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公开(公告)号：CN1750168B
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN200510092762.X
申请日：2005-08-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/228 , H01L43/08 , H01L43/12
Abstract: 本发明提供一种磁存储器件和操作该磁存储器件的方法，该磁存储器件具有一致翻转特性并且能够由低电流翻转。该磁存储器件包括具有圆柱形状和共轴形成的元件的MTJ(磁性隧道结)层。该MTJ层包括：被施加写电流的导电层、共轴形成在该导电层周围的绝缘层、以及形成在该绝缘层周围的材料层，该材料层与该导电层共轴并且具有多个磁层。该材料层至少包括沿该导电层顺序堆叠的下磁层、隧穿层和上磁层。当写电流施加到导电层时，在上磁层中感应闭合磁场并且上磁层的磁矩沿该闭合磁场排列。
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公开(公告)号：CN101388217B
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN200810214456.2
申请日：2008-08-26
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B5/1278 , G11B5/3116
Abstract: 本发明提供一种垂直磁记录(PMR)磁头及其制造方法。该PMR磁头包括：主磁极；线圈，其围绕主磁极成为螺线管型以使主磁极可以产生用于在记录媒介上记录数据所需的磁场；以及返回磁轭，其与主磁极一起形成磁场的磁路并且具有与主磁极相对设置的喉部，而且返回磁轭和主磁极之间具有间隙。该间隙设置在气垫面(ABS，air bearing surface)附近的一端比该间隙的另一端薄，使得喉部从间隙的该另一端向间隙的设置在气垫面附近的该一端变细。
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公开(公告)号：CN101145571B
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN200710154095.2
申请日：2007-09-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/15 , G11C19/0808
Abstract: 本发明提供了一种采用磁畴壁移动的存储器装置。该存储器装置包括写轨道和列结构。写轨道形成了具有预定的磁化方向的磁畴。列结构形成在写轨道上并包括至少一个互连层和至少一个存储轨道。
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公开(公告)号：CN100557702C
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200310118841.4
申请日：2003-11-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供了一种高密度磁阻存储器及其制造方法。该磁阻存储器包括：存储信息的存储单元；导线，与该存储单元接触，以通过产生磁场来改变存储单元的磁化方向；以及至少一个磁通量聚集岛(FCI)，位于该导线与存储单元之间，以将磁通量聚集到该存储单元上。磁通量被聚集到该存储单元上，以减少所需的电流并提高了选择率，从而形成一个高密度且高度集成化的存储单元。
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公开(公告)号：CN101388217A
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200810214456.2
申请日：2008-08-26
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B5/1278 , G11B5/3116
Abstract: 本发明提供一种垂直磁记录(PMR)磁头及其制造方法。该PMR磁头包括：主磁极；线圈，其围绕主磁极成为螺线管型以使主磁极可以产生用于在记录媒介上记录数据所需的磁场；以及返回磁轭，其与主磁极一起形成磁场的磁路并且具有与主磁极相对设置的喉部，而且返回磁轭和主磁极之间具有间隙。该间隙设置在气垫面(ABS，air bearing surface)附近的一端比该间隙的另一端薄，使得喉部从间隙的该另一端向间隙的该一端变细。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101025999A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200610121657.9
申请日：2006-08-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/15 , G11C11/5607 , G11C19/0808 , H01L27/228
Abstract: 本发明提供一种利用磁畴牵引的磁存储器件。该磁存储器件包括：存储区域、输入部件和检测部件。所述存储区域包括具有毗邻的分区和磁畴壁的自由层、形成为与所述分区对应且具有固定的磁化方向的被钉扎层、以及形成在所述自由层与所述被钉扎层之间的非磁层。所述存储区域包括用于使所述磁畴壁停止的磁畴壁截止器，其形成在所述分区的各边界处。所述输入部件电连接到所述自由层的一端从而输入用于磁畴牵引的牵引信号。所述检测部件测量流过所述存储区域的电流。
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公开(公告)号：CN1822220A
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200610001111.X
申请日：2006-01-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/22
CPC classification number: G11B9/02 , G11C11/5657 , Y10S977/947
Abstract: 本发明提供了一种铁电记录介质及其写入方法。该铁电记录介质包括：铁电层，当接收预定的矫顽电压时铁电层反转其极化；非易失性各向异性导电层，形成在铁电层上。当各向异性导电层接收低于矫顽电压的第一电压时，其电阻减小，当各向异性导电层接收高于矫顽电压的第二电压时，其电阻增大。通过铁电层的极化状态和各向异性导电层的电阻的结合来存储多位信息。因此，可在铁电记录介质的一个畴上表示多位信息。
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公开(公告)号：CN100573707C
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200610121657.9
申请日：2006-08-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/15 , G11C11/5607 , G11C19/0808 , H01L27/228
Abstract: 本发明提供一种利用磁畴牵引的磁存储器件。该磁存储器件包括：存储区域、输入部件和检测部件。所述存储区域包括具有毗邻的分区和磁畴壁的自由层、形成为与所述分区对应且具有固定的磁化方向的被钉扎层、以及形成在所述自由层与所述被钉扎层之间的非磁层。所述存储区域包括用于使所述磁畴壁停止的磁畴壁截止器，其形成在所述分区的各边界处。所述输入部件电连接到所述自由层的一端从而输入用于磁畴牵引的牵引信号。所述检测部件测量流过所述存储区域的电流。
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公开(公告)号：CN100505090C
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200610001111.X
申请日：2006-01-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/22
CPC classification number: G11B9/02 , G11C11/5657 , Y10S977/947
Abstract: 本发明提供了一种铁电记录介质及其写入方法。该铁电记录介质包括：铁电层，当接收预定的矫顽电压时铁电层反转其极化；非易失性各向异性导电层，形成在铁电层上。当各向异性导电层接收低于矫顽电压的第一电压时，其电阻减小，当各向异性导电层接收高于矫顽电压的第二电压时，其电阻增大。通过铁电层的极化状态和各向异性导电层的电阻的结合来存储多位信息。因此，可在铁电记录介质的一个畴上表示多位信息。
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