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公开(公告)号：CN104049112B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201410300612.2
申请日：2014-06-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 东南大学
IPC: G01Q70/12
Abstract: 本发明提供一种硅纳米线探针结构的制作方法，包括：首先提供一包括硅基体和顶绝缘层的基板，刻蚀所述顶绝缘层形成刻蚀窗口；然后利用腐蚀液对所述刻蚀窗口以下的硅基体进行侧蚀，使所述硅基体表面形成金字塔状的探针底座；接着在所述金字塔状的探针底座所对应的顶绝缘层表面制作微米铜图形；再进行退火处理，所述微米铜图形在退火过程中被消耗，同时控制硅纳米线从所述探针底座的尖端长出；最后去除所述顶绝缘层。本发明工艺简单、硅纳米线探针生长长度可控、效率高且结构体积小，与CMOS工艺的兼容使其有较好的扩展性，在扫描探针显微镜领域、微电子领域、生化检测领域有着较广的使用前景。
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公开(公告)号：CN105097439A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201410221661.7
申请日：2014-05-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 东南大学
Abstract: 本发明提供一种微米铜图形控制硅纳米线精确定位生长的方法，所述方法包括步骤：首先，提供一基板，所述基板包括硅基体和位于所述硅基体上的顶绝缘层；然后，在所述顶绝缘层表面制作微米铜图形阵列；最后，进行退火处理，所述微米铜图形阵列在退火过程中被消耗，同时控制生长的硅纳米线穿过所述顶绝缘层并精确定位在所述微米铜图形阵列的位置。本发明通过微电子加工技术在硅基体支撑的氧化硅绝缘层上制作微米铜图形阵列，再在氩气和氢气氛围中退火处理，在微米铜图形阵列处精确定位生长出硅纳米线。该方法工艺简单、效率高且结构体积小，与CMOS工艺的兼容使其有较好的扩展性，在微电子领域、生物检测领域和太阳能电池领域有着较广的使用前景。
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公开(公告)号：CN105097439B
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201410221661.7
申请日：2014-05-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 东南大学
Abstract: 本发明提供一种微米铜图形控制硅纳米线精确定位生长的方法，所述方法包括步骤：首先，提供一基板，包括硅基体和位于所述硅基体上的顶绝缘层；然后，在所述顶绝缘层表面制作微米铜图形阵列；最后，进行退火处理，所述微米铜图形阵列在退火过程中被消耗，同时控制生长的硅纳米线穿过所述顶绝缘层并精确定位在所述微米铜图形阵列的位置。本发明通过微电子加工技术在硅基体支撑的氧化硅绝缘层上制作微米铜图形阵列，再在氩气和氢气氛围中退火处理，在微米铜图形阵列处精确定位生长出硅纳米线。该方法工艺简单、效率高且结构体积小，与CMOS工艺的兼容使其有较好的扩展性，在微电子领域、生物检测领域和太阳能电池领域有着较广的使用前景。
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公开(公告)号：CN103995035A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201410236223.8
申请日：2014-05-29
Applicant: 东南大学 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N27/414 , H01L29/772 , H01L21/335
CPC classification number: G01N33/48721
Abstract: 本发明提供用于碱基序列检测的多栅极石墨烯场效应管结构及制备方法，先将半导体层释放，减少结构区域的半导体层厚度。在氧化硅绝缘层上刻蚀出门电极窗口，制作出金属门电极。然后将石墨烯转移到用半导体层支撑的氧化硅绝缘层表面，通过对石墨烯图形化处理得到多条石墨烯微米带。在石墨烯微米带两端面的上表面制作金属源电极和金属漏电极。再制作绝缘层将石墨烯微片和金属门电极、金属源电极和金属漏电极表面覆盖，形成夹心结构。最后，制作纳米孔实现半导体层、氧化硅绝缘层、石墨烯微米带和绝缘层间的贯穿。当待测碱基穿过石墨烯纳米孔时，通过对金属门电极电压调制，在金属源电极端检测到碱基电信号，实现碱基序列的识别。本发明工艺简单、成本低且结构体积小，与CMOS工艺的兼容使其有较好的扩展性，在生物医疗领域有着较广的使用前景。
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公开(公告)号：CN105448743B
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201410395317.X
申请日：2014-08-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 东南大学
IPC: H01L21/34
Abstract: 本发明提供一种二硫化钼场效应管的制作方法。包括：首先提供一包括已经掺杂的硅基体和顶绝缘层的基板，刻蚀所述顶绝缘层形成金属电极填埋窗口；然后在顶绝缘层和金属电极填埋窗口上方沉积金属薄膜；接着利用减薄的方法将顶绝缘层上方金属薄膜去除，得到金属源极和金属漏极；同时可以保持金属电极填埋窗口上方剩余的金属薄膜与顶绝缘层在同一水平高度；在金属源极、金属漏极和顶绝缘层上方制作钝化层，并制作出外接电路窗口和二硫化钼窗口；最后将二硫化钼转移到二硫化钼窗口上，并与金属源极和金属漏极相连接。本发明工艺简单、与CMOS工艺的兼容使其有较好的扩展性，同时可以重复循环使用，在微电子领域和生化检测领域有着较广的使用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105448743A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201410395317.X
申请日：2014-08-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 东南大学
IPC: H01L21/34
Abstract: 本发明提供一种二硫化钼场效应管的制作方法。包括：首先提供一包括已经掺杂的硅基体和顶绝缘层的基板，刻蚀所述顶绝缘层形成金属电极填埋窗口；然后在顶绝缘层和金属电极填埋窗口上方沉积金属薄膜；接着利用减薄的方法将顶绝缘层上方金属薄膜去除，得到金属源极和金属漏极；同时可以保持金属电极填埋窗口上方剩余的金属薄膜与顶绝缘层在同一水平高度；在金属源极、金属漏极和顶绝缘层上方制作钝化层，并制作出外接电路窗口和二硫化钼窗口；最后将二硫化钼转移到二硫化钼窗口上，并与金属源极和金属漏极相连接。本发明工艺简单、与CMOS工艺的兼容使其有较好的扩展性，同时可以重复循环使用，在微电子领域和生化检测领域有着较广的使用前景。
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公开(公告)号：CN104049112A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410300612.2
申请日：2014-06-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 东南大学
IPC: G01Q70/12
Abstract: 本发明提供一种硅纳米线探针结构的制作方法，包括：首先提供一包括硅基体和顶绝缘层的基板，刻蚀所述顶绝缘层形成刻蚀窗口；然后利用腐蚀液对所述刻蚀窗口以下的硅基体进行侧蚀，使所述硅基体表面形成金字塔状的探针底座；接着在所述金字塔状的探针底座所对应的顶绝缘层表面制作微米铜图形；再进行退火处理，所述微米铜图形在退火过程中被消耗，同时控制硅纳米线从所述探针底座的尖端长出；最后去除所述顶绝缘层。本发明工艺简单、硅纳米线探针生长长度可控、效率高且结构体积小，与CMOS工艺的兼容使其有较好的扩展性，在扫描探针显微镜领域、微电子领域、生化检测领域有着较广的使用前景。
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公开(公告)号：CN113345781B
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202110571179.6
申请日：2021-05-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 为了解决现有技术中竖直型纳米空气沟道晶体管的栅极电压高的技术问题，本发明提出了一种纳米空气沟道晶体管，晶体管包括：阳极，阳极设有阳极支点；栅极，栅极的第一侧与阳极支点连接，栅极的第二侧设有栅极支点；阴极，阴极与栅极支点连接，阴极的靠近栅极的一侧设有第一凸起。当本发明中的器件工作时，可在阴极上施加负偏压，在栅极和阳极上施加正偏压。当电压达到一定程度的大小时，阴极表面上发射出的电子通过栅极中的网孔到达阳极，产生电流。通过调节栅极电压和阳极电压可以改变电流的大小。由于栅极距离阴极距离更近，栅极电压对电流大小的影响要远大于阳极电压对电流大小的影响。阴极表面的第一凸起可以促进电子发射，降低工作电压。
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公开(公告)号：CN117894738A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202311818956.8
申请日：2023-12-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海为肯工业设计有限公司
IPC: H01L21/683 , H01L21/67 , H01L21/78
Abstract: 本发明涉及一种薄膜转移装置及方法，装置包括：包括容器、限位罩、托架和转移工装，所述限位罩固定在所述容器上，所述限位罩限定一两端开口的限位腔；所述托架包括托板，托板上设有多个贯穿所述托板的通孔和多个支撑柱，多个支撑柱上可拆卸固定有用于吸附薄膜的转移工装。本发明的薄膜转移装置及方法，基于化学腐蚀方法，无需复杂机械设备即可完成薄膜的大尺寸转移，转移效率高，可实现器件的批量制备；通过限位罩限位和托板缓冲，避免因水流导致的薄膜运动与碰撞，减小薄膜破损概率，保证转移薄膜的性能。
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公开(公告)号：CN116525523A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310421963.8
申请日：2023-04-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/683
Abstract: 本发明涉及一种辅助转移的转移工装及其应用，所述转移工装包括：转移基板、设于转移基板上表面的界面改性层，转移基板与界面改性层上设有阵列化的通孔结构。所述通孔可对所述转移工装表面溶液进行有效分流，减小了所述转移工装对溶液升降的阻力与薄膜的滑移；所述转移工装可依据需要发生临时或永久性形变且表面可控，在溶液水位下降时便于对待转移物下方的溶液进行导流，提高待转移物贴合平整度，在溶液水位上升时待转移物又可从该表面剥离，利用所述转移工装即可在一个溶液池内辅助完成待转移物的转移，避免了待转移物在多个溶液池间转移时的破损或磨损，实现了待转移物大尺寸的转移。
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