 公开了一种半导体封装，可以包括竖直堆叠的半导体芯片以及将半导体芯片彼此连接的第一连接端子、第二连接端子和第三连接端子。每个半导体芯片可以包括半导体衬底、在半导体衬底上的互连层、通过半导体衬底与互连层连接的贯穿电极、以及在互连层上的第一组、第二组和第三组。互连层可以包括绝缘层以及在绝缘层中的第一金属层和第二金属层。第一组和第二组可以与第二金属层接触，并且第三组可以与第二金属层间隔开。第一组和第三组中的每一组可以包括以多对一的方式与第一连接端子和第三连接端子中的对应一个连接的焊盘。第二组可以包括以一对一的方式与第二连接端子连接的焊盘。

公开(公告)号：CN108074944B

公开(公告)日：2022-12-02

申请号：CN201711094476.6

申请日：2017-11-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金容勋 ,  金志澈 ,  车承勇 ,  金载春

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种图像传感器封装包括在竖直方向上堆叠的图像传感器芯片、逻辑芯片和存储器芯片结构。所述图像传感器芯片包括像素阵列和互连结构，并接收电源电压、地电压或信号。所述逻辑芯片处理来自所述图像传感器芯片的像素信号，并经由所述图像传感器芯片接收电源电压、地电压或信号。所述存储器芯片结构包括存储器芯片、包围存储器芯片的模制部分、以及在竖直方向上穿过模制部分并与逻辑芯片或存储器芯片中的至少一个连接的至少一个模通孔接触件。存储器芯片存储由逻辑芯片处理的像素信号或来自图像传感器芯片的像素信号中的至少一个，并经由图像传感器芯片和逻辑芯片接收电源电压、地电压或信号。