公开(公告)号：CN109273368B

公开(公告)日：2023-07-21

申请号：CN201810779981.2

申请日：2018-07-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金相昱 ,  金宣澈 ,  薛珍暻 ,  张炳旭

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L23/31

Abstract: 本发明公开一种制造半导体封装件的方法。至少一个半导体芯片安装在封装衬底上。绝缘模制层在其中形成有导电连接构件的区中形成在具有至少一个凹槽的半导体芯片的两侧处，所述凹槽在模制层内界定一个或多个突出部。中间层定位在具有导电连接构件的突出部上，所述导电连接构件在封装的上表面上的导电垫与封装衬底的下表面上的导电垫之间进行连接并提供电连接。突出部可通过在中间层的下表面与封装衬底的上表面之间界定垂直间距来将中间层定位在垂直方向上。突出部还可将中间层定位在一个或多个水平方向上及/或在将中间层连接到封装衬底期间防止实质性移动。底部填充树脂层可被注入到中间层与封装衬底之间的其余空间中。

公开(公告)号：CN104576557A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201410512875.X

申请日：2014-09-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金相昱

IPC: H01L23/31

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L23/13 ,  H01L23/28 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3675 ,  H01L23/42 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49833 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5385 ,  H01L25/10 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/107 ,  H01L2225/1094 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供了一种半导体封装件装置，所述半导体封装件装置包括下封装件、设置在下封装件上并且包括接地层和至少一个开口的插入件、位于插入件上的上封装件。下封装件包括第一封装件基板、位于第一封装件基板上的第一半导体芯片以及位于第一封装件基板上的第一模制化合物层。上封装件包括第二封装件基板和位于第二封装件基板上的至少一个上半导体芯片。热传递构件包括设置在插入件和上封装件之间的第一部分，设置在插入件的至少一个开口中的第二部分以及设置在插入件和下封装件之间的第三部分。

公开(公告)号：CN114171466A

公开(公告)日：2022-03-11

申请号：CN202110642043.X

申请日：2021-06-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金相昱

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/498 ,  H01L25/18

Abstract: 一种半导体封装件包括：封装基板；第一凸块和第二凸块，位于所述封装基板的下表面上；半导体芯片，位于所述封装基板的上表面上；第一连接图案和第二连接图案，位于所述封装基板的所述上表面上；模制件，位于所述封装基板的所述上表面上，并且覆盖所述半导体芯片；翘曲控制层，位于所述模制件上；上绝缘层，位于所述翘曲控制层上；第一开口，穿过所述上绝缘层并暴露所述翘曲控制层的上表面；第二开口，在所述半导体封装件的俯视图中与所述第一开口交叠，所述第二开口穿过所述翘曲控制层并暴露所述第一连接图案；以及第三开口，穿过所述上绝缘层并暴露所述第二连接图案。

公开(公告)号：CN114121925A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202110871647.1

申请日：2021-07-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金俊成 ,  权容焕 ,  金相昱

IPC: H01L25/18 ,  H01L23/31 ,  H01L23/488 ,  H01L23/544

Abstract: 提供了一种半导体封装件。该半导体封装件包括：半导体芯片的芯片焊盘，芯片焊盘包括芯片焊盘的第一表面中的连接部分和测试部分；阻挡层，其覆盖芯片焊盘，所述阻挡层限定第一开口和与第一开口分开的第二开口，所述第一开口暴露出芯片焊盘的连接部分，并且第二开口暴露出芯片焊盘的测试部分；以及重分布结构。

公开(公告)号：CN110676242B

公开(公告)日：2025-01-24

申请号：CN201910601357.8

申请日：2019-07-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金相昱

IPC: H01L23/544 ,  H01L23/498 ,  H01L21/48

Abstract: 公开了半导体封装件及其制造方法。半导体封装件包括在第一基板上的第一半导体芯片，覆盖第一半导体芯片的侧壁并且包括至少两个引导孔的第一模塑层，所述引导孔暴露第一基板并且在第一基板的周边中彼此间隔开。第一模塑层上的第二基板，第一基板和第二基板之间的连接端子并将第一基板和第二基板彼此连接，以及从第二基板的底表面延伸到第一模塑层的至少两个引导孔中的每一个中的对准结构。对准结构的高度大于第一模塑层或第一半导体芯片的高度。

公开(公告)号：CN110676242A

公开(公告)日：2020-01-10

申请号：CN201910601357.8

申请日：2019-07-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金相昱

IPC: H01L23/544 ,  H01L23/498 ,  H01L21/48

Abstract: 公开了半导体封装件及其制造方法。半导体封装件包括在第一基板上的第一半导体芯片，覆盖第一半导体芯片的侧壁并且包括至少两个引导孔的第一模塑层，所述引导孔暴露第一基板并且在第一基板的周边中彼此间隔开。第一模塑层上的第二基板，第一基板和第二基板之间的连接端子并将第一基板和第二基板彼此连接，以及从第二基板的底表面延伸到第一模塑层的至少两个引导孔中的每一个中的对准结构。对准结构的高度大于第一模塑层或第一半导体芯片的高度。

公开(公告)号：CN109273368A

公开(公告)日：2019-01-25

申请号：CN201810779981.2

申请日：2018-07-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金相昱 ,  金宣澈 ,  薛珍暻 ,  张炳旭

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L23/31

Abstract: 本发明公开一种制造半导体封装件的方法。至少一个半导体芯片安装在封装衬底上。绝缘模制层在其中形成有导电连接构件的区中形成在具有至少一个凹槽的半导体芯片的两侧处，所述凹槽在模制层内界定一个或多个突出部。中间层定位在具有导电连接构件的突出部上，所述导电连接构件在封装的上表面上的导电垫与封装衬底的下表面上的导电垫之间进行连接并提供电连接。突出部可通过在中间层的下表面与封装衬底的上表面之间界定垂直间距来将中间层定位在垂直方向上。突出部还可将中间层定位在一个或多个水平方向上及/或在将中间层连接到封装衬底期间防止实质性移动。底部填充树脂层可被注入到中间层与封装衬底之间的其余空间中。

公开(公告)号：CN104576557B

公开(公告)日：2018-08-10

申请号：CN201410512875.X

申请日：2014-09-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金相昱

IPC: H01L23/31

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L23/13 ,  H01L23/28 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3675 ,  H01L23/42 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49833 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5385 ,  H01L25/10 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/107 ,  H01L2225/1094 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供了一种半导体封装件装置，所述半导体封装件装置包括下封装件、设置在下封装件上并且包括接地层和至少一个开口的插入件、位于插入件上的上封装件。下封装件包括第一封装件基板、位于第一封装件基板上的第一半导体芯片以及位于第一封装件基板上的第一模制化合物层。上封装件包括第二封装件基板和位于第二封装件基板上的至少一个上半导体芯片。热传递构件包括设置在插入件和上封装件之间的第一部分，设置在插入件的至少一个开口中的第二部分以及设置在插入件和下封装件之间的第三部分。

公开(公告)号：CN118380443A

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN202311321624.9

申请日：2023-10-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金相昱

IPC: H01L27/146

Abstract: 根据实施例的图像传感器封装包括：图像传感器芯片，具有在中心部分处的感测区域和围绕感测区域的外部区域；透明衬底，与图像传感器芯片间隔开并在图像传感器芯片上方，并且覆盖图像传感器芯片；接合结构，设置在图像传感器芯片与透明衬底之间，并且设置在外部区域的上表面上；以及封装衬底，封装衬底上安装有图像传感器芯片并且封装衬底电连接到图像传感器芯片，其中，在平面上，图像传感器芯片包括光吸收层，光吸收层包围感测区域的边缘，并且具有沿外周朝向接合结构突出的图案。

公开(公告)号：CN115224006A

公开(公告)日：2022-10-21

申请号：CN202210033078.8

申请日：2022-01-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金相昱

IPC: H01L23/64 ,  H01L21/66 ,  H01L23/31 ,  H01L23/538

Abstract: 提供了半导体封装件和制造半导体封装件的方法。所述半导体封装件包括：第一再分布基板；连接基板，所述连接基板位于所述第一再分布基板上并且具有穿透所述连接基板的第一开口和第二开口；半导体芯片，所述半导体芯片位于所述第一再分布基板上并且位于所述连接基板的所述第一开口中；芯片模块，所述芯片模块位于所述第一再分布基板上并且位于所述连接基板的所述第二开口中；以及模制层，所述模制层覆盖所述半导体芯片、所述芯片模块和所述连接基板。所述芯片模块包括内基板和位于所述内基板上的第一无源器件。在所述第二开口中，所述模制层在所述内基板上覆盖所述第一无源器件。