公开(公告)号：CN110687064A

公开(公告)日：2020-01-14

申请号：CN201910875339.9

申请日：2019-09-17

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 李铁 ,  刘延祥 ,  王翊 ,  周宏 ,  王跃林

IPC: G01N21/3504 ,  G01N21/03

Abstract: 本发明涉及红外探测领域，特别涉及一种红外探测器及红外气体传感器。红外探测器包括：所述红外探测器包括：n个检测单元和m个补偿单元，其中n≥1，m≥1；每个所述检测单元包括1个探测芯片和1种第一类超材料滤波结构；每个补偿单元包括1个探测芯片和1种第二类超材料结构。本申请实施例所述的红外探测器，把多个超材料滤波结构集成设置在一个红外探测器上，超材料滤波结构替代传统滤光片的功能，一种超材料滤波结构通过一种待测气体对应的红外光，多种气体对应多种超材料滤波结构与多个探测芯片，实现了红外探测器芯片级的集成，提高了传感器的集成度。

公开(公告)号：CN110143567A

公开(公告)日：2019-08-20

申请号：CN201910412266.X

申请日：2019-05-17

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 李铁 ,  何云乾 ,  刘延祥 ,  王跃林

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/00

Abstract: 本发明提供一种悬空的黑介质薄膜及其制备方法以及应用，包括：S1：提供一种半导体单晶衬底，在该衬底表面制备出薄膜掩膜，并刻蚀出窗口阵列，露出窗口阵列内的半导体单晶衬底表面；S2：采用湿法技术腐蚀该半导体单晶衬底表面，形成微纳金字塔结构；S3：移除薄膜掩膜，继而在半导体单晶衬底的表面制备出薄膜，在微纳金字塔结构表面制备出黑介质薄膜；S4：对薄膜进行图形化和薄膜刻蚀形成释放区域；以及S5：采用干法刻蚀技术或湿法腐蚀技术释放所述黑介质薄膜和支撑膜结构，即得。本发明采用微加工技术，以微纳金字塔结构为模，批量制备出悬空的黑介质薄膜，该薄膜在未来可广泛应用于增强光吸收辐射和减少热量损耗的光探测和光源等领域。

公开(公告)号：CN109504740A

公开(公告)日：2019-03-22

申请号：CN201811416641.X

申请日：2018-11-26

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 陈世兴 ,  李铁 ,  王跃林

IPC: C12Q1/682

Abstract: 本发明涉及生物技术领域，特别是涉及一种循环放大检测方法及其用途。本发明提供一种检测试剂盒，包括：锁匙双链DNA分子、第一发卡结构DNA分子、第二发卡结构DNA分子……第N发卡结构DNA分子，至少部分的发卡结构DNA分子连接有荧光分子，至少部分的发卡结构DNA分子连接有标记分子。本发明公开一种基于发卡结构DNA分子依次打开形成复合核酸结构的循环放大策略并联合微阵列技术的荧光传感器，用于多种分子的检测。

公开(公告)号：CN109427908A

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201710734604.2

申请日：2017-08-24

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 高安然 ,  李铁 ,  赵兰天 ,  薛忠营 ,  赵清太 ,  王跃林

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  G01N27/414 ,  B82Y40/00 ,  B82Y10/00

Abstract: 本发明提供一种三维硅纳米线阵列场效应晶体管、生物传感器及制备方法，晶体管制备包括：提供基底，并于基底表面沉积由第一材料层及第二材料层交替的叠层材料层，第二材料层为含硅材料层；形成沟道区及与其两端相连接的源区和漏区的图形；刻蚀叠层材料层，直至暴露出基底；腐蚀上述结构，得到三维硅纳米线阵列沟道、源区及漏区；于硅纳米线沟道表面沉积介质层；于源区、漏区的顶部表面以及纳米线沟道外围的基底上制作源电极、漏电极及栅电极。通过上述方案，本发明的生物传感器具有环栅式结构，可实现360°环绕式感应，硅纳米线场效应晶体管采用三维堆叠的阵列结构，可减小器件尺寸，实现信噪比的提升，省略源漏掺杂的步骤，工艺简单适于批量生产。

公开(公告)号：CN104810411B

公开(公告)日：2018-07-06

申请号：CN201410035654.8

申请日：2014-01-24

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 冯飞 ,  王跃林

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供一种光导型紫外探测器及其制作方法，该紫外探测器从下而上依次由绝缘衬底、紫外敏感薄膜、金属电极和石墨烯透明梳齿电极构成，其中绝缘衬底可采用石英玻璃片或表面生长或沉积了氧化硅或氮化硅等绝缘介质的硅片，紫外敏感薄膜可以是氮化镓、掺铝氮化镓、氧化锌、掺镁氧化锌、碳化硅和金刚石中的某一种薄膜材料，长条状金属电极由金或铂构成，石墨烯透明梳齿电极覆盖在紫外敏感薄膜和金属电极上方。由于采用石墨烯透明梳齿电极结构，与金属梳齿电极相比较，探测器的紫外辐射透过率高，提高了器件的性能。

公开(公告)号：CN104022046B

公开(公告)日：2017-07-11

申请号：CN201410264998.6

申请日：2014-06-13

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 冯飞 ,  张云胜 ,  王跃林

IPC: H01L21/50 ,  H01L23/16 ,  B81C3/00 ,  B81B7/02

CPC classification number: H01L2224/16225

Abstract: 本发明提供一种基于带状吸气剂的混合晶圆级真空封装方法及结构，包括步骤：a）提供一垫片、一衬底片及一盖片，于所述垫片中形成芯片封装腔及吸气剂腔，并形成通气孔；b）键合所述垫片及所述衬底片形成封装腔体；c）提供一待封装芯片，将所述芯片通过键合结构键合于所述衬底片；d）提供吸气剂，并固定于所述吸气剂腔中；e）激活吸气剂并键合所述盖片及所述垫片。本发明基于MEMS技术制作封装腔体，将待封装芯片置于芯片封装腔内完成真空封装，有利于保护待封装芯片上脆弱的微结构，且具有了圆片级封装的效率；设计了专门放置带状吸气剂的吸气剂腔，与吸气剂薄膜等相比较，成本较低；只对已通过测试的芯片进行真空封装，降低了封装成本。

公开(公告)号：CN104637776B

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201510030729.8

申请日：2015-01-21

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ,  中国航天员科研训练中心

Inventor： 肖军徽 ,  李铁 ,  黄刚 ,  刘延祥 ,  王跃林

IPC: H01J49/10 ,  H01J9/00 ,  B81C1/00 ,  G01N27/62 ,  H01J49/42

Abstract: 本发明涉及一种三明治结构MEMS圆柱形离子阱、制备方法及应用，其特征在于所述的圆柱形离子阱由两个端盖电极硅片与圆柱形电极硅片分两次键合形成一体式结构。所述一体式结构是由三个硅片通过两次键合而成，其中上下层两个硅片是端盖电极，通过湿法腐蚀、硅深刻蚀以及溅射金属等工艺制备，中间层硅片是圆柱形电极，通过刻蚀通孔以及溅射金属等工艺形成。本发明工艺步骤少，工艺难度较低，成品率高，在质谱仪微小型化领域有着广泛的应用前景。可望应用于微小型质谱仪，检测不明危险物的检测、野外实时分析、密闭环境的检测或工业多点轮测。

公开(公告)号：CN103928296B

公开(公告)日：2017-03-15

申请号：CN201310015049.X

申请日：2013-01-16

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 李铁 ,  梁晨 ,  王文荣 ,  王跃林

IPC: H01L21/02 ,  C01B32/184 ,  C01B32/19

Abstract: 本发明公开了一种将石墨烯转移到具有PDMS过渡层硬质衬底上的方法。该方法包括以下步骤：将PDMS胶涂在附着有石墨烯的原衬底上；使所述PDMS胶固化成PDMS过渡层；对该PDMS过渡层与硬质衬底进行等离子处理，然后将该PDMS过渡层与硬质衬底进行轻压键合；将键合后的硬质衬底放入腐蚀液中腐蚀掉所述原衬底；用去离子水反复清洗石墨烯/PDMS过渡层/硬质衬底结合体并吹干，即得到转移到具有PDMS过渡层的硬质衬底上的石墨烯。该方法操作简单，成本低，适用范围广，转移过程中石墨烯材料不容易被破坏，可以高效、稳定地将石墨烯转移到具有PDMS过渡层硬质衬底上，可与半导体工艺结合用于制备石墨烯电子器件。

公开(公告)号：CN102322961B

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201110213982.9

申请日：2011-07-27

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 熊斌 ,  徐德辉 ,  马颖蕾 ,  王跃林

IPC: G01J5/12 ,  G01J5/14 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明涉及一种高占空比非致冷热电堆红外探测器的结构及制作方法，其特征在于在采用了L形折叠型热电偶臂设计，摈弃了传统热电堆结构笔直的结构设计，将热电偶臂进行了折叠处理，折叠部分的热电偶臂相互垂直。热电堆结构冷结区(21)固定在硅基体(13)上，热电堆结构热结区端(20)固定在红外吸收区(15)上，热电堆结构下方的硅衬底(16)通过硅腐蚀技术去除，而热电堆传感器的热电偶臂(14和12)则通过折叠的方式分布在吸收区四周。本发明微机械热电堆结构可广泛应用于红外探测器、气体传感器和真空传感器等微机电传感器。

公开(公告)号：CN104049112B

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201410300612.2

申请日：2014-06-27

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ,  东南大学

Inventor： 李铁 ,  袁志山 ,  陈云飞 ,  梁晨 ,  张啸 ,  倪中华 ,  易红 ,  王跃林

IPC: G01Q70/12

Abstract: 本发明提供一种硅纳米线探针结构的制作方法，包括：首先提供一包括硅基体和顶绝缘层的基板，刻蚀所述顶绝缘层形成刻蚀窗口；然后利用腐蚀液对所述刻蚀窗口以下的硅基体进行侧蚀，使所述硅基体表面形成金字塔状的探针底座；接着在所述金字塔状的探针底座所对应的顶绝缘层表面制作微米铜图形；再进行退火处理，所述微米铜图形在退火过程中被消耗，同时控制硅纳米线从所述探针底座的尖端长出；最后去除所述顶绝缘层。本发明工艺简单、硅纳米线探针生长长度可控、效率高且结构体积小，与CMOS工艺的兼容使其有较好的扩展性，在扫描探针显微镜领域、微电子领域、生化检测领域有着较广的使用前景。