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公开(公告)号：CN1767008B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200510092408.7
申请日：2005-08-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供一种具有叠层软磁衬层(SUL)的垂直磁记录介质，更具体地，提供一种包括形成在衬底上的垂直磁记录层和叠层SUL的记录介质。该SUL包括插入在叠层结构之间的反铁磁层，该叠层结构包括磁层、非磁性层和磁层。所述层均具有20nm或更小的厚度，且该反铁磁层下面的所述层比该反铁磁层上面的所述层薄。形成在该反铁磁层上面和下面的该叠层结构具有通过交换偏置设置在彼此相反的径向方向上的单向磁各向异性。结果，介质磁畴噪声可减小。
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公开(公告)号：CN101490750A
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200780026478.X
申请日：2007-05-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B5/127
CPC classification number: G11B9/02
Abstract: 本发明提供了用于从信息存储介质的表面电荷读取信息的电场信息读头，该电场信息读头包括：半导体衬底，具有在面向记录介质的表面的一端的中部中形成的电阻区域，该电阻区域用杂质轻掺杂；以及源极区域和漏极区域，在电阻区域的两侧上形成，该源极区域和漏极区域与电阻区域相比用杂质更重地掺杂。源极区域和漏极区域沿半导体衬底的面向记录介质的表面延伸，电极分别与源极区域和漏极区域电连接。此外，本发明提供了电场信息读头的制造方法以及在晶片上批量制造电场信息读头的方法。
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公开(公告)号：CN100416657C
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200510092500.3
申请日：2005-08-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B5/31
CPC classification number: G11B5/3116 , G11B5/3143
Abstract: 本发明提供一种磁头，其具有减少杂散场的影响并且高速产生磁化反转的磁薄膜结构。所述磁头包括第一磁极、与所述第一磁极间隔开的第二磁极以及在第一和第二磁极内感应磁场的感应线圈，其中所述第一和第二磁极包括其中产生用于记录的漏磁通的磁极尖、引导磁通在磁极内流通的头轭、以及用于控制磁畴的至少一植入物，所述植入物形成在所述第一和第二磁极的至少一个中。所述磁薄膜能够有效地减少从外部进入的杂散场的影响，并且能够控制畴壁运动，使得高速磁记录通过对应于感应线圈施加的磁场产生高速磁化反转而成为可能。
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公开(公告)号：CN101022009A
公开(公告)日：2007-08-22
申请号：CN200610159511.3
申请日：2006-09-25
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B5/3116 , G11B5/1278 , G11B5/3967
Abstract: 本发明提供一种垂直磁记录头及其制造方法。该垂直磁记录头在垂直磁记录介质上记录信息或从其读取信息。该垂直磁记录头包括线圈、主极和返回极。线圈用作产生磁场的源。主极和返回极构成该磁场的磁路径。主极包括面对该垂直磁记录介质的末端。该末端包括相对于该垂直磁记录介质的移动方向用作前侧的前导部和用作后侧的尾部。该尾部的两个边缘被切，该前导部具有相对于ABS倾斜的平面。返回极具有与该主极间隔开的末端和与该主极连接的另一端。
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公开(公告)号：CN1855230A
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：CN200610076427.5
申请日：2006-04-20
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B5/1278 , G11B5/11
Abstract: 本发明提供了一种垂直磁记录头。该垂直磁记录头包括：数据记录模块，包括主极、返回极和在所述主极周围缠绕的线圈；数据再现模块，包括磁屏蔽层和位于磁屏蔽层之间的读取器件，其中，主极的下端的宽度在其向下的方向上逐渐减小，主极的下端包括第一部分和从第一部分延伸的第二部分，第一部分具有第一曲率的曲面，第二部分具有第二曲率的曲面。第一曲率可以等于第二曲率，或者也可以与第二曲率不同，在主极的下端的两侧还可包括磁屏蔽器件。
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公开(公告)号：CN1828769A
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：CN200610003205.0
申请日：2006-01-27
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L43/08 , B82Y10/00 , G11C11/16 , G11C11/5607 , H01L27/228
Abstract: 本发明提供了一种利用自旋极化电流的多位磁性存储装置及其制造和操作方法。所述磁性存储装置包括开关器件和连接到所述开关器件的磁性存储节点，其中，所述磁性存储节点包括彼此垂直并分开设置的第一磁性层、第二磁性层和自由磁性层，所述第一磁性层和所述第二磁性层具有彼此相反的自旋极化电子传输特性，并且具有彼此相反的磁极化。所述自由磁性层可包括彼此单独形成的第一自由磁性层和第二自由磁性层。所述磁性存储节点还可包括在所述第一自由磁性层和所述第二自由磁性层之间单独形成的第三磁性层和第四磁性层，所述第三磁性层和所述第四磁性层具有彼此相反的自旋极化电子传输特性，并且具有彼此相反的磁极化。
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公开(公告)号：CN1574068A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200310118841.4
申请日：2003-11-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供了一种高密度磁阻存储器及其制造方法。该磁阻存储器包括：存储信息的存储单元；导线，与该存储单元接触，以通过产生磁场来改变存储单元的磁化方向；以及至少一个磁通量聚集岛(FCI)，位于该导线与存储单元之间，以将磁通量聚集到该存储单元上。磁通量被聚集到该存储单元上，以减少所需的电流并提高了选择率，从而形成一个高密度且高度集成化的存储单元。
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公开(公告)号：CN101030592B
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN200610135956.8
申请日：2006-10-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/22 , H01L23/522 , G11C11/02
CPC classification number: G11C11/14 , G11C19/0808 , G11C19/0841
Abstract: 本发明提供一种磁存储器件，其能够利用金属线读和写信息。该磁存储器件包括：多个第一金属线，在衬底上彼此平行布置并具有磁化方向可转换的连续磁化区域；多个第二金属线，垂直交叉该第一金属线地布置在该衬底上并具有该第一金属线从其通过的隧道；第一输入单元，连接到该第一金属线并提供电流来拖动该磁化区域；第二输入单元，连接到该第二金属线并应用电流来转换该隧道内该磁化区域的磁化方向；及检测单元，连接到该第二金属线并检测由通过该隧道的磁畴壁引起的电动势。因此，该磁存储器件可以通过在衬底上交叉金属线而简单地制造，并能通过根据感应电动势的存在识别位信息而准确地读和写信息。
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公开(公告)号：CN100590714C
公开(公告)日：2010-02-17
申请号：CN200610114943.2
申请日：2006-08-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B5/3116 , G11B5/11 , G11B5/112 , G11B5/1278 , G11B5/3146
Abstract: 本发明提供了垂直磁记录头以及制造其的方法。该垂直磁头用于包括记录层的垂直磁记录介质，所述垂直磁头在所述记录层上方沿道的方向移动、在所述记录层上记录信息、以及从所述记录层上读所述信息，所述垂直磁头包括：主极；返回极，其末端与所述主极在空气轴承表面(ABS)分隔开；以及多个屏蔽件，其围绕所述主极并且具有分离结构。
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公开(公告)号：CN100578630C
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200510117761.6
申请日：2005-11-10
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B9/1409 , B82Y10/00 , G11B5/3106 , G11B5/3116
Abstract: 本发明提供了一种探针头和制造该探针头的方法。该探针头包括传感器单元，该传感器单元具有：传感器，其在预定的记录介质上记录数据或从预定的记录介质读取数据；第一屏蔽和第二屏蔽，以相互间预定的距离置于传感器的两侧；第一中间层和第二中间层，分别位于传感器和第一屏蔽之间以及传感器和第二屏蔽之间。该方法包括：提供基板；在基板上形成绝缘层；在绝缘层上形成第一屏蔽；在第一屏蔽上形成第一中间层；在第一中间层上形成传感器；在传感器上形成第二中间层；在第二中间层上形成第二屏蔽；在第二屏蔽上形成保护层。因此，可同时改进探针头的分辨能力和灵敏度，且可易于制造该探针头。
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