公开(公告)号：CN107950030A

公开(公告)日：2018-04-20

申请号：CN201680052037.6

申请日：2016-10-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李承桓

IPC: H04N21/422

CPC classification number: H04N21/42204 ,  H04N21/4312 ,  H04N21/44218 ,  H04N21/4516 ,  H04N21/4781 ,  H04N21/482 ,  H04N21/4882

Abstract: 提供了一种控制显示装置的方法。根据所述方法，显示装置可以从遥控设备接收数据，基于接收到的数据来识别所述遥控设备，根据接收到的数据来实现所述显示装置的功能，并基于通过所述遥控设备输入的用户输入来显示与所识别出的遥控设备相对应的用户界面(UI)屏幕。

公开(公告)号：CN107638186A

公开(公告)日：2018-01-30

申请号：CN201710599302.9

申请日：2017-07-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张求一 ,  金正民 ,  南在垣 ,  李承桓

IPC: A61B6/00

Abstract: 本文公开了具有改进的结构以防止X射线检测器的破损或损坏的可移动的X射线成像设备。一个或多个阻尼单元安装在一个或多个槽的基板处。一个或多个阻尼单元使得在将一个或多个X射线检测器存储在一个或多个缝中的过程中可能施加到一个或多个X射线检测器的冲击最小化。

公开(公告)号：CN104469450A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410457819.0

申请日：2014-09-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李承桓 ,  文弼敬 ,  尹琇碝 ,  曹逢铉 ,  李相俊 ,  李峻昊

IPC: H04N21/422 ,  G06F3/01 ,  G06F17/30 ,  G06F3/14 ,  G06Q30/02

CPC classification number: G06F3/0488 ,  G06F3/017 ,  G06F3/0304 ,  G06F3/04883 ,  G06F3/167 ,  G06K9/00335 ,  G06Q30/0207

Abstract: 提供了图像显示装置和图像显示方法。图像显示装置包括：通信接口，配置为接收标识符和与标识符相关联的服务信息；存储器，配置为存储标识符和服务信息；传感器，配置为感测手势；控制器，配置为响应于确定手势对应于标识符，通过使用服务信息来处理与标识符相对应的服务内容；以及显示器，配置为显示服务内容。

公开(公告)号：CN103813126A

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN201310537633.1

申请日：2013-11-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李承桓 ,  文弼敬 ,  尹琇碝 ,  李相俊 ,  李政莲 ,  李峻昊 ,  郑圣勋 ,  曹逢铉

IPC: H04N7/14 ,  H04N21/472 ,  H04N21/441

CPC classification number: H04N7/141 ,  G06Q50/01 ,  G10L15/1822 ,  G10L2015/088 ,  H04N21/4788 ,  H04N21/4826

Abstract: 本发明提供了信息提供方法及其电子装置。根据电子装置的信息提供方法，当进行视频通话时，识别进行视频通话的用户，基于用户在社交网络服务（SNS）上的使用信息获取识别出的用户的至少一条感兴趣信息，并且在视频通话屏幕上显示所述至少一条感兴趣信息。

公开(公告)号：CN109585634B

公开(公告)日：2023-11-03

申请号：CN201810834091.7

申请日：2018-07-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金真焕 ,  金成埈 ,  赵秀玄 ,  李承桓 ,  张泰盛

IPC: H01L33/62

Abstract: 一种半导体发光装置包括：发光结构，其包括沿着第一方向在衬底上按次序堆叠的第一导电类型的半导体层、有源层和第二导电类型的半导体层，并且包括暴露出第一导电类型的半导体层的暴露区。第一接触电极在暴露区中，第二接触电极在第二导电类型的半导体层上，并且绝缘层覆盖发光结构。分离的电极焊盘穿过绝缘层以电连接至第一接触电极和第二接触电极。第一电极焊盘和第二电极焊盘中的至少一个的侧表面可延伸以沿着第一方向与衬底的侧表面共面。

公开(公告)号：CN107638186B

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN201710599302.9

申请日：2017-07-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张求一 ,  金正民 ,  南在垣 ,  李承桓

IPC: A61B6/00

Abstract: 本文公开了具有改进的结构以防止X射线检测器的破损或损坏的可移动的X射线成像设备。一个或多个阻尼单元安装在一个或多个槽的基板处。一个或多个阻尼单元使得在将一个或多个X射线检测器存储在一个或多个缝中的过程中可能施加到一个或多个X射线检测器的冲击最小化。

公开(公告)号：CN107950030B

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN201680052037.6

申请日：2016-10-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李承桓

IPC: H04N21/422

Abstract: 提供了一种控制显示装置的方法。根据所述方法，显示装置可以从遥控设备接收数据，基于接收到的数据来识别所述遥控设备，根据接收到的数据来实现所述显示装置的功能，并基于通过所述遥控设备输入的用户输入来显示与所识别出的遥控设备相对应的用户界面(UI)屏幕。

公开(公告)号：CN109728135B

公开(公告)日：2022-03-04

申请号：CN201811214372.9

申请日：2013-06-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 梁钟隣 ,  金泰亨 ,  宋光珉 ,  李承桓 ,  林完泰 ,  韩世俊 ,  洪玄权 ,  皇甫秀珉

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/36 ,  H01L33/62 ,  H01L33/64

Abstract: 本发明涉及半导体发光元件和发光装置，所述半导体发光元件包括发光结构，所述发光结构包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层。第一电极结构包括与所述第一导电类型半导体层连接的导电通路。第二电极结构与第二导电类型半导体层连接。具有开口区域的绝缘部件在覆盖第一电极结构和第二电极结构的同时以该开口区域暴露出第一电极结构和第二电极结构的一部分。第一焊盘电极和第二焊盘电极分别形成在通过开口区域暴露出来的第一电极结构和第二电极结构的部分上并且分别与第一电极结构和第二电极结构连接。

公开(公告)号：CN112652628A

公开(公告)日：2021-04-13

申请号：CN202010802422.6

申请日：2020-08-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋承砇 ,  高秉贤 ,  权容真 ,  金江旻 ,  申载勋 ,  申重植 ,  安圣洙 ,  李承桓

IPC: H01L27/11563 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/11578

Abstract: 提供了一种存储装置。所述存储装置包括：衬底；堆叠结构，所述堆叠结构包括沿垂直方向在所述衬底上交替堆叠的多个栅极层和多个层间绝缘层，所述堆叠结构包括成行的切口，每个所述切口沿第一水平方向延伸并且被配置为分割所述多个栅极层，所述切口彼此分开并且在所述堆叠结构的单元区域中沿所述第一水平方向布置；以及成行的沟道结构，所述沟道结构在所述单元区域中沿所述第一水平方向布置，每个所述沟道结构在所述垂直方向上延伸以穿透所述多个栅极层。

公开(公告)号：CN103490000B

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：CN201310233356.5

申请日：2013-06-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 梁钟隣 ,  金泰亨 ,  宋光珉 ,  李承桓 ,  林完泰 ,  韩世俊 ,  洪玄权 ,  皇甫秀珉

IPC: H01L33/62 ,  H01L33/64 ,  H01L33/58 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/382 ,  H01L33/38 ,  H01L33/405 ,  H01L33/44 ,  H01L33/62 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体发光元件和发光装置，所述半导体发光元件包括发光结构，所述发光结构包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层。第一电极结构包括与所述第一导电类型半导体层连接的导电通路。第二电极结构与第二导电类型半导体层连接。具有开口区域的绝缘部件在覆盖第一电极结构和第二电极结构的同时以该开口区域暴露出第一电极结构和第二电极结构的一部分。第一焊盘电极和第二焊盘电极分别形成在通过开口区域暴露出来的第一电极结构和第二电极结构的部分上并且分别与第一电极结构和第二电极结构连接。