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公开(公告)号：CN204144300U
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201420449810.0
申请日：2014-08-11
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型公开一种高晶体质量红外发光二极管，在衬底之上依次形成缓冲层、腐蚀截止层、欧姆接触层、电流传输层、粗化层、第一型导电层、有源层及第二型导电层；有源层由多组的量子垒、降温层及量子阱三层结构循环构成，降温层位于量子垒与量子阱之间。本实用新型解决有源区的量子阱与其它外延层存在失配，引起的外延层晶体质量差的问题，提高红外发光二极管量子效率。
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公开(公告)号：CN202616281U
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201220239183.9
申请日：2012-05-25
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型公开一种具有双外延结构的AlGaInP系的发光二极管，包括一衬底，衬底下表面连接第一电极，沿衬底的上表面依次生长有布拉格反射层、第一P型限制层、第一有源层、第一N型限制层、第一N型电流扩展层、腐蚀截止层、第二N型电流扩展层、第二N型限制层、第二有源层、第二P型限制层、第二P型电流扩展层，第二P型电流扩展层的上表面连接第二电极，第二N型电流扩展层的侧面连接第三电极，第一电极和第二电极的极性相同，第三电极与第一电极和第二电极的极性相反；本实用新型能同时或分别发出两种不同颜色的光，降低了需要变色或配色的发光二极管的制造成本；另一方面也可有效提高发光二极管的亮度。
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公开(公告)号：CN202217699U
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201120350131.4
申请日：2011-09-19
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/06
Abstract: 本实用新型公开一种发光二极管的外延结构，在GaAs衬底层的上面自下而上依次为布拉格反射层、第一型限制层、有源层、第二型限制层、电流扩展层，所述的有源层是由n组量子阱和量子垒交替组成，其中100≥n≥2，且同一个量子垒中的势垒高度为渐变式分布或不同量子垒之间的势垒高度为渐变式分布；本实用新型增强量子垒对电子的限制作用，提高量子阱里电子和空穴的复合率，从而提高发光二极管的亮度。
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公开(公告)号：CN202205805U
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN201120330268.3
申请日：2011-09-05
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型涉及发光二极管领域。发光二极管结构是：衬底下表面具有第一电极，外延结构形成于衬底的上表面，外延结构分别为反射层、N型限制层、有源层、P型限制层、电流扩展层，第二电极形成于电流扩展层之上。其中，所述的反射层是由3组以上布拉格反射系统组成，每组布拉格反射系统中由3对以上的低折射率材料层、高折射率材料层交替的布拉格反射层组成，每组布拉格反射系统中布拉格反射层中的高折射率材料层的折射率自衬底以上每组依次是阶梯式递减。
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公开(公告)号：CN201311936Y
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200820146082.0
申请日：2008-10-27
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L31/052 , H01L31/0232
CPC classification number: Y02E10/52
Abstract: 本实用新型公开一种具有反射层的三结太阳电池，在P－Ge衬底上生长形成包含两套布拉格反射层(DBR)的三结太阳电池的半导体材料层；两套布拉格反射层(DBR)是一套用于反射短波光子的铝铟磷AlInP/铝镓铟磷AlGaInP顶电池反射层和一套用于反射中波光子的砷化铝AlAs/铝镓砷AlGaAs中电池反射层。此结构可以减少电池的厚度，减小非平衡载流子的自由程，提高光电转换效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN220934110U
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202322271918.7
申请日：2023-08-23
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供一种LED芯片，该LED芯片包括：金属键合层、金属反射结构、透明介质结构和堆叠结构，其中，金属反射结构和透明介质结构构成ODR反射结构，用于反射有源区出射的光及阻挡金属材质迁移至有源区；金属反射结构为多层的复合反射结构，可以有效地提高反射率；透明介质结构包括电介质层，或绝缘介质层，且，绝缘介质层具有贯穿绝缘介质层的多个通孔，各通孔由金属材质填充形成多个导电通道，电流可以通过电介质层或多个导电通道进行均匀分布，避免在大电流工作条件下，LED芯片出现电流拥挤及可靠性不好的问题；并结合出光面为粗化面，在扩大LED芯片发光角度的同时能够提高LED芯片出光效率。
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公开(公告)号：CN219917200U
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202320647681.5
申请日：2023-03-29
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供了一种LED芯片，通过将衬底设置具有多个凸起，所述发光结构层叠于所述衬底具有凸起的一侧表面；其中，所述凸起沿第一方向的横截面积逐渐减小；沿第一方向上所述凸起的单位高度所对应的横截面积差值为变化速率，则变化速率和凸起高度的曲线呈“V”形；所述第一方向垂直于所述衬底，并由所述衬底指向所述发光结构。基于上述设置所获得的凸起形状，使得光在所述凸起形成更全面的反射方向，从而扩大了LED芯片的发光角度；如此，在后续显屏组装时可简化背光设计，尤其适用于微型LED芯片(如Mini‑LED或Micro‑LED等)。
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公开(公告)号：CN217086611U
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202220741316.6
申请日：2022-03-31
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供了一种半导体外延结构及LED芯片，通过在所述衬底表面依次堆叠缺陷阻隔层、第一N型半导体层、电流阻挡层、第二N型半导体层、有源层、P型半导体层。通过所述缺陷阻隔层阻挡所述衬底与半导体层之间因晶格失配所产生的缺陷的向上延伸；同时，通过所述电流阻挡层阻挡电流在所述第二N型半导体层表面的纵向传输，提高电流在界面的横向传递，增加电流扩展的效果。
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公开(公告)号：CN204243024U
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201420536931.9
申请日：2014-09-18
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L23/00 , H01L33/22 , H01L31/0352 , H01L31/0725
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本实用新型公开衬底可剥离外延结构，电池外延结构或外延发光结构与衬底之间设置牺牲层，牺牲层由交替生长的AlInP/AlAs多层结构组成。本实用新型还公开一种具有衬底可剥离太阳能电池外延结构及一种具有衬底可剥离发光二极管外延结构。本实用新型可以提高外延层与衬底的剥离速率，同时有效解决剥离时外延层容易破损的问题。
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公开(公告)号：CN204189827U
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201420516772.6
申请日：2014-09-10
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型公开一种大功率红外发光二极管，包括外延发光结构、基板及高热导介质层；外延发光结构一侧设置高热导介质层，高热导介质层上设置基板，高热导介质层位于外延发光结构与基板之间将高热导介质层产生的热量导向基板。本实用新型使得红外发光二极管散热效果较好，提高发光效率，且结构较为稳定而不容易被剥离。
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