-
公开(公告)号：CN105097439A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201410221661.7
申请日：2014-05-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 东南大学
Abstract: 本发明提供一种微米铜图形控制硅纳米线精确定位生长的方法，所述方法包括步骤：首先，提供一基板，所述基板包括硅基体和位于所述硅基体上的顶绝缘层；然后，在所述顶绝缘层表面制作微米铜图形阵列；最后，进行退火处理，所述微米铜图形阵列在退火过程中被消耗，同时控制生长的硅纳米线穿过所述顶绝缘层并精确定位在所述微米铜图形阵列的位置。本发明通过微电子加工技术在硅基体支撑的氧化硅绝缘层上制作微米铜图形阵列，再在氩气和氢气氛围中退火处理，在微米铜图形阵列处精确定位生长出硅纳米线。该方法工艺简单、效率高且结构体积小，与CMOS工艺的兼容使其有较好的扩展性，在微电子领域、生物检测领域和太阳能电池领域有着较广的使用前景。
-
公开(公告)号：CN103995035A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201410236223.8
申请日：2014-05-29
Applicant: 东南大学 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N27/414 , H01L29/772 , H01L21/335
CPC classification number: G01N33/48721
Abstract: 本发明提供用于碱基序列检测的多栅极石墨烯场效应管结构及制备方法，先将半导体层释放，减少结构区域的半导体层厚度。在氧化硅绝缘层上刻蚀出门电极窗口，制作出金属门电极。然后将石墨烯转移到用半导体层支撑的氧化硅绝缘层表面，通过对石墨烯图形化处理得到多条石墨烯微米带。在石墨烯微米带两端面的上表面制作金属源电极和金属漏电极。再制作绝缘层将石墨烯微片和金属门电极、金属源电极和金属漏电极表面覆盖，形成夹心结构。最后，制作纳米孔实现半导体层、氧化硅绝缘层、石墨烯微米带和绝缘层间的贯穿。当待测碱基穿过石墨烯纳米孔时，通过对金属门电极电压调制，在金属源电极端检测到碱基电信号，实现碱基序列的识别。本发明工艺简单、成本低且结构体积小，与CMOS工艺的兼容使其有较好的扩展性，在生物医疗领域有着较广的使用前景。
-
公开(公告)号：CN105448743B
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201410395317.X
申请日：2014-08-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 东南大学
IPC: H01L21/34
Abstract: 本发明提供一种二硫化钼场效应管的制作方法。包括：首先提供一包括已经掺杂的硅基体和顶绝缘层的基板，刻蚀所述顶绝缘层形成金属电极填埋窗口；然后在顶绝缘层和金属电极填埋窗口上方沉积金属薄膜；接着利用减薄的方法将顶绝缘层上方金属薄膜去除，得到金属源极和金属漏极；同时可以保持金属电极填埋窗口上方剩余的金属薄膜与顶绝缘层在同一水平高度；在金属源极、金属漏极和顶绝缘层上方制作钝化层，并制作出外接电路窗口和二硫化钼窗口；最后将二硫化钼转移到二硫化钼窗口上，并与金属源极和金属漏极相连接。本发明工艺简单、与CMOS工艺的兼容使其有较好的扩展性，同时可以重复循环使用，在微电子领域和生化检测领域有着较广的使用前景。
-
公开(公告)号：CN105448743A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201410395317.X
申请日：2014-08-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 东南大学
IPC: H01L21/34
Abstract: 本发明提供一种二硫化钼场效应管的制作方法。包括：首先提供一包括已经掺杂的硅基体和顶绝缘层的基板，刻蚀所述顶绝缘层形成金属电极填埋窗口；然后在顶绝缘层和金属电极填埋窗口上方沉积金属薄膜；接着利用减薄的方法将顶绝缘层上方金属薄膜去除，得到金属源极和金属漏极；同时可以保持金属电极填埋窗口上方剩余的金属薄膜与顶绝缘层在同一水平高度；在金属源极、金属漏极和顶绝缘层上方制作钝化层，并制作出外接电路窗口和二硫化钼窗口；最后将二硫化钼转移到二硫化钼窗口上，并与金属源极和金属漏极相连接。本发明工艺简单、与CMOS工艺的兼容使其有较好的扩展性，同时可以重复循环使用，在微电子领域和生化检测领域有着较广的使用前景。
-
公开(公告)号：CN104049112A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410300612.2
申请日：2014-06-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 东南大学
IPC: G01Q70/12
Abstract: 本发明提供一种硅纳米线探针结构的制作方法，包括：首先提供一包括硅基体和顶绝缘层的基板，刻蚀所述顶绝缘层形成刻蚀窗口；然后利用腐蚀液对所述刻蚀窗口以下的硅基体进行侧蚀，使所述硅基体表面形成金字塔状的探针底座；接着在所述金字塔状的探针底座所对应的顶绝缘层表面制作微米铜图形；再进行退火处理，所述微米铜图形在退火过程中被消耗，同时控制硅纳米线从所述探针底座的尖端长出；最后去除所述顶绝缘层。本发明工艺简单、硅纳米线探针生长长度可控、效率高且结构体积小，与CMOS工艺的兼容使其有较好的扩展性，在扫描探针显微镜领域、微电子领域、生化检测领域有着较广的使用前景。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104049112B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201410300612.2
申请日：2014-06-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 东南大学
IPC: G01Q70/12
Abstract: 本发明提供一种硅纳米线探针结构的制作方法，包括：首先提供一包括硅基体和顶绝缘层的基板，刻蚀所述顶绝缘层形成刻蚀窗口；然后利用腐蚀液对所述刻蚀窗口以下的硅基体进行侧蚀，使所述硅基体表面形成金字塔状的探针底座；接着在所述金字塔状的探针底座所对应的顶绝缘层表面制作微米铜图形；再进行退火处理，所述微米铜图形在退火过程中被消耗，同时控制硅纳米线从所述探针底座的尖端长出；最后去除所述顶绝缘层。本发明工艺简单、硅纳米线探针生长长度可控、效率高且结构体积小，与CMOS工艺的兼容使其有较好的扩展性，在扫描探针显微镜领域、微电子领域、生化检测领域有着较广的使用前景。
-
公开(公告)号：CN105097439B
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201410221661.7
申请日：2014-05-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 东南大学
Abstract: 本发明提供一种微米铜图形控制硅纳米线精确定位生长的方法，所述方法包括步骤：首先，提供一基板，包括硅基体和位于所述硅基体上的顶绝缘层；然后，在所述顶绝缘层表面制作微米铜图形阵列；最后，进行退火处理，所述微米铜图形阵列在退火过程中被消耗，同时控制生长的硅纳米线穿过所述顶绝缘层并精确定位在所述微米铜图形阵列的位置。本发明通过微电子加工技术在硅基体支撑的氧化硅绝缘层上制作微米铜图形阵列，再在氩气和氢气氛围中退火处理，在微米铜图形阵列处精确定位生长出硅纳米线。该方法工艺简单、效率高且结构体积小，与CMOS工艺的兼容使其有较好的扩展性，在微电子领域、生物检测领域和太阳能电池领域有着较广的使用前景。
-
公开(公告)号：CN107799387A
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201610804968.9
申请日：2016-09-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: H01L21/02603 , H01L21/02532 , H01L29/0676
Abstract: 本发明提供一种在掺杂的多晶硅层上制备硅纳米线的方法及结构，所述制备方法包括：S1：提供一基板；S2：在基板表面制备多晶硅层，对多晶硅层进行掺杂；S3：在掺杂的多晶硅层表面制备顶绝缘层；S4：在顶绝缘层表面制备铜薄膜层；S5：在铜薄膜层表面形成光刻胶图形并行图形化处理，去除光刻胶图形，得到铜薄膜图形；S6：进行退火处理，铜薄膜图形收缩成纳米尺寸的铜图形，基于铜图形与顶绝缘层反应使掺杂的多晶硅层中硅原子及掺杂离子穿过顶绝缘层形成带有掺杂离子的硅纳米线。通过本发明提供的在掺杂的多晶硅层上制备硅纳米线的方法及结构，解决了现有技术制备硅纳米线时工艺流程复杂，工艺价格昂贵，生长的硅纳米线尺度较大的问题。
-
公开(公告)号：CN104889410B
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201510136274.8
申请日：2015-03-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种可控金属纳米颗粒的制作方法，包括：首先提供一包括基体和顶绝缘层的基板；然后在顶绝缘层上方沉积金属纳米薄膜；接着采用光刻和刻蚀的方法得到微米金属图形；最后采用聚焦离子束辐照的方法，刻蚀金属的同时得到尺寸可控的金属纳米颗粒。本发明工艺简单、金属纳米颗粒的位置、尺寸可控、且效率高，与CMOS工艺的兼容使其有较好的扩展性，在催化剂、微电子领域、生化检测领域有着较广的使用前景。
-
公开(公告)号：CN104889410A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201510136274.8
申请日：2015-03-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种可控金属纳米颗粒的制作方法，包括：首先提供一包括基体和顶绝缘层的基板；然后在顶绝缘层上方沉积金属纳米薄膜；接着采用光刻和刻蚀的方法得到微米金属图形；最后采用聚焦离子束辐照的方法，刻蚀金属的同时得到尺寸可控的金属纳米颗粒。本发明工艺简单、金属纳米颗粒的位置、尺寸可控、且效率高，与CMOS工艺的兼容使其有较好的扩展性，在催化剂、微电子领域、生化检测领域有着较广的使用前景。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
23
records
(took 0.043 seconds)
