公开(公告)号：CN110610855B

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN201910171174.7

申请日：2019-03-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑会晟 ,  姜太星 ,  申东石 ,  李公洙 ,  李准原

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/324 ,  H10B12/00

Abstract: 提供了一种制造半导体装置的方法。所述方法可以包括在基底的核心‑外围区域上形成栅极结构。基底还可以包括单元区域。所述方法还可以包括在栅极结构的侧壁上形成栅极间隔件；通过执行第一离子注入工艺在基底的核心‑外围区域中形成与栅极间隔件相邻的第一杂质区域；去除栅极间隔件；通过执行第二离子注入工艺在基底的核心‑外围区域中并且在栅极结构和第一杂质区域之间形成第二杂质区域；在栅极结构、第一杂质区域的上表面和第二杂质区域的上表面上形成应力膜；通过由于执行退火工艺使第一杂质区域和第二杂质区域结晶来形成再结晶区域。

公开(公告)号：CN110993637B

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN201910839913.5

申请日：2019-09-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜玧求 ,  徐昌佑 ,  李多仁 ,  李昱烈 ,  郑会晟

IPC: H10B63/10 ,  H10N70/00

Abstract: 本公开涉及可变电阻存储器件。所述可变电阻存储器件包括布置在衬底上的存储单元和位于存储单元之间的绝缘结构。每个所述存储单元包括竖直堆叠在所述衬底上的可变电阻图案和开关图案。所述绝缘结构包括位于所述存储单元之间的第一绝缘图案以及位于第一绝缘图案与每个所述存储单元之间的第二绝缘图案。所述第一绝缘图案包括与所述第二绝缘图案的材料不同的材料。

公开(公告)号：CN107039507B

公开(公告)日：2021-07-13

申请号：CN201611034830.1

申请日：2016-11-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金真范 ,  姜明吉 ,  文康薰 ,  李峭蒑 ,  郑秀珍 ,  崔珉姬 ,  许洋 ,  申东石 ,  李宽钦 ,  郑会晟

IPC: H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

Abstract: 一种半导体器件可以包括第一有源鳍、多个第二有源鳍、第一源/漏极层结构以及第二源/漏极层结构。第一有源鳍可以在基板的第一区域上。第二有源鳍可以在基板的第二区域上。第一栅结构和第二栅结构可以分别在第一有源鳍和第二有源鳍上。第一源/漏极层结构可以在第一有源鳍的与第一栅结构相邻的部分上。第二源/漏极层结构可以共同地接触第二有源鳍的邻近于第二栅结构的上表面，第二源/漏极层结构的顶表面可以比第一源/漏极层状结构的顶表面到基板的表面更远离基板的表面。

公开(公告)号：CN103839944B

公开(公告)日：2019-03-22

申请号：CN201310585436.7

申请日：2013-11-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申东石 ,  姜显澈 ,  卢东贤 ,  朴判贵 ,  慎居明 ,  李来寅 ,  李哲雄 ,  郑会晟 ,  金永倬

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明公开了一种包括凹槽中的应力源的半导体器件和形成该半导体器件的方法。所述方法可以包括在有源区中形成沟槽，所述沟槽可以包括所述有源区的凹口部分。所述方法还可以包括在所述沟槽中形成嵌入式应力源。所述嵌入式应力源可以包括下部半导体层和上部半导体层，所述上部半导体层的宽度窄于所述下部半导体层的宽度。所述上部半导体层的侧部可以不与所述下部半导体层的侧部对准，并且所述上部半导体层的最上表面可以高于所述有源区的最上表面。

公开(公告)号：CN103456770B

公开(公告)日：2018-04-27

申请号：CN201310219256.7

申请日：2013-06-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申东石 ,  金明宣 ,  南性真 ,  朴判贵 ,  郑会晟 ,  李来寅

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/1104 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/28247 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L27/088 ,  H01L27/1116 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/16 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/45 ,  H01L29/513 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66575 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7845 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78696

Abstract: 提供了一种具有嵌入式应变诱导图案的半导体装置及其形成方法。在半导体装置中，第一有源区域具有第一∑形状，第二有源区域具有第二∑形状。当垂直于基底并且经过第一区域中的第一栅电极的侧表面的线被限定为第一垂直线时，当垂直于基底并且经过第二区域中的第二栅电极的侧表面的线被限定为第二垂直线时，当第一垂直线和第一沟槽之间的最短距离被限定为第一水平距离时，当第二垂直线和第二沟槽之间的最短距离被限定为第二水平距离时，第一水平距离和第二水平距离之间的差等于或小于1nm。

公开(公告)号：CN102130125A

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN201010623026.3

申请日：2010-12-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林夏珍 ,  金明宣 ,  郑会晟 ,  都晋昈 ,  金元洪 ,  宋文均 ,  朱大权

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/04 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/823807 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/66651 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：装置隔离层，布置在半导体基底的预定区域上，以限定有源区，所述有源区包括(100)晶面的中央顶表面和从所述中央顶表面延伸到所述装置隔离层的倾斜边缘表面；半导体图案，覆盖所述有源区的所述中央顶表面和所述倾斜边缘表面，所述半导体图案包括(100)晶面的与所述有源区的所述中央顶表面平行的平坦顶表面和与所述平坦顶表面基本上和/或完全地垂直的侧壁；栅极图案，与所述半导体图案叠置。

公开(公告)号：CN110060999B

公开(公告)日：2023-11-03

申请号：CN201910156871.5

申请日：2013-11-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申东石 ,  姜显澈 ,  卢东贤 ,  朴判贵 ,  慎居明 ,  李来寅 ,  李哲雄 ,  郑会晟 ,  金永倬

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/02 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/167 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种包括凹槽中的应力源的半导体器件和形成该半导体器件的方法。所述方法可以包括在有源区中形成沟槽，所述沟槽可以包括所述有源区的凹口部分。所述方法还可以包括在所述沟槽中形成嵌入式应力源。所述嵌入式应力源可以包括下部半导体层和上部半导体层，所述上部半导体层的宽度窄于所述下部半导体层的宽度。所述上部半导体层的侧部可以不与所述下部半导体层的侧部对准，并且所述上部半导体层的最上表面可以高于所述有源区的最上表面。

公开(公告)号：CN107644807B

公开(公告)日：2020-10-23

申请号：CN201710831804.X

申请日：2013-06-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申东石 ,  金明宣 ,  南性真 ,  朴判贵 ,  郑会晟 ,  李来寅

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/306 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/088 ,  H01L27/11 ,  H01L29/08 ,  H01L29/16 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/45 ,  H01L29/51 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L29/10 ,  H01L29/786

Abstract: 提供了一种半导体装置和电子装置。在半导体装置中，第一有源区域具有第一∑形状，第二有源区域具有第二∑形状。当垂直于基底并且经过第一区域中的第一栅电极的侧表面的线被限定为第一垂直线时，当垂直于基底并且经过第二区域中的第二栅电极的侧表面的线被限定为第二垂直线时，当第一垂直线和第一沟槽之间的最短距离被限定为第一水平距离时，当第二垂直线和第二沟槽之间的最短距离被限定为第二水平距离时，第一水平距离和第二水平距离之间的差等于或小于1nm。

公开(公告)号：CN110060999A

公开(公告)日：2019-07-26

申请号：CN201910156871.5

申请日：2013-11-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申东石 ,  姜显澈 ,  卢东贤 ,  朴判贵 ,  慎居明 ,  李来寅 ,  李哲雄 ,  郑会晟 ,  金永倬

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/02 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/167 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种包括凹槽中的应力源的半导体器件和形成该半导体器件的方法。所述方法可以包括在有源区中形成沟槽，所述沟槽可以包括所述有源区的凹口部分。所述方法还可以包括在所述沟槽中形成嵌入式应力源。所述嵌入式应力源可以包括下部半导体层和上部半导体层，所述上部半导体层的宽度窄于所述下部半导体层的宽度。所述上部半导体层的侧部可以不与所述下部半导体层的侧部对准，并且所述上部半导体层的最上表面可以高于所述有源区的最上表面。

公开(公告)号：CN102130125B

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：CN201010623026.3

申请日：2010-12-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林夏珍 ,  金明宣 ,  郑会晟 ,  都晋昈 ,  金元洪 ,  宋文均 ,  朱大权

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/04 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/823807 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/66651 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：装置隔离层，布置在半导体基底的预定区域上，以限定有源区，所述有源区包括(100)晶面的中央顶表面和从所述中央顶表面延伸到所述装置隔离层的倾斜边缘表面；半导体图案，覆盖所述有源区的所述中央顶表面和所述倾斜边缘表面，所述半导体图案包括(100)晶面的与所述有源区的所述中央顶表面平行的平坦顶表面和与所述平坦顶表面基本上和/或完全地垂直的侧壁；栅极图案，与所述半导体图案叠置。