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公开(公告)号：CN104047060B
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201310080785.3
申请日：2013-03-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C30B31/08
Abstract: 本发明提供一种对石墨烯进行硫掺杂的方法，包括步骤：1）提供石墨烯，将所述石墨烯置于化学气相沉积反应腔中；2）采用惰性气体对所述反应腔进行通气及排气处理；3）于500~1050℃下通入硫源气体对所述石墨烯进行硫掺杂；4）于氢气及惰性气体气氛中对所述反应腔进行降温。本发明可以简单高效的对石墨烯进行硫掺杂，经济成本低，可大规模生产；可以实现对石墨烯进行大面积的硫掺杂；可直接对绝缘衬底或金属衬底上的石墨烯进行掺杂，便于制作硫掺杂石墨烯器件；制备过程中，可以通过调节硫源气体流量控制硫掺杂浓度，从而实现对石墨烯进行可控掺杂。
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公开(公告)号：CN105097439A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201410221661.7
申请日：2014-05-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 东南大学
Abstract: 本发明提供一种微米铜图形控制硅纳米线精确定位生长的方法，所述方法包括步骤：首先，提供一基板，所述基板包括硅基体和位于所述硅基体上的顶绝缘层；然后，在所述顶绝缘层表面制作微米铜图形阵列；最后，进行退火处理，所述微米铜图形阵列在退火过程中被消耗，同时控制生长的硅纳米线穿过所述顶绝缘层并精确定位在所述微米铜图形阵列的位置。本发明通过微电子加工技术在硅基体支撑的氧化硅绝缘层上制作微米铜图形阵列，再在氩气和氢气氛围中退火处理，在微米铜图形阵列处精确定位生长出硅纳米线。该方法工艺简单、效率高且结构体积小，与CMOS工艺的兼容使其有较好的扩展性，在微电子领域、生物检测领域和太阳能电池领域有着较广的使用前景。
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公开(公告)号：CN104045075A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201310080808.0
申请日：2013-03-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明提供一种利用化学气相沉积法制备硫掺杂石墨烯的方法，包括步骤：1）提供一金属衬底，将该金属衬底置于化学气相沉积反应腔中；2）采用惰性气体对所述反应腔进行通气及排气处理；3）于第一温度下对所述反应腔通入氢气，以对所述金属衬底表面的氧化物进行还原；4）于第二温度下将碳源气体与硫源气体通入所述反应炉进行反应，于所述金属衬底表面形成硫掺杂石墨烯；5）于氢气及惰性气体气氛中对所述反应腔进行降温。本发明可以简单高效的在金属衬底上制备硫掺杂石墨烯，经济成本低，可大规模生产大面积的硫掺杂石墨烯，可以实现对石墨烯进行可控掺杂并且便于后续器件制备的进行。
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公开(公告)号：CN105097439B
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201410221661.7
申请日：2014-05-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 东南大学
Abstract: 本发明提供一种微米铜图形控制硅纳米线精确定位生长的方法，所述方法包括步骤：首先，提供一基板，包括硅基体和位于所述硅基体上的顶绝缘层；然后，在所述顶绝缘层表面制作微米铜图形阵列；最后，进行退火处理，所述微米铜图形阵列在退火过程中被消耗，同时控制生长的硅纳米线穿过所述顶绝缘层并精确定位在所述微米铜图形阵列的位置。本发明通过微电子加工技术在硅基体支撑的氧化硅绝缘层上制作微米铜图形阵列，再在氩气和氢气氛围中退火处理，在微米铜图形阵列处精确定位生长出硅纳米线。该方法工艺简单、效率高且结构体积小，与CMOS工艺的兼容使其有较好的扩展性，在微电子领域、生物检测领域和太阳能电池领域有着较广的使用前景。
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公开(公告)号：CN104045075B
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201310080808.0
申请日：2013-03-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B32/186
Abstract: 本发明提供一种利用化学气相沉积法制备硫掺杂石墨烯的方法，包括步骤：1）提供一金属衬底，将该金属衬底置于化学气相沉积反应腔中；2）采用惰性气体对所述反应腔进行通气及排气处理；3）于第一温度下对所述反应腔通入氢气，以对所述金属衬底表面的氧化物进行还原；4）于第二温度下将碳源气体与硫源气体通入所述反应炉进行反应，于所述金属衬底表面形成硫掺杂石墨烯；5）于氢气及惰性气体气氛中对所述反应腔进行降温。本发明可以简单高效的在金属衬底上制备硫掺杂石墨烯，经济成本低，可大规模生产大面积的硫掺杂石墨烯，可以实现对石墨烯进行可控掺杂并且便于后续器件制备的进行。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106706710A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201510764605.2
申请日：2015-11-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N27/00
CPC classification number: G01N27/00
Abstract: 本发明提供一种基于硫掺杂石墨烯的氮氧化物气体传感器及其制备方法，包括以下步骤：1）提供石墨烯及微加热器平台衬底，将石墨烯转移至微加热器平台衬底上；2）将表面覆盖有石墨烯的微加热器平台衬底置于化学气相沉积反应炉中；3）采用惰性气体对反应炉进行通气及排气处理；4）于第一温度下向反应炉内同时通入惰性气体及氢气；5）于第二温度下向反应炉内通入惰性气体、氢气及硫源气体进行反应，以对石墨烯进行硫掺杂；6）停止通入硫源气体，于氢气及惰性气体保护气氛中进行降温。本发明的制备方法可采用圆片级衬底，实现圆片级制备，达到批量制造的水平，大大降低生产成本；制备的气体传感器对氮氧化物气体分子具有较高的灵敏度和选择性。
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公开(公告)号：CN103928295B
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201310015048.5
申请日：2013-01-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种将石墨烯转移到柔性衬底上的方法。该方法包括如下步骤：在附着石墨烯的原衬底上涂胶并烘干使胶固化成为柔性衬底；将固化的柔性衬底与硬质衬底进行键合；采用化学腐蚀液腐蚀原衬底；用去离子水反复清洗石墨烯/柔性衬底/硬质衬底结合体并吹干；将柔性衬底与石墨烯直接从硬质衬底上剥离，得到所需的附着在柔性衬底上的石墨烯。该方法操作简单，成本低，适用范围广，转移过程中石墨烯材料不容易被破坏，可以高效、稳定地将石墨烯转移到柔性衬底上，可与半导体工艺结合用于制备石墨烯柔性电子器件。
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公开(公告)号：CN104049112A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410300612.2
申请日：2014-06-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 东南大学
IPC: G01Q70/12
Abstract: 本发明提供一种硅纳米线探针结构的制作方法，包括：首先提供一包括硅基体和顶绝缘层的基板，刻蚀所述顶绝缘层形成刻蚀窗口；然后利用腐蚀液对所述刻蚀窗口以下的硅基体进行侧蚀，使所述硅基体表面形成金字塔状的探针底座；接着在所述金字塔状的探针底座所对应的顶绝缘层表面制作微米铜图形；再进行退火处理，所述微米铜图形在退火过程中被消耗，同时控制硅纳米线从所述探针底座的尖端长出；最后去除所述顶绝缘层。本发明工艺简单、硅纳米线探针生长长度可控、效率高且结构体积小，与CMOS工艺的兼容使其有较好的扩展性，在扫描探针显微镜领域、微电子领域、生化检测领域有着较广的使用前景。
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公开(公告)号：CN103928295A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201310015048.5
申请日：2013-01-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/0405 , H01L21/02527
Abstract: 本发明公开了一种将石墨烯转移到柔性衬底上的方法。该方法包括如下步骤：在附着石墨烯的原衬底上涂胶并烘干使胶固化成为柔性衬底；将固化的柔性衬底与硬质衬底进行键合；采用化学腐蚀液腐蚀原衬底；用去离子水反复清洗石墨烯/柔性衬底/硬质衬底结合体并吹干；将柔性衬底与石墨烯直接从硬质衬底上剥离，得到所需的附着在柔性衬底上的石墨烯。该方法操作简单，成本低，适用范围广，转移过程中石墨烯材料不容易被破坏，可以高效、稳定地将石墨烯转移到柔性衬底上，可与半导体工艺结合用于制备石墨烯柔性电子器件。
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公开(公告)号：CN103928296B
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201310015049.X
申请日：2013-01-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/02 , C01B32/184 , C01B32/19
Abstract: 本发明公开了一种将石墨烯转移到具有PDMS过渡层硬质衬底上的方法。该方法包括以下步骤：将PDMS胶涂在附着有石墨烯的原衬底上；使所述PDMS胶固化成PDMS过渡层；对该PDMS过渡层与硬质衬底进行等离子处理，然后将该PDMS过渡层与硬质衬底进行轻压键合；将键合后的硬质衬底放入腐蚀液中腐蚀掉所述原衬底；用去离子水反复清洗石墨烯/PDMS过渡层/硬质衬底结合体并吹干，即得到转移到具有PDMS过渡层的硬质衬底上的石墨烯。该方法操作简单，成本低，适用范围广，转移过程中石墨烯材料不容易被破坏，可以高效、稳定地将石墨烯转移到具有PDMS过渡层硬质衬底上，可与半导体工艺结合用于制备石墨烯电子器件。
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