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公开(公告)号：CN116259586A
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202211365358.5
申请日：2022-11-02
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种扇出半导体封装，包括：封装主体，包括与位于封装主体中的通孔相对应的扇入区、围绕扇入区的扇出区、以及布置在封装主体中与扇出区相对应的主体互连结构；扇入芯片结构，位于通孔中，扇入芯片结构包括第一芯片、布置为与第一芯片分开的电容器芯片、以及设置在第一芯片和电容器芯片两者上的第二芯片；再分布结构，布置在封装主体的底表面和扇入芯片结构的底表面上，并且包括延伸到扇出区的再分布元件；以及互连过孔，布置在封装主体的顶表面上，并且电连接到扇出区中的再分布元件。
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公开(公告)号：CN115643759A
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202210842795.5
申请日：2022-07-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了半导体器件和包括其的电子系统。该半导体器件可以包括：堆叠结构，在第一方向上延伸并且包括垂直堆叠在基板上的栅电极；在堆叠结构上水平间隔开的选择结构；上隔离结构，在选择结构之间并在堆叠结构上沿第一方向延伸；以及穿透堆叠结构和选择结构的垂直结构。垂直结构包括第一垂直结构，该第一垂直结构沿第一方向排列并且穿透上隔离结构的部分。每个选择结构包括选择栅电极和围绕选择栅电极的顶表面、底表面和侧壁表面的水平电介质图案。每个选择栅电极包括在第一方向上延伸的线部分、以及从线部分垂直突出并围绕每个第一垂直结构的至少一部分的电极部分。
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公开(公告)号：CN114121925A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202110871647.1
申请日：2021-07-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/18 , H01L23/31 , H01L23/488 , H01L23/544
Abstract: 提供了一种半导体封装件。该半导体封装件包括：半导体芯片的芯片焊盘，芯片焊盘包括芯片焊盘的第一表面中的连接部分和测试部分；阻挡层，其覆盖芯片焊盘，所述阻挡层限定第一开口和与第一开口分开的第二开口，所述第一开口暴露出芯片焊盘的连接部分，并且第二开口暴露出芯片焊盘的测试部分；以及重分布结构。
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公开(公告)号：CN113380811A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110213536.1
申请日：2021-02-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11521 , H01L27/11556 , H01L27/11568 , H01L27/11582
Abstract: 提供具有提高的可靠性的半导体存储器件。该半导体存储器件包括：模制结构，包括在第一基板上的多个栅电极和多个模制绝缘膜；沟道结构，穿透模制结构并与每个栅电极的相应水平面交叉；在模制结构中的多个第一绝缘图案，第一绝缘图案包括与模制绝缘膜的材料不同的材料；以及在第一绝缘图案中的第一贯穿通路，第一贯穿通路穿透第一基板和模制结构。栅电极包括第一字线和在第一字线上的第二字线。从第一字线到第一贯穿通路的第一距离不同于从第二字线到第一贯穿通路的第二距离。
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公开(公告)号：CN109326605A
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201810788922.1
申请日：2018-07-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11551 , H01L27/11524
Abstract: 一种垂直半导体器件可以包括导电图案结构、垫结构、多个沟道结构、多个第一虚设结构和多个第二虚设结构。导电图案结构可以在衬底的第一区域中并可以在第一方向上延伸。垫结构可以在衬底的第二区域中与衬底的第一区域的相反侧的每个相邻，并可以接触导电图案结构的侧部。沟道结构可以穿过导电图案结构延伸，并可以规则地布置在衬底上。第一虚设结构可以穿过导电图案结构延伸，并可以设置在衬底的第一区域的与衬底的第二区域相邻的部分中。第二虚设结构可以在衬底上穿过垫结构延伸。沟道结构的每个可以在第一方向上具有第一宽度，第一虚设结构的每个可以在第一方向上具有大于第一宽度的第二宽度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103227201A
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201310007163.8
申请日：2013-01-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/1606 , H01L21/6835 , H01L29/41758 , H01L29/41775 , H01L29/42384 , H01L29/66787 , H01L29/778 , H01L29/7831 , H01L2221/6835 , H01L2221/68363 , H01L2221/68381
Abstract: 本公开提供了晶体管及其制造方法。该晶体管可以包括：在基板上的栅极；沟道层，具有覆盖栅极的至少一部分的三维（3D）沟道区域；源极电极，接触沟道层的第一区域；以及漏极电极，接触沟道层的第二区域。
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公开(公告)号：CN117476565A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202310574727.X
申请日：2023-05-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L23/498
Abstract: 一种半导体封装件，包括：第一重分布衬底；半导体芯片，其设置在第一重分布衬底的顶表面上；导电结构，其设置在第一重分布衬底的顶表面上并且与半导体芯片间隔开；模塑层，其设置在第一重分布衬底上并且覆盖半导体芯片的侧表面和导电结构的侧表面；以及第二重分布衬底，其位于模塑层和导电结构上。导电结构包括设置在第一重分布衬底上的第一导电结构，以及设置在第一导电结构的顶表面上的第二导电结构。第二重分布衬底包括绝缘层。第二导电结构的顶表面的至少一部分与第二重分布衬底的绝缘层直接接触。
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公开(公告)号：CN109326605B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN201810788922.1
申请日：2018-07-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种垂直半导体器件可以包括导电图案结构、垫结构、多个沟道结构、多个第一虚设结构和多个第二虚设结构。导电图案结构可以在衬底的第一区域中并可以在第一方向上延伸。垫结构可以在衬底的第二区域中与衬底的第一区域的相反侧的每个相邻，并可以接触导电图案结构的侧部。沟道结构可以穿过导电图案结构延伸，并可以规则地布置在衬底上。第一虚设结构可以穿过导电图案结构延伸，并可以设置在衬底的第一区域的与衬底的第二区域相邻的部分中。第二虚设结构可以在衬底上穿过垫结构延伸。沟道结构的每个可以在第一方向上具有第一宽度，第一虚设结构的每个可以在第一方向上具有大于第一宽度的第二宽度。
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公开(公告)号：CN111199947A
公开(公告)日：2020-05-26
申请号：CN201911093382.6
申请日：2019-11-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/495
Abstract: 本发明提供一种扇出型半导体封装件。所述扇出型半导体封装件包括：半导体芯片；包封剂，覆盖所述半导体芯片；连接结构，设置在所述半导体芯片的下方；以及第一金属图案层和第二金属图案层，设置在所述半导体芯片的不同高度上，其中，所述第一金属图案层设置为电连接到诸如框架的电连接构件，设置用于封装件的通过经过所述第二金属图案层的路径的在竖直方向上的电连接。
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