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发明公开
超光学器件以及制造超表面的方法审中-实审

公开(公告)号：CN115903092A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202211108166.6

申请日：2022-09-13

Applicant: 三星电子株式会社 , 成均馆大学校产学协力团

Inventor： 李政烨 , 廉根永 , 金熙株 , 洪宗佑 , 金琏熙 , 裵纪德 , 裵海洙

IPC: G02B1/00 , G02B5/18

Abstract: 提供一种超光学器件以及制造超表面的方法。超光学器件包括基板和纳米结构，其中该纳米结构包括在直径和周期中的至少一个方面不同的第一部分和第二部分，其中第二部分的蚀刻深度与第一部分的蚀刻深度的比率为约0.9至约1.1，并且该纳米结构包括硫、氟和碳氟化合物中的至少一种。

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