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公开(公告)号：CN104022046A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201410264998.6
申请日：2014-06-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L21/50 , B81B1/002 , B81C1/00047 , H01L23/16
Abstract: 本发明提供一种基于带状吸气剂的混合晶圆级真空封装方法及结构，包括步骤：a）提供一垫片、一衬底片及一盖片，于所述垫片中形成芯片封装腔及吸气剂腔，并形成通气孔；b）键合所述垫片及所述衬底片形成封装腔体；c）提供一待封装芯片，将所述芯片通过键合结构键合于所述衬底片；d）提供吸气剂，并固定于所述吸气剂腔中；e）激活吸气剂并键合所述盖片及所述垫片。本发明基于MEMS技术制作封装腔体，将待封装芯片置于芯片封装腔内完成真空封装，有利于保护待封装芯片上脆弱的微结构，且具有了圆片级封装的效率；设计了专门放置带状吸气剂的吸气剂腔，与吸气剂薄膜等相比较，成本较低；只对已通过测试的芯片进行真空封装，降低了封装成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104022046B
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：CN201410264998.6
申请日：2014-06-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: H01L2224/16225
Abstract: 本发明提供一种基于带状吸气剂的混合晶圆级真空封装方法及结构，包括步骤：a）提供一垫片、一衬底片及一盖片，于所述垫片中形成芯片封装腔及吸气剂腔，并形成通气孔；b）键合所述垫片及所述衬底片形成封装腔体；c）提供一待封装芯片，将所述芯片通过键合结构键合于所述衬底片；d）提供吸气剂，并固定于所述吸气剂腔中；e）激活吸气剂并键合所述盖片及所述垫片。本发明基于MEMS技术制作封装腔体，将待封装芯片置于芯片封装腔内完成真空封装，有利于保护待封装芯片上脆弱的微结构，且具有了圆片级封装的效率；设计了专门放置带状吸气剂的吸气剂腔，与吸气剂薄膜等相比较，成本较低；只对已通过测试的芯片进行真空封装，降低了封装成本。
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公开(公告)号：CN105304505A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201410270430.5
申请日：2014-06-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种混合晶圆级真空封装方法及结构，包括步骤：a）提供一衬底片，于所述衬底片中形成芯片封装腔；b）于所述衬底片的芯片封装腔中制作吸气剂薄膜；c）提供一包括基底及器件区域的已通过测试的待封装芯片；d）提供一真空设备，将所述待封装芯片及芯片封装腔对准后，进行抽真空、激活吸气剂及加热加压，通过键合结构键合所述衬底片及所述待封装芯片。本发明只对已通过测试的待封装芯片进行真空封装，降低了封装成本；直接在如红外滤波片的衬底片上制作芯片封装腔，将如红外探测器芯片等待封装芯片置于芯片封装腔上完成真空封装，提高了封装效率，减少了封装体积。
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公开(公告)号：CN105304505B
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201410270430.5
申请日：2014-06-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种混合晶圆级真空封装方法及结构，包括步骤：a）提供一衬底片，于所述衬底片中形成芯片封装腔；b）于所述衬底片的芯片封装腔中制作吸气剂薄膜；c）提供一包括基底及器件区域的已通过测试的待封装芯片；d）提供一真空设备，将所述待封装芯片及芯片封装腔对准后，进行抽真空、激活吸气剂及加热加压，通过键合结构键合所述衬底片及所述待封装芯片。本发明只对已通过测试的待封装芯片进行真空封装，降低了封装成本；直接在如红外滤波片的衬底片上制作芯片封装腔，将如红外探测器芯片等待封装芯片置于芯片封装腔上完成真空封装，提高了封装效率，减少了封装体积。
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公开(公告)号：CN104003352A
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201410264566.5
申请日：2014-06-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于吸气剂薄膜的混合晶圆级真空封装方法及结构，该方法包括步骤：a）提供一垫片、一衬底片及一盖片，于所述垫片中形成芯片封装腔；b）键合所述垫片及所述衬底片；c）将待封装芯片通过键合结构键合于所述衬底片；d）提供吸气剂，并将所述吸气剂固定于朝向所述芯片封装腔的盖片表面；e）键合所述盖片及所述垫片并激活吸气剂。本发明基于MEMS技术制作封装腔体，将非致冷红外探测器芯片置于芯片封装腔内完成真空封装，有利于保护非致冷红外探测器芯片上脆弱的微结构，且具有了圆片级封装的效率；采用吸气剂薄膜维持腔体的真空度，可降低真空封装的体积；只对已通过测试的非致冷红外探测器芯片进行真空封装，降低了封装成本。
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公开(公告)号：CN104003352B
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201410264566.5
申请日：2014-06-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于吸气剂薄膜的混合晶圆级真空封装方法及结构，该方法包括步骤：a）提供一垫片、一衬底片及一盖片，于所述垫片中形成芯片封装腔；b）键合所述垫片及所述衬底片；c）将待封装芯片通过键合结构键合于所述衬底片；d）提供吸气剂，并将所述吸气剂固定于朝向所述芯片封装腔的盖片表面；e）键合所述盖片及所述垫片并激活吸气剂。本发明基于MEMS技术制作封装腔体，将非致冷红外探测器芯片置于芯片封装腔内完成真空封装，有利于保护非致冷红外探测器芯片上脆弱的微结构，且具有了圆片级封装的效率；采用吸气剂薄膜维持腔体的真空度，可降低真空封装的体积；只对已通过测试的非致冷红外探测器芯片进行真空封装，降低了封装成本。
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