公开(公告)号：CN1982923A

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：CN200610109194.4

申请日：2006-08-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裵纪德 ,  宋寅成 ,  李昌承 ,  金俊成 ,  金圣雄 ,  金佑植

IPC: G02B5/20 ,  G02F1/1335

Abstract: 本发明涉及一种制造滤色器的黑矩阵的方法。在该方法中，由疏水有机材料形成的黑矩阵层形成在透明基板的上表面上。通过构图该黑矩阵层来形成黑矩阵。该黑矩阵的侧表面通过将紫外线辐照到该透明基板的下表面上同时加热该黑矩阵而被亲水化。

公开(公告)号：CN115903092A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202211108166.6

申请日：2022-09-13

Applicant: 三星电子株式会社 ,  成均馆大学校产学协力团

Inventor： 李政烨 ,  廉根永 ,  金熙株 ,  洪宗佑 ,  金琏熙 ,  裵纪德 ,  裵海洙

IPC: G02B1/00 ,  G02B5/18

Abstract: 提供一种超光学器件以及制造超表面的方法。超光学器件包括基板和纳米结构，其中该纳米结构包括在直径和周期中的至少一个方面不同的第一部分和第二部分，其中第二部分的蚀刻深度与第一部分的蚀刻深度的比率为约0.9至约1.1，并且该纳米结构包括硫、氟和碳氟化合物中的至少一种。

公开(公告)号：CN101013219B

公开(公告)日：2011-07-27

申请号：CN200610148645.5

申请日：2006-11-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金圣雄 ,  金佑植 ,  车泰运 ,  裵纪德 ,  金晟镇 ,  辛承柱 ,  白锡淳

IPC: G02F1/1335 ,  G03F7/20 ,  G02B5/23

Abstract: 根据本发明提供了一种制备滤色器的黑矩阵的方法，其包括：在透明基板的表面上形成憎水有机材料的光遮挡层；通过构图光遮挡层形成了黑矩阵；在黑矩阵的顶表面上形成阻挡层；以及加热形成有阻挡层的黑矩阵，并使用紫外光照射黑矩阵的上部分。

公开(公告)号：CN101013219A

公开(公告)日：2007-08-08

申请号：CN200610148645.5

申请日：2006-11-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金圣雄 ,  金佑植 ,  车泰运 ,  裵纪德 ,  金晟镇 ,  辛承柱 ,  白锡淳

IPC: G02F1/1335 ,  G03F7/20 ,  G02B5/23

Abstract: 根据本发明提供了一种制备滤色器的黑矩阵的方法，其包括：在透明基板的表面上形成憎水有机材料的光遮挡层；通过构图光遮挡层形成了黑矩阵；在黑矩阵的顶表面上形成阻挡层；以及加热形成有阻挡层的黑矩阵，并使用紫外光照射黑矩阵的上部分。