-
公开(公告)号：CN1655242A
公开(公告)日：2005-08-17
申请号：CN200510051776.7
申请日：2005-01-07
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B5/667 , G11B5/656 , G11B5/7325 , Y10T428/265
Abstract: 本发明提供一种垂直磁记录介质。该垂直磁记录介质包括Co基磁性记录层，支持磁性记录层的基底，和置于磁性记录层和基底之间的垂直取向底层。该垂直取向底层由含有1－65at.％Co的Ru－Co合金构成。通过得到与记录层有小的晶格失配的垂直取向底层，所述垂直磁记录介质可以获得良好的结晶性和良好的磁特性。
-
公开(公告)号：CN1767008A
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：CN200510092408.7
申请日：2005-08-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供一种具有叠层软磁衬层(SUL)的垂直磁记录介质，更具体地，提供一种包括形成在衬底上的垂直磁记录层和叠层SUL的记录介质。该SUL包括插入在叠层结构之间的反铁磁层，该叠层结构包括磁层、非磁性层和磁层。所述层均具有20nm或更小的厚度，且该反铁磁层下面的所述层比该反铁磁层上面的所述层薄。形成在该反铁磁层上面和下面的该叠层结构具有通过交换偏置设置在彼此相反的径向方向上的单向磁各向异性。结果，介质磁畴噪声可减小。
-
公开(公告)号：CN1767008B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200510092408.7
申请日：2005-08-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供一种具有叠层软磁衬层(SUL)的垂直磁记录介质，更具体地，提供一种包括形成在衬底上的垂直磁记录层和叠层SUL的记录介质。该SUL包括插入在叠层结构之间的反铁磁层，该叠层结构包括磁层、非磁性层和磁层。所述层均具有20nm或更小的厚度，且该反铁磁层下面的所述层比该反铁磁层上面的所述层薄。形成在该反铁磁层上面和下面的该叠层结构具有通过交换偏置设置在彼此相反的径向方向上的单向磁各向异性。结果，介质磁畴噪声可减小。
-
公开(公告)号：CN100538826C
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200510051776.7
申请日：2005-01-07
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B5/667 , G11B5/656 , G11B5/7325 , Y10T428/265
Abstract: 本发明提供一种垂直磁记录介质。该垂直磁记录介质包括Co基磁性记录层，支持磁性记录层的基底，和置于磁性记录层和基底之间的垂直取向底层。该垂直取向底层由含有1-65at.%Co的Ru-Co合金构成。通过得到与记录层有小的晶格失配的垂直取向底层，所述垂直磁记录介质可以获得良好的结晶性和良好的磁特性。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.017 seconds)
