公开(公告)号：CN1728399A

公开(公告)日：2006-02-01

申请号：CN200410103884.X

申请日：2004-11-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申尚旻 ,  金锡必 ,  朴永洙 ,  李正贤 ,  具俊谟

IPC: H01L29/00 ,  H01L27/10 ,  H01L21/28 ,  H01L21/316 ,  H01L21/82 ,  H01G4/33 ,  H01G4/008 ,  H01G4/08

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L28/55 ,  H01L28/65 ,  Y10T29/417

Abstract: 一种铁电电容器，其中包括：包含Ir和Ru合金的第一电极；设置在第一电极上的铁电层；以及设置在铁电层上的第二电极。一种铁电存储器，包括基底和基底上设置的多个存储器单元。每一存储器单元包括：含有Ir和Ru合金的第一电极；设置在第一电极上的铁电层；以及设置在铁电层上的第二电极。

公开(公告)号：CN1519939A

公开(公告)日：2004-08-11

申请号：CN03156671.5

申请日：2003-09-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申尚旻 ,  李容均 ,  姜保守 ,  卢泰元 ,  尹钟杰

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/82 ,  G11C11/22

CPC classification number: H01L28/56 ,  H01L28/65

Abstract: 本发明公开了一种铁电电容器及其制造方法。该铁电电容器包括顺序叠置的下电极、电介质层和上电极，其中电介质层为由顺序叠置的铁电膜形成的多层，并且相邻的铁电膜具有不同的成分或不同的成分比例。通过使用该铁电电容器，可保持铁电畴的稳定的极化状态很长的保持时间，并且由此可精确地读出很长时间以前写入铁电电容器的数据，因此，改善了铁电随机存取存储器(FRAM)的可靠性。

公开(公告)号：CN101030592B

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN200610135956.8

申请日：2006-10-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申尚旻 ,  金庸洙 ,  朴允童

IPC: H01L27/22 ,  H01L23/522 ,  G11C11/02

CPC classification number: G11C11/14 ,  G11C19/0808 ,  G11C19/0841

Abstract: 本发明提供一种磁存储器件，其能够利用金属线读和写信息。该磁存储器件包括：多个第一金属线，在衬底上彼此平行布置并具有磁化方向可转换的连续磁化区域；多个第二金属线，垂直交叉该第一金属线地布置在该衬底上并具有该第一金属线从其通过的隧道；第一输入单元，连接到该第一金属线并提供电流来拖动该磁化区域；第二输入单元，连接到该第二金属线并应用电流来转换该隧道内该磁化区域的磁化方向；及检测单元，连接到该第二金属线并检测由通过该隧道的磁畴壁引起的电动势。因此，该磁存储器件可以通过在衬底上交叉金属线而简单地制造，并能通过根据感应电动势的存在识别位信息而准确地读和写信息。

公开(公告)号：CN101192532B

公开(公告)日：2011-07-06

申请号：CN200710196320.9

申请日：2007-11-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 薛光洙 ,  闵耀社 ,  申尚旻

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/288 ,  H01L29/51 ,  H01L29/792

CPC classification number: H01L29/792 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/7883 ,  Y10T428/31678

Abstract: 本发明提供了一种电荷捕获层、一种制造该电荷捕获层的方法和一种在半导体基底上包括该电荷捕获层的电荷捕获型半导体存储装置。这种制造电荷捕获层的方法包括：(a)在半导体基底的将要沉积的表面上涂覆第一前驱物材料，并将第一前驱物材料氧化，以形成由绝缘材料形成的第一层；(b)在第一层上涂覆由金属特征的材料形成的第二前驱物材料；(c)在涂覆有第二前驱物材料的表面上供应第一前驱物材料，以用第一前驱物材料取代第二前驱物材料的一部分；(d)将在步骤(c)中获得的第一前驱物材料和第二前驱物材料氧化，以形成由绝缘材料和金属杂质形成的第二层。对步骤(a)至步骤(d)执行至少一次，从而形成具有金属杂质被隔离在绝缘材料中的结构的电荷捕获层。

公开(公告)号：CN101192532A

公开(公告)日：2008-06-04

申请号：CN200710196320.9

申请日：2007-11-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 薛光洙 ,  闵耀社 ,  申尚旻

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/288 ,  H01L29/51 ,  H01L29/792

CPC classification number: H01L29/792 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/7883 ,  Y10T428/31678

Abstract: 本发明提供了一种电荷捕获层、一种制造该电荷捕获层的方法和一种在半导体基底上包括该电荷捕获层的电荷捕获型半导体存储装置。这种制造电荷捕获层的方法包括：(a)在半导体基底的将要沉积的表面上涂覆第一前驱物材料，并将第一前驱物材料氧化，以形成由绝缘材料形成的第一层；(b)在第一层上涂覆由金属特征的材料形成的第二前驱物材料；(c)在涂覆有第二前驱物材料的表面上供应第一前驱物材料，以用第一前驱物材料取代第二前驱物材料的一部分；(d)将在步骤(c)中获得的第一前驱物材料和第二前驱物材料氧化，以形成由绝缘材料和金属杂质形成的第二层。对步骤(a)至步骤(d)执行至少一次，从而形成具有金属杂质被隔离在绝缘材料中的结构的电荷捕获层。

公开(公告)号：CN101165901A

公开(公告)日：2008-04-23

申请号：CN200710161637.9

申请日：2007-09-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴祥珍 ,  薛光洙 ,  朴允童 ,  申尚旻 ,  黄仁俊 ,  崔相武 ,  朴珠姬

IPC: H01L27/115 ,  H01L29/78 ,  H01L29/51 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/42324 ,  G11C16/0408 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/42336 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/42352 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/792

Abstract: 本发明提供了一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置可包括半导体基底、至少一个控制栅电极，至少一层存储节点层、至少一层隧穿绝缘层、至少一层阻挡绝缘层和/或第一沟道区和第二沟道区。至少一个控制栅电极可凹进到半导体基底中。至少一层存储节点层可在至少一个控制栅电极的侧壁和半导体基底之间。至少一层隧穿绝缘层可在至少一层存储节点层和半导体基底之间。至少一层阻挡绝缘层可在存储节点层和控制栅电极之间。第一沟道区和第二沟道区可在至少一层隧穿绝缘层和半导体基底之间，以环绕控制栅电极的侧壁的至少一部分，和/或第一沟道区和第二沟道区可相互分离。

公开(公告)号：CN101114677A

公开(公告)日：2008-01-30

申请号：CN200610172731.X

申请日：2006-12-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申尚旻 ,  薛光洙 ,  陈暎究

IPC: H01L29/792 ,  H01L29/51 ,  H01L27/115 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L21/28282 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/42348 ,  H01L29/513 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/792

Abstract: 本发明提供了一种使用电荷俘获层作为存储节点的非易失半导体存储器装置及其制造方法。该非易失半导体存储器装置包括形成在半导体衬底上的隧穿绝缘层、在隧穿绝缘层上的由掺杂过渡金属的介电层形成的电荷俘获层、形成在电荷俘获层上的阻挡绝缘层和形成在阻挡绝缘层上的栅电极。该介电层是高k介电层，例如HfO2层。因此，非易失半导体存储器装置的数据保持特性能够改善，因为通过向高k介电层掺杂过渡金属而形成了深陷阱。

公开(公告)号：CN1652336A

公开(公告)日：2005-08-10

申请号：CN200510056566.7

申请日：2005-01-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申尚旻 ,  具俊谟 ,  金锡必 ,  赵重来

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/82 ,  H01L21/28 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L28/65 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/55

Abstract: 本发明提供了一种电容器、包括该电容器的存储器件，以及制造该电容器和该存储器件的方法。该电容器包括下电极，形成在下电极上的介质膜，以及形成在介质膜上的上电极，该下电极是由贵金属合金构成的单层。

公开(公告)号：CN100477229C

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200510084791.1

申请日：2005-07-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴允童 ,  徐顺爱 ,  赵重来 ,  金元柱 ,  申尚旻

IPC: H01L27/115 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7926 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/7887 ,  H01L29/7923

Abstract: 本发明公开一种多位非易失性存储器件、操作该器件的方法以及制造多位非易失性存储器件的方法。形成在半导体衬底上的多位非易失性存储器件的单位单元包括：垂直于半导体衬底的上表面设置的多个沟道；垂直于半导体衬底的上表面在沟道相对侧设置的多个存储节点；围绕沟道及存储节点的上部分和存储节点的侧表面的控制栅极；以及形成在沟道和存储节点之间、沟道和控制栅极之间、以及存储节点和控制栅极之间的绝缘膜。

公开(公告)号：CN100477226C

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200510103902.9

申请日：2005-09-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金元柱 ,  朴允童 ,  李殷洪 ,  徐顺爱 ,  申尚旻 ,  李政勋 ,  张丞爀

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/112

CPC classification number: G11C11/5621 ,  B82Y10/00 ,  G11C11/5607 ,  G11C11/5628 ,  G11C11/5657 ,  G11C13/025 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/28291 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/4232 ,  H01L29/7923

Abstract: 公开了一种多位闪速存储器件及其操作方法。该多位闪速存储器件包括：堆叠结构，该堆叠结构包括：设置在衬底上具有台面形状的第一有源层；第二有源层，在第一有源层上形成且具有与第一有源层不同的导电类型；有源层间隔离层，插置在第一有源层与第二有源层之间以便将第一有源层从第二有源层电隔离；公共源极和公共漏极，在堆叠结构的一对相对的侧表面上形成；公共第一栅极和公共第二栅极，在堆叠结构的另外一对相对的侧表面上形成；隧道介质层，插置在第一和第二栅极与第一和第二有源层之间；以及电荷捕集层，插置在隧道介质层与第一和第二栅极之间，存储隧穿隧道介质层的电荷。