公开(公告)号：CN109326605B

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN201810788922.1

申请日：2018-07-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权俊瑛 ,  金伸泳 ,  孙仑焕 ,  李栽姃 ,  金俊成 ,  李承民

IPC: H10B41/20 ,  H10B41/35

Abstract: 一种垂直半导体器件可以包括导电图案结构、垫结构、多个沟道结构、多个第一虚设结构和多个第二虚设结构。导电图案结构可以在衬底的第一区域中并可以在第一方向上延伸。垫结构可以在衬底的第二区域中与衬底的第一区域的相反侧的每个相邻，并可以接触导电图案结构的侧部。沟道结构可以穿过导电图案结构延伸，并可以规则地布置在衬底上。第一虚设结构可以穿过导电图案结构延伸，并可以设置在衬底的第一区域的与衬底的第二区域相邻的部分中。第二虚设结构可以在衬底上穿过垫结构延伸。沟道结构的每个可以在第一方向上具有第一宽度，第一虚设结构的每个可以在第一方向上具有大于第一宽度的第二宽度。

公开(公告)号：CN109326605A

公开(公告)日：2019-02-12

申请号：CN201810788922.1

申请日：2018-07-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权俊瑛 ,  金伸泳 ,  孙仑焕 ,  李栽姃 ,  金俊成 ,  李承民

IPC: H01L27/11551 ,  H01L27/11524

Abstract: 一种垂直半导体器件可以包括导电图案结构、垫结构、多个沟道结构、多个第一虚设结构和多个第二虚设结构。导电图案结构可以在衬底的第一区域中并可以在第一方向上延伸。垫结构可以在衬底的第二区域中与衬底的第一区域的相反侧的每个相邻，并可以接触导电图案结构的侧部。沟道结构可以穿过导电图案结构延伸，并可以规则地布置在衬底上。第一虚设结构可以穿过导电图案结构延伸，并可以设置在衬底的第一区域的与衬底的第二区域相邻的部分中。第二虚设结构可以在衬底上穿过垫结构延伸。沟道结构的每个可以在第一方向上具有第一宽度，第一虚设结构的每个可以在第一方向上具有大于第一宽度的第二宽度。

公开(公告)号：CN115472618A

公开(公告)日：2022-12-13

申请号：CN202210664538.7

申请日：2022-06-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金佐燮 ,  甄东敏 ,  金伸泳 ,  朴海英 ,  曹永善 ,  许昌铉

IPC: H01L27/11548 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11529

Abstract: 一种半导体装置包括：存储器单元区域，其定位在基板上并且包括真实存储器单元区域和伪存储器单元区域；以及连接区域，其在存储器单元区域中在平行于基板的表面的第一方向上延伸。伪存储器单元区域包括彼此间隔开的多个伪垂直沟道结构。所述多个伪垂直沟道结构中的每一个包括在穿透堆叠结构的同时与基板接触的垂直沟道图案，堆叠结构包括在垂直于基板的表面的第三方向上重复堆叠的多个绝缘层和多个栅电极。保护图案被设置为围绕所述多个伪垂直沟道结构中的至少一个的垂直沟道图案。