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公开(公告)号：CN100492596C
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200510064903.7
申请日：2005-04-08
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金洪奭
IPC: H01L21/302 , H01L21/00
CPC classification number: H01L21/02052 , H01L21/67028 , H01L21/67754 , H01L21/67757
Abstract: 用于漂洗和干燥半导体晶片的设备包括漂洗浴槽、干燥浴槽和干燥室。漂洗浴槽和干燥浴槽通过浴槽隧道单元连接，防止在被从漂洗浴槽传送到干燥浴槽的同时半导体晶片暴露于空气。因此，防止在半导体晶片上形成水印。用于漂洗和干燥半导体晶片的方法包括在漂洗浴槽中漂洗晶片，通过隧道单元将晶片传送到干燥浴槽，防止半导体晶片暴露于空气，以及在干燥浴槽中处理晶片之后，将晶片传送到干燥室。
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公开(公告)号：CN1750168A
公开(公告)日：2006-03-22
申请号：CN200510092762.X
申请日：2005-08-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/228 , H01L43/08 , H01L43/12
Abstract: 本发明提供一种磁存储器件和操作该磁存储器件的方法，该磁存储器件具有一致翻转特性并且能够由低电流翻转。该磁存储器件包括具有圆柱形状和共轴形成的元件的MTJ(磁性隧道结)层。该MTJ层包括：被施加写电流的导电层、共轴形成在该导电层周围的绝缘层、以及形成在该绝缘层周围的材料层，该材料层与该导电层共轴并且具有多个磁层。该材料层至少包括沿该导电层顺序堆叠的下磁层、隧穿层和上磁层。
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公开(公告)号：CN101004668A
公开(公告)日：2007-07-25
申请号：CN200610172328.7
申请日：2006-12-30
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G06F17/30887 , G06F3/1297 , G06F21/608 , H04L51/06
Abstract: 提供了一种使用e－mail的文件打印方法和系统。该方法包括发送文件给文件服务器；通过e－mail服务器发送e－mail给打印设备，该e－mail包括被发送文件的链接信息；和使用该链接信息从文件服务器检索该文件并打印所检索的文件。因此，能够打印大的打印文件而不考虑文件的大小。另外，由于每当下载打印文件时都执行用户识别，所以，安全性得到了改进。
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公开(公告)号：CN1700354A
公开(公告)日：2005-11-23
申请号：CN200510071711.9
申请日：2005-03-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/4091 , G11C11/419 , G11C7/06 , G11C16/26
Abstract: 在产生可变化参考电平的读出放大器和方法中，读出放大器依据工作电压的变化而改变参考电压电平。这确保在半导体存储器设备中无论工作电压的如何变化，检测数据需要的接通单元和关闭单元边缘被保持为足够的。从而避免了由于不足的电压检测边缘而产生的读取错误。
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公开(公告)号：CN105282357A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201510288936.3
申请日：2015-05-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种图像形成装置。所述图像形成装置包括与图像形成相关的多个功能单元；控制单元，配置为当在执行使用功能单元中的第一和第二功能单元之一的第一任务时检测到对使用第一和第二功能单元之一的第二任务的执行命令时，控制所述功能单元同时执行第一任务和第二任务；以及通信接口单元，配置为向与所述图像形成装置相连的其它装置发送第二任务所需的数据，以便将所述数据临时存储在所述其它装置的存储库中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1700354B
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN200510071711.9
申请日：2005-03-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/4091 , G11C11/419 , G11C7/06 , G11C16/26
Abstract: 在产生可变化参考电平的读出放大器和方法中，读出放大器依据工作电压的变化而改变参考电压电平。这确保在半导体存储器设备中无论工作电压的如何变化，检测数据需要的接通单元和关闭单元边缘被保持为足够的。从而避免了由于不足的电压检测边缘而产生的读取错误。
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公开(公告)号：CN1750168B
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN200510092762.X
申请日：2005-08-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/228 , H01L43/08 , H01L43/12
Abstract: 本发明提供一种磁存储器件和操作该磁存储器件的方法，该磁存储器件具有一致翻转特性并且能够由低电流翻转。该磁存储器件包括具有圆柱形状和共轴形成的元件的MTJ(磁性隧道结)层。该MTJ层包括：被施加写电流的导电层、共轴形成在该导电层周围的绝缘层、以及形成在该绝缘层周围的材料层，该材料层与该导电层共轴并且具有多个磁层。该材料层至少包括沿该导电层顺序堆叠的下磁层、隧穿层和上磁层。当写电流施加到导电层时，在上磁层中感应闭合磁场并且上磁层的磁矩沿该闭合磁场排列。
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公开(公告)号：CN101277357A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200810092070.9
申请日：2008-02-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H04N1/00405 , H04N1/00488 , H04N2201/0094
Abstract: 一种成像设备的成像方法，包括：如果输入了附加语音信号，则基于将要发送的图像数据产生语音数据；并且将所述图像数据和语音数据中的至少一个发送到外部装置，以使得当接收和发送所述图像数据时，视觉减弱人士能够识别所述图像数据。
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公开(公告)号：CN1684232A
公开(公告)日：2005-10-19
申请号：CN200510064903.7
申请日：2005-04-08
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金洪奭
IPC: H01L21/302 , H01L21/00
CPC classification number: H01L21/02052 , H01L21/67028 , H01L21/67754 , H01L21/67757
Abstract: 用于漂洗和干燥半导体晶片的设备包括漂洗浴槽、干燥浴槽和干燥室。漂洗浴槽和干燥浴槽通过浴槽隧道单元连接，防止在被从漂洗浴槽传送到干燥浴槽的同时半导体晶片暴露于空气。因此，防止在半导体晶片上形成水印。用于漂洗和干燥半导体晶片的方法包括在漂洗浴槽中漂洗晶片，通过隧道单元将晶片传送到干燥浴槽，防止半导体晶片暴露于空气，以及在干燥浴槽中处理晶片之后，将晶片传送到干燥室。
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