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公开(公告)号：CN110556361B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN201910119085.8
申请日：2019-02-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/538 , H01L27/088
Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置可以包括：多个有源图案和多个栅极结构，位于基底上；第一绝缘中间层，覆盖有源图案和栅极结构；多个第一接触插塞，延伸穿过第一绝缘中间层；多个第二接触插塞，延伸穿过第一绝缘中间层；以及第一连接图案，与从第一接触插塞和第二接触插塞中选择的至少一个接触插塞的侧壁直接接触。每个栅极结构可以包括栅极绝缘层、栅电极和覆盖图案。每个第一接触插塞可以与和栅极结构相邻的有源图案接触。每个第二接触插塞可以与栅极结构中的栅电极接触。第一连接图案的上表面可以与第一接触插塞的上表面和第二接触插塞的上表面基本共面。
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公开(公告)号：CN109755218B
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN201810567838.7
申请日：2018-06-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/538 , H01L21/768
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公开(公告)号：CN110416210A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910206680.5
申请日：2019-03-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L23/528 , H01L21/8234
Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：基底；栅极结构，位于基底上；第一蚀刻停止层、第二蚀刻停止层和层间绝缘层，堆叠在栅极结构上；以及接触插塞，穿透层间绝缘层、第二蚀刻停止层和第一蚀刻停止层并且接触栅极结构的侧壁。接触插塞包括具有第一宽度的下部和具有第二宽度的上部。接触插塞的下表面具有台阶形状。
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公开(公告)号：CN110299321A
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201910071670.5
申请日：2019-01-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 提供了一种具有改进的产品可靠性的半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：衬底；位于所述衬底上的栅电极；位于所述栅电极的侧壁上的第一间隔物；位于所述第一间隔物的侧壁上的导电接触，所述导电接触突出超过所述栅电极的顶表面；由所述栅电极的顶表面、所述第一间隔物的顶表面和所述导电接触的侧壁限定的沟槽；沿着所述沟槽的至少部分侧壁和所述沟槽的底表面延伸的蚀刻停止层；以及位于所述蚀刻停止层上并且填充所述沟槽的覆盖图案，其中，所述覆盖图案包括氧化硅或介电常数低于氧化硅的介电常数的低k材料。
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公开(公告)号：CN102593336B
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201210015168.0
申请日：2012-01-17
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/486 , H01L24/73 , H01L33/62 , H01L33/64 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L2924/01079 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明公开了发光器件封装件及其制造方法，所述发光器件封装件是采用后成型工艺来制造的并且具有改善的散热性能和光品质。该发光器件封装件包括：散热焊盘；形成在所述散热焊盘上的发光器件；被相互分隔开地布置在所述发光器件和所述散热焊盘的两侧的一对引线框架；包围所述发光器件的除其发射表面以外的侧面的模塑元件；以及用于将所述引线框架电连接到所述发光器件的多条接合线。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104009142A
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201410059748.9
申请日：2014-02-21
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/62 , H01L27/153 , H01L33/46 , H01L33/502 , H01L33/505 , H01L33/54 , H01L33/58 , H01L33/60 , H01L2224/13 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2224/8592 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本申请涉及一种发光器件封装件。所述发光器件封装件包括其中形成有过孔的封装件衬底。电极层在穿过所述过孔之后延伸至封装件衬底的两个表面。发光器件布置在封装件衬底上并连接至电极层。荧光膜包括填充过孔的内部空间的至少一部分的第一部分和覆盖发光器件的至少一部分的第二部分。
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公开(公告)号：CN110752212A
公开(公告)日：2020-02-04
申请号：CN201910374990.8
申请日：2019-05-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L27/11
Abstract: 半导体器件包括：栅极，在衬底上沿第一方向延伸，所述栅极中的每个栅极包括栅极绝缘层、栅电极和第一间隔物；第一接触插塞，在所述栅极中的相邻栅极之间与衬底接触，第一接触插塞与所述栅极中的相应栅极的侧壁间隔开；第二接触插塞，与相应栅电极的上表面相接触，第二接触插塞在所述第一接触插塞之间；以及绝缘间隔物，在第二接触插塞和相邻的第一接触插塞之间的间隙中，绝缘间隔物接触第二接触插塞和相邻的第一接触插塞的侧壁，并且第二接触插塞和相邻的第一接触插塞的上表面基本上彼此共面。
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公开(公告)号：CN110556361A
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201910119085.8
申请日：2019-02-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/538 , H01L27/088
Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置可以包括：多个有源图案和多个栅极结构，位于基底上；第一绝缘中间层，覆盖有源图案和栅极结构；多个第一接触插塞，延伸穿过第一绝缘中间层；多个第二接触插塞，延伸穿过第一绝缘中间层；以及第一连接图案，与从第一接触插塞和第二接触插塞中选择的至少一个接触插塞的侧壁直接接触。每个栅极结构可以包括栅极绝缘层、栅电极和覆盖图案。每个第一接触插塞可以与和栅极结构相邻的有源图案接触。每个第二接触插塞可以与栅极结构中的栅电极接触。第一连接图案的上表面可以与第一接触插塞的上表面和第二接触插塞的上表面基本共面。
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公开(公告)号：CN110310986A
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201910231444.9
申请日：2019-03-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/417 , H01L29/423 , H01L27/088
Abstract: 一种集成电路器件可以包括：衬底，包括沿第一方向延伸的鳍型有源区；栅极结构，交叉鳍型有源区并沿交叉第一方向的第二方向延伸；源极/漏极区，在栅极结构的彼此相反侧处的鳍型有源区上；第一接触结构，电连接到源极/漏极区中的一个；成对的第一接触块结构，分别在第一接触结构的在第二方向上的彼此相反的第一侧壁上。
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