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公开(公告)号：CN104049112B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201410300612.2
申请日：2014-06-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 东南大学
IPC: G01Q70/12
Abstract: 本发明提供一种硅纳米线探针结构的制作方法，包括：首先提供一包括硅基体和顶绝缘层的基板，刻蚀所述顶绝缘层形成刻蚀窗口；然后利用腐蚀液对所述刻蚀窗口以下的硅基体进行侧蚀，使所述硅基体表面形成金字塔状的探针底座；接着在所述金字塔状的探针底座所对应的顶绝缘层表面制作微米铜图形；再进行退火处理，所述微米铜图形在退火过程中被消耗，同时控制硅纳米线从所述探针底座的尖端长出；最后去除所述顶绝缘层。本发明工艺简单、硅纳米线探针生长长度可控、效率高且结构体积小，与CMOS工艺的兼容使其有较好的扩展性，在扫描探针显微镜领域、微电子领域、生化检测领域有着较广的使用前景。
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公开(公告)号：CN105448743B
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201410395317.X
申请日：2014-08-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 东南大学
IPC: H01L21/34
Abstract: 本发明提供一种二硫化钼场效应管的制作方法。包括：首先提供一包括已经掺杂的硅基体和顶绝缘层的基板，刻蚀所述顶绝缘层形成金属电极填埋窗口；然后在顶绝缘层和金属电极填埋窗口上方沉积金属薄膜；接着利用减薄的方法将顶绝缘层上方金属薄膜去除，得到金属源极和金属漏极；同时可以保持金属电极填埋窗口上方剩余的金属薄膜与顶绝缘层在同一水平高度；在金属源极、金属漏极和顶绝缘层上方制作钝化层，并制作出外接电路窗口和二硫化钼窗口；最后将二硫化钼转移到二硫化钼窗口上，并与金属源极和金属漏极相连接。本发明工艺简单、与CMOS工艺的兼容使其有较好的扩展性，同时可以重复循环使用，在微电子领域和生化检测领域有着较广的使用前景。
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公开(公告)号：CN105448743A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201410395317.X
申请日：2014-08-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 东南大学
IPC: H01L21/34
Abstract: 本发明提供一种二硫化钼场效应管的制作方法。包括：首先提供一包括已经掺杂的硅基体和顶绝缘层的基板，刻蚀所述顶绝缘层形成金属电极填埋窗口；然后在顶绝缘层和金属电极填埋窗口上方沉积金属薄膜；接着利用减薄的方法将顶绝缘层上方金属薄膜去除，得到金属源极和金属漏极；同时可以保持金属电极填埋窗口上方剩余的金属薄膜与顶绝缘层在同一水平高度；在金属源极、金属漏极和顶绝缘层上方制作钝化层，并制作出外接电路窗口和二硫化钼窗口；最后将二硫化钼转移到二硫化钼窗口上，并与金属源极和金属漏极相连接。本发明工艺简单、与CMOS工艺的兼容使其有较好的扩展性，同时可以重复循环使用，在微电子领域和生化检测领域有着较广的使用前景。
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公开(公告)号：CN104049112A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410300612.2
申请日：2014-06-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 东南大学
IPC: G01Q70/12
Abstract: 本发明提供一种硅纳米线探针结构的制作方法，包括：首先提供一包括硅基体和顶绝缘层的基板，刻蚀所述顶绝缘层形成刻蚀窗口；然后利用腐蚀液对所述刻蚀窗口以下的硅基体进行侧蚀，使所述硅基体表面形成金字塔状的探针底座；接着在所述金字塔状的探针底座所对应的顶绝缘层表面制作微米铜图形；再进行退火处理，所述微米铜图形在退火过程中被消耗，同时控制硅纳米线从所述探针底座的尖端长出；最后去除所述顶绝缘层。本发明工艺简单、硅纳米线探针生长长度可控、效率高且结构体积小，与CMOS工艺的兼容使其有较好的扩展性，在扫描探针显微镜领域、微电子领域、生化检测领域有着较广的使用前景。
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公开(公告)号：CN108305912B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN201710018051.0
申请日：2017-01-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 北京正旦国际科技有限责任公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/09 , H01L31/028 , H01L31/0216
Abstract: 本发明提供一种具有波长选择性的石墨烯仿生光探测器及其制备方法，包括步骤：1)提供一基板；2)于所述基板上形成电极器件，包括测试电极、供电引线、供电电极；3)提供石墨烯并转移至所述电极器件上，至少覆盖所述测试电极；4)将上述结构置于反应炉中退火；5)于退火后的所述石墨烯表面形成具有活性基团的活性薄膜；6)于所述活性薄膜表面形成光受体蛋白。本发明将石墨烯与对特定波长光辐射敏感的光受体蛋白相结合，尤其改变了本征石墨烯对光的无选择性吸收并且吸收率低的缺点，灵敏度高，响应和恢复快，稳定性好，另外，本发明工艺过程简单，成本较低，适于批量生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115236021A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210760500.X
申请日：2022-06-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N21/3504 , G01N21/01
Abstract: 本发明涉及一种并列式双通道红外气体传感器，包括从上至下依次层叠的反光罩、支撑板、基座和ASIC芯片；反光罩上设有反射腔和若干透气孔；支撑板上设置有第一通孔和第二通孔，其内分别嵌设有第一滤光片和两第二滤光片；基座的顶面设有红外光源和两红外探测器，红外光源位于第一滤光片的正下方，两红外探测器分别位于两第二滤光片的正下方，两红外探测器相对于红外光源并列排布；红外光源和两红外探测器与ASIC芯片电连接。本发明的并列式双通道红外气体传感器，反光罩、支撑板、基座和ASIC芯片层叠设置，从而缩小体积；反射腔为折叠式反射结构，使光程增长；红外光源和两红外探测器分布在基座两端，可隔绝红外光源对热敏元件的影响。
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公开(公告)号：CN115161177A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210568675.0
申请日：2022-05-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C12M1/34 , C12M1/00 , C12Q1/689 , C12Q1/6876 , C12Q1/04 , C12Q1/10 , G01N33/569 , G01N33/543 , G01N33/531 , B01L3/00 , C12R1/19
Abstract: 本发明涉及一种基于尺寸匹配的生物芯片及其检测方法，所述生物芯片为根据检测需求，由数个零维传感器、一维传感器或二维传感器中的一种或几种组成的多维度传感器。本发明利用与待测物尺寸相匹配的多维度传感器进行检测，得到的检测结果具有高灵敏度；使用多维度的传感器对待测物进行并行检测，可提高检测结果的精确度，进而使检测结果更加可靠。
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公开(公告)号：CN110687068B
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN201910875694.6
申请日：2019-09-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N21/3504 , G01N21/03
Abstract: 本发明涉及红外探测领域，特别涉及一种红外探测器及红外气体传感器，包括：滤波结构，用于红外光滤波，使至少一个预设波长的红外光通过所述滤波结构；探测芯片，用于将所述至少一个预设波长的红外光转化为电信号；其中，所述滤波结构为超材料滤波结构。本申请实施例所述的红外探测器，采用超材料作为滤波结构，通过设计超材料的结构和参数，使经过超材料滤波后的红外光，对应待测气体的多个红外特征吸收峰，探测器芯片将多个待测气体的红外特征吸收峰所对应波长的光信号转化为电信号，增强了信号的强度，提高了红外气体传感器的精度和气体识别能力。
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公开(公告)号：CN110203879B
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN201910391545.2
申请日：2019-05-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种硅纳米线的制备方法，包括：提供硅片；通过窗口干法刻蚀以形成刻蚀凹槽，该刻蚀凹槽的底壁与埋氧层之间保留有第一剩余顶层硅结构；湿法刻蚀以形成各向异性刻蚀槽，第一剩余顶层硅结构被减薄以形成位于各向异性刻蚀槽的底壁与埋氧层之间的第二剩余顶层硅结构，相邻两个各向异性刻蚀槽之间形成硅间壁；通过对第二剩余顶层硅结构和硅间壁进行氧化，在氧化硅间壁的底部和相邻氧化硅底壁的交界处形成贴附于埋氧层的单晶硅纳米线；去除氧化硅底壁、氧化硅间壁和埋氧层，硅纳米线被悬空而位于腐蚀槽的底部。本发明通过微加工工艺尺寸缩小技术来制备硅纳米线，不仅避免硅纳米线的尺寸偏差，且可以根据需要调整硅纳米线的尺寸且成本低廉。
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公开(公告)号：CN111982323B
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN201910440473.6
申请日：2019-05-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种热电堆型高温热流传感器及其制备方法，热电堆型高温热流传感器包括：衬底，衬底内形成有隔热腔体；复合介质膜，位于衬底的上表面且覆盖隔热腔体的上表面；电阻块，位于复合介质膜的上表面，且位于衬底的正上方及隔热腔体的正上方；绝缘介质层，覆盖电阻块的表面；金属图层，包括电极及引线，电极位于绝缘介质层的上表面，引线位于绝缘介质层内，电极经由引线与所述电阻块电连接。本发明的热电堆型高温热流传感器的结构简单，热偶对数降低至1至2对，可以承受高温热流冲击，实现高温恶劣环境中热流密度的快速、准确测量，在高温环境中工作稳定，可靠性强。
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