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公开(公告)号：CN108074898A
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201711153717.X
申请日：2017-11-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L23/50
CPC classification number: H01L25/0657 , H01L23/49811 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/49838 , H01L23/647 , H01L23/66 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L25/0655 , H01L2224/16145 , H01L2224/16237 , H01L2224/32145 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48157 , H01L2224/48227 , H01L2224/49176 , H01L2224/73207 , H01L2224/73215 , H01L2224/73257 , H01L2224/73265 , H01L2224/854 , H01L2224/85444 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L23/488 , H01L23/50
Abstract: 提供了一种半导体封装，该半导体封装包括：印刷电路板；电阻器电路，以及第一半导体芯片和第二半导体芯片。第一焊盘和第二焊盘在印刷电路板的第一表面上，并且外部连接端子在印刷电路板的第二表面上。电阻器电路具有连接到第一焊盘的第一连接端子以及连接到第二焊盘的第二连接端子。第一半导体芯片连接到第一焊盘，第二半导体芯片堆叠在第一半导体芯片上并且连接到第二焊盘。印刷电路板包括信号传输线，将印刷电路板中的分支连接到外部连接端子。第一传输线将分支连接到第一焊盘。第二传输线将分支连接到第二焊盘。
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公开(公告)号：CN103887274B
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201310713521.7
申请日：2013-12-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/488 , H01L25/16
CPC classification number: H01L25/0652 , H01L23/3128 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/24 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L25/0657 , H01L2224/02371 , H01L2224/02372 , H01L2224/02373 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05554 , H01L2224/0557 , H01L2224/06135 , H01L2224/06136 , H01L2224/06181 , H01L2224/06182 , H01L2224/14181 , H01L2224/16145 , H01L2224/17517 , H01L2224/24011 , H01L2224/24051 , H01L2224/24145 , H01L2224/245 , H01L2224/2919 , H01L2224/29191 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/4813 , H01L2224/48145 , H01L2224/4824 , H01L2224/73207 , H01L2224/73209 , H01L2224/73265 , H01L2224/73267 , H01L2225/06506 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06524 , H01L2225/06541 , H01L2225/06562 , H01L2225/06565 , H01L2924/00014 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/01029 , H01L2224/05552 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 提供了一种半导体封装件，所述半导体封装件包括开口位于其中央区域中的封装基板和设置为与开口相邻的电路图案。第一半导体芯片位于封装基板上并且包括第一结合焊盘。一对第二半导体芯片横跨开口彼此分隔开并且安装在封装基板和第一半导体芯片之间。第二半导体芯片均包括第二结合焊盘。连接元件进一步被设置为将第二结合焊盘电连接到相应的第一结合焊盘。
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公开(公告)号：CN103887274A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201310713521.7
申请日：2013-12-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/488 , H01L25/16
CPC classification number: H01L25/0652 , H01L23/3128 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/24 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L25/0657 , H01L2224/02371 , H01L2224/02372 , H01L2224/02373 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05554 , H01L2224/0557 , H01L2224/06135 , H01L2224/06136 , H01L2224/06181 , H01L2224/06182 , H01L2224/14181 , H01L2224/16145 , H01L2224/17517 , H01L2224/24011 , H01L2224/24051 , H01L2224/24145 , H01L2224/245 , H01L2224/2919 , H01L2224/29191 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/4813 , H01L2224/48145 , H01L2224/4824 , H01L2224/73207 , H01L2224/73209 , H01L2224/73265 , H01L2224/73267 , H01L2225/06506 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06524 , H01L2225/06541 , H01L2225/06562 , H01L2225/06565 , H01L2924/00014 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/01029 , H01L2224/05552 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 提供了一种半导体封装件，所述半导体封装件包括开口位于其中央区域中的封装基板和设置为与开口相邻的电路图案。第一半导体芯片位于封装基板上并且包括第一结合焊盘。一对第二半导体芯片横跨开口彼此分隔开并且安装在封装基板和第一半导体芯片之间。第二半导体芯片均包括第二结合焊盘。连接元件进一步被设置为将第二结合焊盘电连接到相应的第一结合焊盘。
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公开(公告)号：CN101425508B
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：CN200810131010.3
申请日：2008-08-19
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L25/0657 , H01L2224/05573 , H01L2224/13025 , H01L2224/16145 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/15311
Abstract: 芯片堆叠封装包括利用粘着层作为中间媒介堆叠的多个芯片和穿过多个芯片形成以电连接芯片的贯通电极。贯通电极分作电源贯通电极、接地贯通电极或信号传递贯通电极。电源贯通电极和接地贯通电极由第一材料形成，例如铜，并且信号传递贯通电极由第二材料形成，例如掺杂有杂质的多晶硅。不考虑其电阻率，信号传递贯通电极可具有直径小于电源贯通电极和接地贯通电极横截面直径的横截面。
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公开(公告)号：CN110707060B
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN201910276289.2
申请日：2019-04-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L25/065 , H01L25/18 , H01L23/31 , H10B80/00
Abstract: 一种半导体芯片包括：半导体基板、贯通电极、中间焊盘、上焊盘和重布线。半导体基板包括作为有源表面的第一表面和与第一表面相对的第二表面。贯通电极穿透半导体基板并且在半导体基板的中心部分中设置成沿第一方向的至少一列。中间焊盘在第二表面的边缘部分中设置成沿第一方向的至少一列。上焊盘设置在第二表面上并连接到贯通电极。重布线设置在第二表面上并将中间焊盘连接到上焊盘。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110875291B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN201910731355.0
申请日：2019-08-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/065 , H01L25/18 , H01L23/498 , H01L21/98
Abstract: 提供了基板组件、半导体封装件以及制造该半导体封装件的方法。所述半导体封装件包括基板、位于所述基板上的第一半导体芯片、位于所述第一半导体芯片上的第二半导体芯片和连接结构。所述第二半导体芯片包括向外突出超过所述第一半导体芯片的一侧的第一节段和位于所述第二半导体芯片的所述第一节段的底表面上的第二连接焊盘。所述连接结构包括位于所述基板与所述第二半导体芯片的所述第一节段之间的第一结构和穿过所述第一结构以与所述基板接触且设置在所述第二连接焊盘与所述基板之间的第一柱状导体，从而将所述第二半导体芯片电连接到所述基板。
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公开(公告)号：CN109841591B
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN201811261602.7
申请日：2018-10-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498
Abstract: 公开了半导体封装件结构和包括其的半导体模块。半导体模块包括电路板、在电路板上方的第一半导体封装件以及在电路板上并且将电路板和第一半导体封装件连接的连接结构。第一半导体封装件包括第一封装件基板。连接结构和电路板之间的热膨胀系数之差可以小于电路板和第一封装件基板之间的热膨胀系数之差。
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公开(公告)号：CN106898603B
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN201611020249.4
申请日：2016-11-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/16 , H01L23/538
Abstract: 提供了一种高速半导体模块，所述半导体模块包括：模块基底，具有电连接元件；至少一个半导体封装件，设置在模块基底上，所述至少一个半导体封装件包括多个半导体芯片；连接区域，将半导体封装件电连接到模块基底，其中，连接区域包括：第一区域，在半导体封装件的半导体芯片的第一芯片的数据信号端子与模块基底之间电连接；第二区域，在半导体封装件的半导体芯片的第二芯片的数据信号端子与模块基底之间电连接；第三区域，在半导体封装件的第一芯片和第二芯片两者的指令/地址信号端子与模块基底之间电连接，其中，与第三区域相比，第一区域更接近于模块基底的电连接元件。
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公开(公告)号：CN109841591A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201811261602.7
申请日：2018-10-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498
Abstract: 公开了半导体封装件结构和包括其的半导体模块。半导体模块包括电路板、在电路板上方的第一半导体封装件以及在电路板上并且将电路板和第一半导体封装件连接的连接结构。第一半导体封装件包括第一封装件基板。连接结构和电路板之间的热膨胀系数之差可以小于电路板和第一封装件基板之间的热膨胀系数之差。
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公开(公告)号：CN109003963A
公开(公告)日：2018-12-14
申请号：CN201810572690.6
申请日：2018-06-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/065
CPC classification number: H01L25/0657 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L23/3128 , H01L23/49822 , H01L23/5226 , H01L24/05 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/97 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2221/68345 , H01L2221/68359 , H01L2224/12105 , H01L2224/18 , H01L2224/73267 , H01L2224/97 , H01L2225/06541 , H01L2225/06572 , H01L2225/1035
Abstract: 半导体封装包括：第一互连基板，该第一互连基板在第一重新分布基板上并且具有贯穿第一互连基板的第一开口。第一半导体芯片在第一重新分布基板上，并且在第一互连基板的第一开口中。第二重新分布基板在第一互连基板和第一半导体芯片上。第二互连基板在第二重新分布基板上，并且具有贯穿第二互连基板的第二开口。第二半导体芯片在第二重新分布基板上，并且在第二互连基板的第二开口中。
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